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丁爱丽

作品数:85 被引量:157H指数:9
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程理学化学工程更多>>

文献类型

  • 35篇专利
  • 31篇期刊文章
  • 12篇会议论文
  • 7篇科技成果

领域

  • 20篇一般工业技术
  • 15篇电气工程
  • 11篇化学工程
  • 11篇电子电信
  • 11篇理学
  • 5篇自动化与计算...

主题

  • 29篇铁电
  • 22篇陶瓷
  • 22篇铁电薄膜
  • 20篇钛酸铅
  • 18篇锆钛酸铅
  • 16篇钛酸
  • 14篇压电
  • 11篇溅射
  • 10篇压电陶瓷
  • 8篇电光
  • 8篇电光系数
  • 8篇介电
  • 8篇甲醚
  • 8篇磁控
  • 7篇电性能
  • 7篇磁控溅射
  • 7篇存储器
  • 6篇铁电存储器
  • 6篇掺杂
  • 6篇醋酸铅

机构

  • 85篇中国科学院
  • 1篇广东工业大学
  • 1篇上海大学
  • 1篇中山大学
  • 1篇香港城市理工...

作者

  • 85篇丁爱丽
  • 43篇罗维根
  • 43篇仇萍荪
  • 37篇何夕云
  • 20篇殷庆瑞
  • 17篇郑鑫森
  • 14篇李国荣
  • 14篇程文秀
  • 12篇唐新桂
  • 7篇郑嘹赢
  • 7篇叶扬
  • 6篇曾江涛
  • 5篇阮伟
  • 4篇曾霞
  • 3篇蒲兴华
  • 3篇屈新萍
  • 3篇曾华荣
  • 3篇李晖
  • 3篇葛敏
  • 2篇邓国初

传媒

  • 19篇无机材料学报
  • 3篇功能材料
  • 3篇第八届全国电...
  • 2篇物理学报
  • 2篇电子元件与材...
  • 2篇上海微型计算...
  • 1篇四川大学学报...
  • 1篇光散射学报
  • 1篇压电与声光
  • 1篇2000年中...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第三届中国功...

年份

  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 5篇2008
  • 5篇2007
  • 4篇2006
  • 8篇2005
  • 6篇2004
  • 3篇2003
  • 8篇2002
  • 9篇2001
  • 7篇2000
  • 3篇1999
  • 9篇1998
  • 1篇1997
  • 4篇1996
  • 3篇1995
  • 1篇1994
  • 3篇1992
85 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Na_(0.25)K_(0.25)Bi_(0.5)TiO_3无铅压电陶瓷的介电特性研究被引量:11
2006年
用固相反应法制备了Na_(0.25)K_(0.25)Bi_(0.5)TiO_3(NKBT50)陶瓷,研究了该陶瓷在室温至400℃温度范围内的介电性能.发现该陶瓷的介电温谱与烧结气氛、极化状态有关.在空气中烧结的未极化样品在70℃附近存在介电和损耗峰,而极化后及在氧气氛中烧结的样品并不存在该介电、损耗峰.分析认为70℃的介电和损耗峰与氧空位形成的缺陷偶极子的极化弛豫有关.热激电流显示,陶瓷的去极化温度为225℃,与此相对应的介电、损耗峰也与氧空位有关.
赵苏串李国荣张丽娜王天宝丁爱丽
关键词:介电性能氧空位
气氛热压烧结制备大尺寸压电陶瓷的方法
本发明涉及一种气氛热压烧结制备大尺寸压电陶瓷的方法,属于压电陶瓷制备领域。本发明选用大尺寸陶瓷模具,控制内径尺寸在150-300mm,模具壁厚20-25mm,高100-120mm;将陶瓷坯体放入陶瓷模具中,在坯体四周填充...
仇萍荪郑鑫森程文秀何夕云曾霞丁爱丽
文献传递
不挥发铁电存储器的最新发展被引量:14
1996年
铁电材料具有自发极化并可由外电场反转,因此可以构成一种不挥发存储器.铁电薄膜与半导体集成,产生铁电随机存储器,并将成为存储器技术的主体.
罗维根丁爱丽
关键词:铁电薄膜铁电随机存储器存储器
镧掺杂铌锌锆钛酸铅压电陶瓷材料及其制备方法
本发明涉及一种高压电性能的压电陶瓷材料——镧掺杂铌锌锆钛酸铅——以及这种新材料的制备方法,属于压电陶瓷领域。这种新型高性能压电陶瓷材料采用氧气氛热压方法制备,其烧结温度1150~1230℃,热压压强为160MPa,氧气流...
殷庆瑞邓国初丁爱丽郑鑫森程文秀
文献传递
一种具有上转换发光特性的透明电光陶瓷材料及其制备方法
本发明公开了一种具有上转换发光特性的透明电光陶瓷材料及其制备方法。所述陶瓷材料的组成通式为:(1-x)Pb<Sub>1-y</Sub>La<Sub>y</Sub>(Mg<Sub>1/3</Sub>Nb<Sub>2/3</...
曾江涛李国荣阮伟郑嘹赢曾华荣丁爱丽
文献传递
无铅压电陶瓷的晶格缺陷对压电性能影响研究被引量:2
2005年
无铅压电陶瓷中,绝大部分是以三价铋取代二价铅的含铋无铅压电陶瓷.含铋压电陶瓷与有铅压电陶瓷相比,在烧结时出现的液相温度比含铅陶瓷低,陶瓷烧结温度也比含铅压电陶瓷低;铋容易挥发,陶瓷晶粒中易出现氧空位;三价铋的极化率虽然与二价铅的相当,但其结构对称性下降,晶体的各向异性大,90°电畴不易随电场取向,因而压电性能不如含铅陶瓷相变.作者主要是对含铋无铅压电陶瓷中由于铋挥发引起的晶格缺陷偶极子,它们在电场作用下的取向排列对压电性能影响进行了研究.
李国荣赵苏串张丽娜王天宝丁爱丽殷庆瑞董元丰陶峰张火荣
关键词:钛酸铋钠钛酸铋钾无铅压电陶瓷
一种PMN-PZT基透明电光陶瓷材料及其制备方法
本发明公开了一种PMN-PZT基透明电光陶瓷材料及其制备方法。所述陶瓷材料的组成通式为:(1-x)Pb(Mg<Sub>y</Sub>Nb<Sub>z</Sub>)O<Sub>3</Sub>-xPb(Zr<Sub>1-p<...
阮伟曾江涛李国荣郑嘹赢曾华荣丁爱丽
文献传递
锰对改善CaBi_4Ti_4O_(15)高温压电陶瓷性能的研究被引量:15
2008年
采用固相法制备了Mn改性的CaBi4Ti4O15(CBT+xmol%MnCO3)层状压电陶瓷.介电温谱显示所有样品居里点在780℃附近,并且发现该材料在110K处有一介电弛豫峰.Mn的加入显著降低了高温下的介电损耗,剩余极化轻微降低,室温介电常数从173减小到162,同时机械品质因子由2700增加到4400,显示了硬性掺杂的效果.在100~600℃范围内,x=1.0的样品比纯组分的电阻率提高了一个数量级以上,500℃的电阻率提高了约2个数量级(10^8Ω·cm),电阻率对温度的Arrhenius拟合由两段过渡到三段,压电系数d33由7提高到14.5.实验结果表明,Mn改性的CBT在高温传感器等领域具有应用前景.
顾大国李国荣郑嘹赢曾江涛丁爱丽殷庆瑞
关键词:压电陶瓷电阻率
一种制备钛酸铅钙热释电功能梯度薄膜的方法
一种制备钛酸铅钙(PCT)热释电功能梯度薄膜的方法,属于功能陶瓷梯度薄膜领域。前驱液以三水醋酸铅、醋酸钙(或硝酸钙)、钛酸丁酯为原料,以甲醇(或乙二醇甲醚)、冰醋酸、去离子水和乙酰丙酮为溶剂,按Pb∶Ca∶Ti=1-X∶...
唐新桂丁爱丽殷庆瑞
文献传递
SrTiO3衬底上溅射法外延生长PLZT薄膜
2004年
用射频磁控溅射法在SrTiO3衬底上外延生长PLZT薄膜,研究了不同的溅射工艺对薄膜生长速率的影响,探讨了不同的后期热处理条件与薄膜取向度的关系.在SrTiO3衬底上成功制备出外延生长的、厚度达1.5μm的PLZT薄膜.
仇萍荪程文秀何夕云郑鑫森丁爱丽
共9页<123456789>
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