邹和成
- 作品数：4 被引量：6H指数：2
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- a-Si:H/SiO<,2>多层膜中的激光诱导限制结晶
- 我们利用等离子增强化学气相淀积(PECVD)方法和等离子体氧化技术原位制备了a-Si:H/SiO<,2>多层膜,并依据激光诱导限制结晶原理,用KrF准分子脉冲激光辐照样品的方法,使a-Si:H/SiO<,2>多层膜进行晶...
- 乔峰黄信凡隋妍萍李伟马忠元李鑫邹和成陈坤基
- 关键词：化学气相淀积激光辐照
- 文献传递
- 激光干涉结晶技术制备二维有序分布纳米硅阵列被引量：4
- 2005年
- 利用结合移相光栅掩模(PSGM)的激光结晶技术在超薄a-SiNx/a-Si:H/a-SiNx三明治结构样品中制备出二维有序分布的纳米硅阵列.原始样品是用等离子体增强化学气相淀积法生长.a-Si:H层厚为10nm,a-SiNx为50nm,衬底材料为SiO2/Si或熔凝石英.原子力显微镜、剖面透射电子显微镜、高分辨透射电子显微镜对样品表面形貌和微结构的观测结果表明,采用该方法可以在原始淀积的a-Si:H层中得到位置可控的晶化区域:每个晶化区域直径约250nm,具有同PSGM一致的2μm周期;晶化区域内形成的纳米硅颗粒尺寸接近原始淀积的a-Si:H层厚,且晶粒的择优取向为<111>.
- 邹和成乔峰吴良才黄信凡李鑫韩培高马忠元李伟陈坤基
- 关键词：激光干涉高分辨透射电子显微镜等离子体增强SINXSI02衬底材料
- 激光限制结晶技术制备nc-Si/SiO_2多层膜被引量：3
- 2004年
- 在等离子体增强化学气相淀积系统中 ,采用a Si:H层淀积和原位等离子体氧化相结合的逐层生长技术制备了a Si:H SiO2 多层膜 .在激光诱导限制结晶原理基础上 ,使用KrF准分子脉冲激光为辐照源 ,对a Si:H SiO2 多层膜进行辐照 ,使纳米级厚度的a Si:H子层晶化 .Raman散射谱和电子衍射谱的结果表明 ,经过激光辐照后纳米Si颗粒在原始的a Si:H子层内形成 ,晶粒尺寸可以根据a Si:H层的厚度精确控制 .还研究了样品的光致发光 (PL)
- 乔峰黄信凡朱达马忠元邹和成隋妍萍李伟周晓辉陈坤基
- 关键词：RAMAN散射化学气相淀积等离子体增强多层膜电子衍射
- 激光晶化制备纳米硅薄膜的微结构及其光电特性
- 自上世纪60年代以来，以集成电路为核心的微电子技术迅猛发展，深刻地改变了人们的生产、生活和工作方式，使人类步入了信息时代，而硅作为微电子产业主导材料的地位也逐渐被确立。当前，硅基半导体器件占据了超过95％的市场份额。
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- 邹和成
- 关键词：纳米硅薄膜微电子技术纳米电子器件
- 文献传递
