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吴珊

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇医药卫生

主题

  • 4篇半导体
  • 4篇半导体材料
  • 2篇导体
  • 2篇多普勒
  • 2篇抑菌
  • 2篇抑菌试验
  • 2篇阴离子
  • 2篇深能级
  • 2篇深能级缺陷
  • 2篇体外
  • 2篇体外抑菌
  • 2篇体外抑菌试验
  • 2篇退火
  • 2篇能级
  • 2篇氢键
  • 2篇氢键作用
  • 2篇缺陷态
  • 2篇缀合
  • 2篇协同增效作用
  • 2篇离子

机构

  • 9篇北京大学

作者

  • 9篇吴珊
  • 5篇沈波
  • 5篇杨学林
  • 4篇许福军
  • 4篇唐宁
  • 4篇王新强
  • 2篇徐越
  • 2篇叶新山
  • 2篇吴艳芬
  • 2篇张洁
  • 2篇冯玉霞
  • 1篇魏来

年份

  • 1篇2022
  • 3篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2012
  • 1篇2009
  • 1篇2007
  • 1篇1992
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
检测宽禁带半导体中深能级缺陷态的方法
本发明公开了一种检测宽禁带半导体中深能级缺陷态的方法，利用在高温下仍然能保持很好的二极管特性的重‑轻‑重掺杂pn二极管样品结构，通过测量不同填充电压的高温深能级瞬态电容谱来同时获得样品内的多子陷阱和少子陷阱的信号，最终利...
杨学林沈波黄华洋吴珊沈剑飞许福军唐宁王新强
新霉胺－咔啉羧酸缀合物及其制备方法和在医学中的用途
本发明公开了新霉胺－咔啉羧酸缀合物及其制备方法和在药学中的用途。本发明采用咔啉羧酸及其衍生物作为平面芳稠环结构，通过连接臂与新霉胺缀合，得到本发明新霉胺－咔啉羧酸缀合物。咔啉环通过嵌插作用，新霉胺通过静电、氢键作用，两者...
叶新山吴艳芬吴珊
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新霉胺-咔啉羧酸缀合物及其制备方法和在医学中的用途
本发明公开了新霉胺-咔啉羧酸缀合物及其制备方法和在药学中的用途。本发明采用咔啉羧酸及其衍生物作为平面芳稠环结构，通过连接臂与新霉胺缀合，得到本发明新霉胺-咔啉羧酸缀合物。咔啉环通过嵌插作用，新霉胺通过静电、氢键作用，两者...
叶新山吴艳芬吴珊
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硅基氮化镓射频器件射频损耗的抑制方法
本发明公开了一种硅基氮化镓射频器件射频损耗的抑制方法，在高阻硅衬底上外延一层n型单晶硅，得到复合硅衬底，再在其上外延氮化铝和后续的氮化镓薄膜，通过复合硅衬底掺杂的n型电子与铝原子扩散带来的空穴流子复合，从而使硅衬底维持在...
杨学林沈波魏来马骋吴珊沈剑飞刘丹烁蔡子东黄华洋陈正昊
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以RNA为靶的新霉胺衍生物的合成及活性研究
吴珊
关键词：RNA新霉素
化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的检测方法
本发明公布了一种化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的检测方法。首先制备用于确定化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的原生样品，然后将部分原生样品进行退火操作，制得退火样品；利用高温退火操作实现替代阳离子位置...
杨学林沈波徐越吴珊宋春燕张洁冯玉霞许福军唐宁王新强
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检测宽禁带半导体中深能级缺陷态的方法
本发明公开了一种检测宽禁带半导体中深能级缺陷态的方法，利用在高温下仍然能保持很好的二极管特性的重‑轻‑重掺杂pn二极管样品结构，通过测量不同填充电压的高温深能级瞬态电容谱来同时获得样品内的多子陷阱和少子陷阱的信号，最终利...
杨学林沈波黄华洋吴珊沈剑飞许福军唐宁王新强
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层粘连蛋白受体单克隆抗体的特性及其在肿瘤浸润和转移中作用的研究
吴珊
化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的检测方法
本发明公布了一种化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的检测方法。首先制备用于确定化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的原生样品，然后将部分原生样品进行退火操作，制得退火样品；利用高温退火操作实现替代阳离子位置...
杨学林沈波徐越吴珊宋春燕张洁冯玉霞许福军唐宁王新强
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