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张爱军

作品数:2 被引量:6H指数:1
供职机构:华润上华科技股份有限公司更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 1篇压力传感器
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子注入
  • 1篇热载流子
  • 1篇热载流子注入
  • 1篇热载流子注入...
  • 1篇力传感器
  • 1篇晶体管
  • 1篇可靠性
  • 1篇感器
  • 1篇安全工作区
  • 1篇LDMOS
  • 1篇MEMS
  • 1篇MEMS压力...
  • 1篇传感
  • 1篇传感器

机构

  • 2篇华润上华科技...

作者

  • 2篇张爱军
  • 1篇王少荣

传媒

  • 1篇电力电子技术
  • 1篇电子器件

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2013
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
MEMS压力传感器工艺可靠性测试评价被引量:6
2017年
随着MEMS技术的飞速发展,可靠性问题逐渐成为MEMS器件在军事和商业中应用的重要阻碍。结合器件的工作环境,分别从高温、高温高湿、温度冲击、过电压、压力过载、温湿循环等环境负载方面探讨硅压阻式MEMS压力传感器的工艺可靠性问题。试验结果表明,环境负载后,圆片级器件特性参数基本无变化,而封装级器件特性参数有不同程度的漂移。参照工厂制定的工艺标准(<10%),封装级器件测试数据可以有效监控MEM产品的工艺质量。
马婷婷马书鯼张爱军
关键词:MEMS传感器可靠性
LDMOS热载流子注入效应安全工作区的研究
2013年
安全工作区(SOA)是MOSFET器件设计中的一个关键参数。传统CMOS在衬底电流-栅极电压曲线上只出现一个衬底电流峰值,该峰值可直接反映出热载流子注入(HCI)效应最强的位置,因此可以容易地给出其SOA;而对于横向双扩散MOSFET(LDMOS)器件,由于Kirk效应的发生,造成其衬底电流峰值不明显,此时的衬底电流已经不能再完全反映HCI效应的强弱,单纯使用Hu模式或衬底电流模式对SOA测试和分析都不合适。针对发生严重Kirk效应的LDMOS,此处提出一套更合理的HCI SOA测试方法,该方法既能节省测试时间,同时准确性又高。
马书嫏王少荣张爱军
关键词:晶体管安全工作区热载流子注入
共1页<1>
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