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陈晨龙: 作品数：13 被引量：5H指数：2; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

双轨道太阳同步跟踪装置: 一种双轨道太阳同步跟踪装置，包括：一个平行于地面的圆形导轨；一方形转动架，该方形转动架的下面装有滚轮，该方形转动架位于圆形导轨的上方，该方形转动架的滚轮与圆形导轨配合，该方形转动架的上面安装有导轮；一圆弧形转动架，该圆弧...; 陈诺夫吴金良陈晨龙董毅; 文献传递

在镓砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法: 一种在砷化镓衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：用石墨或石英制成生长容器；步骤3：根据液相外延的原理，将含有铟、锑和砷的源按原子数比配制成生长母源并将它们放入生长容...; 彭长涛陈诺夫吴金良陈晨龙; 文献传递

聚光太阳能电池的跟踪太阳装置及其方法: 本发明涉及跟踪装置技术领域，特别是一种聚光型太阳能电池的跟踪装置及其方法。1)在太阳转动平面上通过转动装置控制，实现太阳转动平面上对太阳的同步跟踪；2)通过在转轴方向平移太阳电池板或平移粘有光学透镜的聚光面板来实现对太阳...; 陈晨龙陈诺夫吴金良; 文献传递

在镓砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法: 一种在砷化镓衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：用石墨或石英制成生长容器；步骤3：根据液相外延的原理，将含有铟、锑和砷的源按原子数比配制成生长母源并将它们放入生长容...; 彭长涛陈诺夫吴金良陈晨龙; 文献传递

制备稀磁半导体Ga1－xMnxSb单晶的方法: 一种制备稀磁半导体Ga1－xMnxSb单晶的方法，其特征在于，步骤如下：以半导体材料GaSb为衬底；以高能Mn离子注入到该衬底上形成磁性半导体Ga1－xM...; 陈晨龙陈诺夫吴金良; 文献传递

低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si∶Fe固溶体被引量：2: 2004年; 利用质量分离的低能离子束方法 ,以离子能量为 1 0 0 0 e V,剂量为 3× 1 0 1 7cm- 2 ,室温下往 p型 Si(1 1 1 )单晶衬底注入 Fe离子 ,注入的样品在 4 0 0℃真空下进行热处理 .俄歇电子能谱法 (AES)对原位注入样品深度分析表明 Fe离子浅注入到 p型 Si单晶衬底 ,注入深度约为 4 2 nm.X射线衍射法 (XRD)对热处理样品结构分析发现只有 Si衬底的衍射峰 ,没有其他新相 .X射线光电子能谱法 (XPS)对热处理样品表面分析发现 Fe2 p束缚能对应于单质 Fe的峰 ,没有形成 Fe的硅化物 .这些结果表明重掺杂 Fe的 Si∶ Fe固溶体被制备 .电化学 C- V法测量了热处理后样品载流子浓度随深度的分布 ,发现 Fe重掺杂 Si致使 Si的导电类型从 p型转为 n型 ,Si∶ Fe固溶体和 Si衬底形成 pn结。; 刘力锋陈诺夫张富强陈晨龙李艳丽杨少延刘志凯; 关键词：硅低能离子束重掺杂

低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜被引量：2: 2004年; 利用质量分离的低能离子束技术 ,获得了Fe组分渐变的Fe Si薄膜。利用俄歇电子能谱法 (AES)、X射线衍射法 (XRD)以及X射线光电子能谱法 (XPS)测试了薄膜的组分、结构特性。测试结果表明 ,在室温下制备的Fe Si薄膜呈非晶态。非晶薄膜在 40 0℃下退火 2 0min后晶化 ,没有Fe的硅化物相形成。退火后Fe Si薄膜的Fe组分从表面向内部逐渐降低。; 刘力锋陈诺夫张富强陈晨龙李艳丽杨少延刘志凯; 关键词：低能离子束硅铁

磁性半导体镓锰锑单晶热平衡生长方法: 一种磁性半导体镓锰锑单晶热平衡生长方法，包括如下步骤：步骤1：以锑化镓单晶片为衬底；步骤2：用石墨或石英制成生长容器；步骤3：将纯镓、纯锰按比例放在石英容器中，在真空高温环境中合成镓锰合金；步骤4：将纯镓、镓锰合金和锑化...; 陈晨龙陈诺夫吴金良; 文献传递

低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜被引量：2: 2004年; 　利用质量分离的低能离子束技术,获得了磁性Fe Si合金薄膜。利用俄歇电子能谱法(AES)、X射线衍射法(XRD)以及交变梯度样品磁强计(AGM)测试了样品的组分、结构以及磁特性。测试结果表明在室温下制备的Fe Si合金是Fe组分渐变的非晶薄膜,具有室温铁磁性。当衬底温度为300℃时制备的非晶Fe Si薄膜中有Fe硅化物FeSi相产生,样品的铁磁性被抑制。; 刘力锋陈诺夫张富强陈晨龙李艳丽杨少延刘志凯; 关键词：低能离子束硅铁磁性磁性半导体