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罗仲梓

作品数：31 被引量：117H指数：6
供职机构：厦门大学更多>>
发文基金：福建省自然科学基金国家自然科学基金福建省科技重点项目更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇期刊文章
  • 12篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 5篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇机械工程
  • 2篇电气工程
  • 1篇化学工程

主题

  • 8篇开关
  • 7篇射频MEMS...
  • 7篇键合
  • 5篇芯片
  • 4篇微通道
  • 4篇PECVD
  • 3篇氮化硅
  • 3篇电极
  • 3篇光刻
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硅薄膜
  • 2篇等离子体处理
  • 2篇低真空
  • 2篇电路
  • 2篇淀积
  • 2篇亚胺
  • 2篇掩膜
  • 2篇掩膜板
  • 2篇液相
  • 2篇质子

机构

  • 27篇厦门大学
  • 14篇福州大学
  • 5篇苏州市职业大...
  • 2篇南京邮电大学
  • 1篇天津大学
  • 1篇浙江万里学院

作者

  • 31篇罗仲梓
  • 16篇于映
  • 10篇吴清鑫
  • 7篇陈光红
  • 6篇张春权
  • 6篇周勇亮
  • 4篇沈德新
  • 3篇谷丹丹
  • 3篇吴孙桃
  • 2篇何熙
  • 2篇张大霄
  • 2篇王培森
  • 2篇赵晨
  • 2篇李燕飞
  • 2篇杨扬
  • 2篇林凡
  • 2篇翁心桥
  • 2篇张艳
  • 2篇李静
  • 2篇毛秉伟

传媒

  • 2篇中国仪器仪表
  • 2篇厦门大学学报...
  • 2篇功能材料
  • 2篇传感技术学报
  • 2篇微纳电子技术
  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇集美大学学报...
  • 1篇材料工程
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇苏州市职业大...
  • 1篇传感器与微系...
  • 1篇中国真空学会...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2014
  • 2篇2012
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 5篇2008
  • 3篇2007
  • 4篇2006
  • 7篇2005
  • 3篇2004
  • 1篇2003
共 31 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
氮化硅薄膜力学性能的研究及其在射频MEMS开关中的应用被引量：15
2006年
氮化硅薄膜具有致密的结构、高强度和良好的耐磨性能,可用于MEMS器件中作为结构部件.本文采用PECVD法制备氮化硅薄膜,对氮化硅薄膜的杨氏模量和硬度进行了测试,并分析了沉积温度、反应气体流量比对薄膜杨氏模量和硬度的影响.应用氮化硅薄膜作为悬梁,制作了射频MEMS开关.
于映吴清鑫罗仲梓
关键词：氮化硅薄膜杨氏模量MEMS射频开关
AZ5214E反转光刻胶的性能研究及其在剥离工艺中的应用被引量：23
2005年
研究了AZ5214E反转光刻胶的性能并选择适当的工艺可制得利于剥离的倒台面,并将其应用于射频MEMS开关的制作中剥离厚 2μm的金薄膜。用扫描电镜(SEM)测出胶的侧壁为倒台面。
陈光红于映罗仲梓吴清鑫
Al、Au溅射薄膜的剥离技术研究被引量：1
2005年
本文采用氯苯浸泡法对(0.2～2.0)μm的Al、Au溅射薄膜进行剥离,分析了光刻胶厚度和薄膜厚度与剥离图形的关系,对剥离过程中氯苯浸泡工艺以及溅射工艺对剥离图形的影响进行了研究,并在2.0μm厚的Al和Au溅射薄膜上剥离出8.0 μm的缝隙.
于映赵晨罗仲梓翁心桥
串联式射频MEMS开关
一种串联式射频MEMS开关，它解决了现有技术因触点变形弯曲而影响触点与信号线的接触效果的问题，提供一种能保证触点与波导能够稳定接触的串联式射频MEMS开关，本实用新型包括：驱动块、触点、固定端、共平面波导，触点由上下二层...
于映罗仲梓
文献传递
PECVD法生长氮化硅工艺的研究被引量：33
2007年
采用了等离子体增强化学气相沉积法(plas-ma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在聚酰亚胺(polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率、氮硅比、残余应力等性能的影响,得到适合制作接触式射频MEMS开关中悬梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件。
吴清鑫陈光红于映罗仲梓
关键词：PECVD氮化硅射频MEMS开关
悬空纳米间隔电极对的制备并应用于单分子电学性质测量被引量：1
2008年
将普通光刻技术和电化学技术相结合,在微芯片上制备得到了机械可控断裂结法(MCBJ)所需的悬空纳米间隔金属电极对,并分别用热氧化二氧化硅和聚酰亚胺(PI)作为牺牲层使得电极对悬空,明显提高了可控断裂的实验成功率,并延长了微芯片使用寿命。利用分子自组装和MCBJ方法成功构筑了金属/分子/金属结,并实施了对巯基苯胺(BDT)单分子的电学性质测量,得到了BDF的电导值和I-V特性曲线。
杨扬田景华罗仲梓吴孙桃田中群
关键词：分子电子学牺牲层微加工
集成电路反剥离光刻方法
集成电路反剥离光刻方法，涉及一种集成电路光刻方法，尤其是涉及一种采用改进的反剥离工艺的集成电路光刻方法。提供一种改进的集成电路反剥离光刻方法。其步骤为在硅片表面先后涂增粘剂层和反转光刻胶层后烘胶，烘胶后在硅片表面再次涂反...
钟灿林凡李静吴孙桃罗仲梓
文献传递
微机电系统(MEMS)中薄膜力学性能的研究被引量：1
2007年
主要介绍微机电系统(MEMS)中几种测量薄膜力学性能的方法,如纳米压入法、单轴拉伸法、基底弯曲法、微旋转结构法,比较了各种方法的优缺点。这对MEMS器件的设计与研究具有重要意义。
陈光红吴清鑫于映罗仲梓
关键词：力学性能MEMS
集成电路反剥离光刻方法
集成电路反剥离光刻方法，涉及一种集成电路光刻方法，尤其是涉及一种采用改进的反剥离工艺的集成电路光刻方法。提供一种改进的集成电路反剥离光刻方法。其步骤为在硅片表面先后涂增粘剂层和反转光刻胶层后烘胶，烘胶后在硅片表面再次涂反...
钟灿林凡李静吴孙桃罗仲梓
文献传递
红外微腔探测器中金属支撑柱的制备工艺研究
2008年
基于一般正胶光刻工艺的剥离工艺，所需胶膜的厚度要大大超过剥离薄膜的厚度.这样在剥离线宽小、厚度大的微腔结构探测器的金属互连柱图形时就会存在光刻分辨率低、剥离难的问题.本文重点研究了基于AZ5214E光刻胶图像反转性能的剥离工艺，对图像反转光刻所特有的反转烘、掩模曝光、泛曝光工艺条件进行了详细的对比实验.结果表明：当反转烘温度为96-98℃，第一次掩模曝光时间和泛曝光时间分别为8.1 s、8.4 s时，可以得到较好的光刻图形.通过电子束蒸发Ti，成功剥离出高2.40μm、面积3.0μm×3.0μm的Ti微互连柱.此工艺的优点在于分辨率高，胶膜与剥离薄膜的厚度比接近1时，也能剥离出所要图形，可以用于制备MEMS微腔器件中的微互连柱.
何熙陈松岩方辉罗仲梓谷丹丹
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