于福聚
- 作品数：8 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- Hg_(1-x)Cd_xTe-HgTe超晶格的结构研究
- 2000年
- 红外技术正在从机械扫描成像系统向新一代固体成像系统过渡。Hg1 xCdxTe红外焦平面列阵器件是最佳选择。它的禁带宽度随组分在 0～ 1 .6eV之间可调 ,也就是说 ,它可做成多种响应波长的红外探测器 ,而且其探测率要比GaAs量子阱、InSb都要高出一个多数量级。当然Hg1 xCdxTe材料也有某些缺点 ,例如难以做到大面积结构完整、组分均匀 ,难以控制其截止波长 ,并且暗电流较大等。与Hg1 xCdxTe体材料相比 ,Hg1 xCdxTe HgTe超晶格可以通过调节HgTe层和Hg1 xCdxTe层的相应厚度来控制其截止波长 ,而且还有暗电流小等优点。因此Hg1 xCdxTe HgTe超晶格材料不仅在研制长波和超长波红外量子阱探测器方面有潜在优势 ,而且在研制MIS红外器件方面也显示出优越性 (Hg1 xCdxTe HgTe超晶格MIS器件的击穿电压比Hg1 xCdxTe体材料MIS器件的还高 )。Fauriep和Becker等人对Hg1 xCdxTe HgTe超晶格的制备工艺进行了研究 ,Tardotp等人研究了CdTe HgTe超晶体中Hg和Cd的互扩散 ,而且Hg1 xCdTe -HgTe的结构特征和光电特性的研究引起了广泛关注。研究MBE法生长的Hg1 xCdxTe HgTe超晶格的结构特征 ,可弄清结构缺陷的生长机制和分布规律 ,并有助于研究晶体生长的机理。本文介绍了用X射线衍射测定Hg1 xCdxTe HgTe超晶格样品在 ( 0 0 2 )附近?
- 于福聚
- 关键词：分子束外延生长
- CdZnTe晶片中的Zn组分的研究被引量：5
- 1999年
- 用X 射线双晶衍射、光致发光谱和红外透射光谱研究了CdZnTe 晶体中的Zn 的组分.研究表明透射光谱的Syllaios经验公式结果与X 射线双晶衍射和光致发光谱精确测量结果对比,偏差小于4% .透射光谱可以做为测量Zn
- 黄根生张小平常勇于福聚杨建荣何力
- 关键词：CDZNTE光致发光谱锌晶片半导体
- 化学腐蚀对锑化铟表面的影响被引量：2
- 1984年
- 测量与分析表明,锑化铟晶片的表面状况与化学腐蚀密切相关,起因于腐蚀液对表面的择优腐蚀及氧化。讨论了制备高性能器件的合理腐蚀步骤。
- 于福聚张月琴
- 关键词：俄歇电子带电粒子化学腐蚀光电子能谱仪锑化物锑化铟
- (112)面CdTe/Cd_(1-y)Zn_yTe,Hg_(1-x)Cd_xTe/CdTe和CdTe/GaAs异质结的方向倾斜
- 2001年
- 用 X射线双晶衍射 ( XDCD)法测得分子束外延 ( MBE)法生长的 Cd Te/ Cd0 .959Zn0 .0 4 1 Te( 112 ) B异质结的倾斜角为 0 .2 185°,而且朝 [1- 1- 1]晶体学方向倾斜 .为了获得较精确的倾斜角值 ,绘制了外延层和衬底衍射角的差值Δθ与绕样品表面法线旋转的角度 之间的准正弦函数 .为高分辨率透射电子显微镜 ( HRTEM)分析制备了 MBE法生长的 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te/ Ga As( 1- 12 ) B多层异质结的横截面薄膜 .Cd Te/ Ga As异质结的 HRTEM明场象表明 Cd Te( 1- 12 )缓冲层相对于 Ga As( 1- 12 )衬底朝 [1- 11- ]方向倾斜约 3°,并且在 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te异质结 ,Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te( 1- 12 )外延膜相对于 Cd Te( 1- 12 )缓冲层在 [11- 1]方向 ,即 [1- 11- ]的反方向倾斜约 1°.也分析了 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te/ Ga As多层膜之间的倾斜角关系 .
- 刘义族于福聚
- 关键词：分子束外延法异质结失配位错
- Hg_(1-x)Cd_xTe多层薄膜材料结构缺陷的透射电子显微镜测定
- 1998年
- 用透射电镜对Ｈｇ１－ｘＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ和ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ两种异质结的横截面进行了观测分析，对异质结附近的某些结构缺陷，如微孪晶的尺寸、几何形态、层错、界面失配位错的组态特征进行了研究，并对多层膜之间的取向差进行了分析。说明在ＧａＡｓ衬底上用分子束外延法制备的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ多层膜，就大量结构缺陷而言，ＣｄＴｅ缓冲层对Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延层起到了屏障作用。在Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ／ＣｄＴｅ和ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ异质结之间所存在的生长取向差分别取决于其两者间的晶格失配度，一般说来，晶格失配度越大两者间的生长取向差就越大。另外，对ＣｄＴｅ缓冲层中堆垛层错和孪晶的相互作用也进行了讨论。
- 于福聚
- 关键词：碲镉汞碲化镉砷化镓
- Ｈｇ<,1-x>Ｃｄ<,x>Ｔｅ异质结质量的评估
- 于福聚
- 关键词：外延层异质结
- GaAs(001)衬底上经双缓冲层生长的Hg_(1-x)Cd_xTe-HgTe超晶格结构被引量：1
- 2001年
- 用 X-射线衍射测定了分子束外延 ( MBE)法生长的 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格样品在 ( 0 0 1 )附近的扫描徊摆曲线 ,并用动力学理论模拟计算出衍射曲线 ,实验曲线与理论计算基本上相符合 .由实验衍射曲线计算出的超晶格周期长度 ,阱 Hg Te层厚度及垒 Hg1-x Cdx Te层厚度与模拟计算的相一致 .用透射电子显微镜 ( TEM)对同一样品的横截面进行了分析 ,对 Cd Te/Zn Te/Ga As异质结界面失配位错的组态特征进行了研究 .证明用 Cd Te/Zn Te作为双缓冲层比单一的 Cd Te有较好的效果 .截面 TEM高分辨率明场象显示 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格的生长较为成功 ,界面较为平整 .由截面 TEM高分辨率明场象观测的周期长度与
- 刘义族于福聚
- 关键词：分子束外延法晶格结构
- 分子束外延法生长的CdTe/Cd1-yZnyTe，Hg1-xCdxTe/CdTe和CdTe/GaAs异质结的倾斜角
- 用 X 射线双晶衍射(XDCD)法测得分子束外延(MBE)法生长的 CdTe/CdZnTe(112)B 异质结的倾斜角为0．2185°,而且朝[111]晶体学方向倾斜。为了获得最佳倾斜角的值,绘制了外延层和衬底衍射角的差...
- 于福聚
- 文献传递
