您的位置： 专家智库 > >

鲁微

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：华为技术有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇中文专利

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 5篇晶体管
  • 5篇半导体
  • 5篇半导体器件
  • 4篇电子设备
  • 4篇势垒
  • 4篇成核
  • 3篇电流崩塌
  • 3篇电子迁移率
  • 3篇迁移率
  • 3篇高电子迁移率
  • 3篇高电子迁移率...
  • 3篇衬底
  • 2篇导通
  • 2篇导通电阻
  • 2篇电阻
  • 2篇钝化层
  • 2篇栅极
  • 2篇栅极结构
  • 2篇势垒层
  • 2篇缓冲层

机构

  • 11篇华为技术有限...

作者

  • 11篇鲁微
  • 6篇马俊彩
  • 4篇李海军
  • 3篇贺强
  • 3篇马平
  • 2篇刘涛
  • 2篇饶进
  • 2篇鲁明

年份

  • 5篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2014
共 11 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
半导体器件及其制备方法
本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，不仅能够减小半导体器件的导通电阻，而且能够降低栅氧化层的电场强度，从而提高半导体器件的击穿电压和长时间工作的可靠性。半导体器件可以包括层叠设置的衬底、外延层和P阱区等。其中，外延层...
慕经纬刘竞存汤岑鲁微
一种HEMT器件及制备方法
本发明提供了一种HEMT器件，包括层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层及形成于所述势垒层上的源极、栅极、漏极，所述漏极设置于所述源极与所述栅极之间，所述衬底设有朝向成核层设置的器件面及背离所述器件面的衬底背面，...
鲁微
文献传递
一种高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明提供了一种高电子迁移率晶体管，包括层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、钝化层及形成于所述势垒层上的源极、栅极、漏极，所述栅极设置于所述源极与所述漏极之间，所述高电子迁移率晶体管设有凹部，所述凹部设有凹部...
鲁微李海军马俊彩贺强鲁明马平
高电子迁移率晶体管及其制作方法、芯片和电子设备
提供一种高电子迁移率晶体管(100)，包括依次层叠设置的GaN基材层(102)、势垒层(103)、电路层和场板(108)，GaN基材层(102)包括层叠设置的主体层(1021)和沟道层(104)，沟道层(104)邻接势垒...
张志利饶进刘涛李海军鲁微李水明汤岑贺强马俊彩樊春华术洋溢
半导体器件及其制备方法、电子设备
本申请实施例提供一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于提升半导体器件的导通特性和击穿特性。半导体器件包括半导体衬底、位于半导体衬底的第一表面内的第一阱区和第二阱区以及位于半导体衬底的第一表面上的栅...
慕经纬汤岑刘竞存鲁微
半导体器件及其工作方法、电子设备
本申请实施例提供一种半导体器件及其工作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于提高半导体器件的性能。半导体器件可以用作射频器件，也可以用作功率器件。半导体器件包括：衬底；依次层叠设置于衬底上的沟道层和势垒层；设置于势垒层...
鲁微马俊彩
场效应晶体管及其制备方法、半导体器件、电子设备
本申请实施例公开一种场效应晶体管及其制备方法、半导体器件、电子设备，涉及半导体技术领域。场效应晶体管包括：衬底、外延层、N型掺杂区、P阱区、N型掺杂层、P型掺杂层、栅介质层、栅极、N型源极区、P型接触区、源极层和漏极层。...
慕经纬刘竞存汤岑鲁微
一种高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明提供了一种高电子迁移率晶体管，包括层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、钝化层及形成于所述势垒层上的源极、栅极、漏极，所述栅极设置于所述源极与所述漏极之间，所述高电子迁移率晶体管设有凹部，所述凹部设有凹部...
鲁微李海军马俊彩贺强鲁明马平
文献传递
氮化镓场效应晶体管的结构和制备方法
本申请实施例提供了一种氮化镓场效应晶体管的结构和制备方法，该互补型场效应晶体管的结构包括：衬底；设置于衬底之上的第一外延结构；设置于第一外延结构之上的半导体层，半导体层的上表面设置有凹槽，凹槽的内壁设置有第一填充材料，第...
鲁微马俊彩李水明马平
一种半导体器件及其制造方法
本申请实施例公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件可以包括衬底、栅极、第二介质层、场板，其中衬底上具有第一介质层，第一介质层在第一区域的厚度大于在第一区域之外的第二区域的厚度，栅极位于衬底上且位于第一区域，栅极包括...
汤岑饶进刘涛李海军鲁微乐伶聪马俊彩张志利
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0