黄根生
- 作品数：9 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 碲镉汞液相外延薄膜生长技术与性能被引量：2
- 2000年
- 用液相外延的方法在 Cd Zn Te衬底上生长 Hg1 - x Cdx Te材料 ,获得了表面形貌好 ,位错密度低 ,组份均匀的碲镉汞外延材料 ,生长工艺对材料的参数控制有较好的重复性 .外延材料经热处理后 ,材料的 P型和 N型电学参数都达到较好的水平 。
- 黄根生陈新强杨建荣何力
- 关键词：液相外延电学参数碲镉汞薄膜生长
- CdZnTe晶片中的Zn组分的研究被引量：5
- 1999年
- 用X 射线双晶衍射、光致发光谱和红外透射光谱研究了CdZnTe 晶体中的Zn 的组分.研究表明透射光谱的Syllaios经验公式结果与X 射线双晶衍射和光致发光谱精确测量结果对比,偏差小于4% .透射光谱可以做为测量Zn
- 黄根生张小平常勇于福聚杨建荣何力
- 关键词：CDZNTE光致发光谱锌晶片半导体
- Cd_(1-x)Zn_xTe晶片中Zn组分的室温显微光致发光平面扫描表征被引量：1
- 2001年
- 用显微光致发光 (μ- PL)平面扫描的方法对 Cd Zn Te(CZT)晶片进行了研究 .分别在 19μm× 16 μm的缺陷区域进行微米尺度和 7.9mm× 6 .0 mm的大面积范围内进行毫米尺度的逐点 PL 测量 .对测得每一点的 PL 谱进行了拟合 ,得到测量点的禁带宽度等参数 ,其平面分布对应于 CZT中 Zn的组分分布 .统计的结果给出禁带宽度的不均匀性 .对样品进行溴抛光后重复类似的测量 ,结果表明禁带宽度的均匀性大为改善 。
- 李志锋陆卫蔡炜颖黄根生杨建荣何力沈学础
- 关键词：CDZNTE晶片
- MOVPE生长AlAs/GaAs Bragg反射膜被引量：1
- 1998年
- 采用常压金属有机物气相沉积法生长ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ周期性反射膜，并利用双晶Ｘ射线衍射、扫描电子显微镜和记录式分光光度计等分析手段，对材料结构及光学性质进行了分析。实验结果表明，在７８０℃连续生长的薄膜结构和晶体质量都很好，但是反射率低；通过模拟计算，连续生长存在渐变层，而渐变层大大降低了反射率；在同样生长条件下间断生长得到较高反射率的薄膜材料。
- 黄根生王成新黄柏标崔得良高善民秦晓燕于淑琴
- 关键词：砷化镓砷化铝晶体生长MOVPE
- MBE HgCdTe薄膜的红外光致发光
- 常勇王晓光黄根生唐文国何力褚君浩
- 关键词：MBEHGCDTE薄膜红外光致发光
- p型碲镉汞液相外延材料Ag掺杂的研究被引量：2
- 2002年
- 利用SIMS和变温霍尔测量手段对 p型Hg0 .77Cd0 .2 3 Te液相外延材料的Ag掺杂技术、机理及掺杂碲镉汞材料的性能进行了研究 .结果表明采用AgNO3 溶液直接浸泡方式对该材料进行掺Ag是成功的 ,掺杂浓度与被掺杂材料中的汞空位浓度是一致的 ,掺杂后 ,p型碲镉汞材料的受主能级比掺杂前有明显的减小 。
- 俞谦荣杨建荣黄根生陈新强夏义本何力
- 关键词：二次离子质谱电学性质银掺杂红外探测器液相外延材料AG掺杂
- 开管式碲镉汞外延材料热处理方法
- 本发明公开了一种开管式HgTe源碲镉汞外延材料热处理方法,热处理所需的稳定的汞蒸气压采用石墨盒的结构来提供,石墨盒也可通过改进液相外延的石墨舟来实现,开管工艺为材料的批量生产化提供了一种途径。用该工艺进行空穴导电型热处理...
- 杨建荣陈新强黄根生何力
- 文献传递
- MBE生长的HgCdTe材料B离子注入特性研究
- 1999年
- 用剥层霍耳测量分析了ＭＢＥ生长ＨｇＣｄＴｅ薄膜的Ｂ离子注入的电学特性，测量了薄膜材料的载流子浓度和迁移率分布．当剥层腐蚀到结区，结区增透引起红外透射光谱的峰值提高．
- 黄根生姬荣斌方维政杨建荣陈新强何力
- 关键词：MBE汞镉碲
- 开管式碲镉汞外延材料热处理方法
- 本发明公开了一种开管式HgTe源碲镉汞外延材料热处理方法，热处理所需的稳定的汞蒸气压采用石墨盒的结构来提供，石墨盒也可通过改进液相外延的石墨舟来实现，开管工艺为材料的批量生产化提供了一种途径。用该工艺进行空穴导电型热处理...
- 杨建荣陈新强黄根生何力
- 文献传递
