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贺强

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：华为技术有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇电子迁移率
  • 3篇迁移率
  • 3篇晶体管
  • 3篇高电子迁移率
  • 3篇高电子迁移率...
  • 2篇电流崩塌
  • 2篇电子设备
  • 2篇钝化层
  • 2篇势垒
  • 2篇天线
  • 2篇天线装置
  • 2篇通信
  • 2篇通信装置
  • 2篇芯片
  • 2篇极化
  • 2篇极化天线
  • 2篇光刻
  • 2篇合金
  • 2篇成核
  • 1篇导体

机构

  • 9篇华为技术有限...

作者

  • 9篇贺强
  • 4篇李海军
  • 3篇马平
  • 3篇鲁明
  • 3篇马俊彩
  • 3篇鲁微
  • 2篇刘涛
  • 2篇程竹林
  • 2篇饶进
  • 2篇熊伟
  • 2篇谢波
  • 1篇张涛
  • 1篇富亮
  • 1篇朱爱兰
  • 1篇王瑜
  • 1篇蒋斌
  • 1篇马戎

年份

  • 2篇2023
  • 1篇2021
  • 1篇2019
  • 2篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
高电子迁移率晶体管及其制作方法、芯片和电子设备
提供一种高电子迁移率晶体管(100)，包括依次层叠设置的GaN基材层(102)、势垒层(103)、电路层和场板(108)，GaN基材层(102)包括层叠设置的主体层(1021)和沟道层(104)，沟道层(104)邻接势垒...
张志利饶进刘涛李海军鲁微李水明汤岑贺强马俊彩樊春华术洋溢
一种高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明提供了一种高电子迁移率晶体管，包括层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、钝化层及形成于所述势垒层上的源极、栅极、漏极，所述栅极设置于所述源极与所述漏极之间，所述高电子迁移率晶体管设有凹部，所述凹部设有凹部...
鲁微李海军马俊彩贺强鲁明马平
一种锆基非晶合金
一种锆基非晶合金，所述锆基非晶合金的组成为:(Zr,Hf,Nb)<Sub>a</Sub>Cu<Sub>b</Sub>Ni<Sub>c</Sub>Al<Sub>d</Sub>Re<Sub>e</Sub>，其中a、b、c、d...
朱爱兰张涛贺强富亮
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一种天线装置及通信装置
本申请公开了一种天线装置及通信装置，包括：N个天线端口，以及M个定向极化天线，M为4的K倍，且N为4的整数倍，N、M为大于0的整数，K为大于0的偶数；所述M个定向极化天线平均分布在方形的四个面上，每个面包括K个定向极化天...
熊伟谢波程竹林贺强李永久
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一种终端外壳、终端外壳的面板及终端
本实用新型公开了一种终端外壳，该终端外壳包括第一面板和第二面板，第一面板和/或第二面板的材质是玻璃，第一面板包括平直的第一主面以及第一侧面，第一主面具有至少一个第一顶角，第一主面在第一顶角的两侧有两条侧边与第一顶角相连，...
托比亚斯·伯纳斯贺强
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一种高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明提供了一种高电子迁移率晶体管，包括层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、钝化层及形成于所述势垒层上的源极、栅极、漏极，所述栅极设置于所述源极与所述漏极之间，所述高电子迁移率晶体管设有凹部，所述凹部设有凹部...
鲁微李海军马俊彩贺强鲁明马平
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一种天线装置及通信装置
本申请公开了一种天线装置及通信装置，包括：N个天线端口，以及M个定向极化天线，M为4的K倍，且N为4的整数倍，N、M为大于0的整数，K为大于0的偶数；所述M个定向极化天线平均分布在方形的四个面上，每个面包括K个定向极化天...
熊伟谢波程竹林贺强李永久
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一种半导体器件、电子设备及半导体器件的制备方法
本申请实施例提供一种半导体器件、电子设备及半导体器件的制备方法，涉及芯片制造封装技术领域，用于在不增加尺寸的情况下，能够提高半导体器件的散热效率。该半导体器件包括：衬底、源极、漏极和栅极，以及槽；源极、漏极和栅极均形成在...
李水明王瑜马平鲁明汤岑张志利贺强李海军刘涛饶进
一种镁合金及其制备方法
本发明实施例提供一种镁合金及其制备方法，该镁合金中各组分按质量百分数配置如下：铝Al：1.6％～2.5％、锌Zn：0.6％～1.5％、铈Ce：0.002％～0.1％、锰Mn：0.1％～0.5％、不可避免杂质不大于0.01...
贺强马戎蒋斌
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