刘伟鑫
- 作品数：10 被引量：22H指数：3
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- 相关领域：电子电信航空宇航科学技术核科学技术更多>>
- 典型石英钟振的电离辐射效应
- 2015年
- 利用60Coγ-射线源研究宇航用典型石英钟振及其内部SM5009型振荡电路的电离辐射效应,测试辐照条件下钟振输出信号幅度、电源和电流等参数变化情况,分析这些参数变化与振荡电路失效之间的关系。结果表明,辐照条件下SM5009的场氧漏电较为严重,受照剂量达1500 Gy(Si)时,其漏电流增大至10-4A量级,这是导致辐照条件下钟振功耗电流增大的主要原因。同时SM5009的输出高电平对受照剂量较为敏感,当受照剂量达1500 Gy(Si)时,输出高电平下降约0.5 V,导致钟振输出信号峰峰值随受照剂量的增加而下降。
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- 关键词：电离辐射效应振荡电路
- 宇航用SRAM存储器单粒子效应试验研究被引量：3
- 2013年
- 用高能重离子加速器对宇航用典型静态随机(SRAM)存储器进行了单粒子效应模拟试验研究。给出了测试系统、试验样品、辐射源、试验方法及条件,以及所得单位注量重离子引起的单粒子翻转发生次数-线性能量传输值(σ-LET)曲线。讨论了重离子单粒子翻转率预估方法和FOM法,并用后者预估了典型GEO轨道上器件的空间单粒子翻转率。
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- 关键词：单粒子效应
- 低成本和商业卫星元器件抗辐射保证流程研究被引量：7
- 2020年
- 为严格控制低成本卫星和商业卫星的研制成本,并缩短研制周期,有效手段之一是采用工业级器件、普军级器件,甚至是商用货架(Commercial Off-The-Shelf,COTS)器件。但是,研制成本与空间辐射环境适应性之间的矛盾是低等级器件和COTS器件在空间应用时需解决的主要问题。在分析低成本卫星和商业卫星空间辐射环境的基础上,结合NASA、ESA对低等级器件提出的评估筛选标准,思考了低成本卫星和商业卫星用电子器件抗辐射加固保证流程,为后续制定低成本卫星用元器件质量保证体系和大纲提供支撑。
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- 关键词：商业卫星
- 典型VDMOSFET单粒子效应及电离总剂量效应研究被引量：4
- 2012年
- 利用252Cf源和60Coγ射线源对典型VDMOSFET进行单粒子效应和电离总剂量效应模拟试验,给出典型VDMOSFET的单粒子烧毁(SEB)、单粒子栅穿(SEGR)效应测量结果以及不同偏置条件下漏源击穿电压随辐照剂量的变化情况。结果表明,VDMOSFET对SEB和SEGR效应以及VDMOSFET漏源击穿电压对电离总剂量效应比较敏感,空间应用时需重点考虑VDMOSFET的抗SEB和SEGR能力;考核VDMOSFET的抗电离总剂量效应能力时对阈值电压和击穿电压等敏感参数应重点关注。
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- 关键词：VDMOSFET单粒子烧毁
- 星载DC-DC电源转换器总剂量辐射损伤效应研究被引量：2
- 2011年
- 对低功率、双输出型DC-DC电源转换器60 Coγ辐照后的总剂量辐射损伤及辐照后退火效应进行研究。探讨了器件在不同负载、不同输入电压条件下输入电流Iin、正路/负路输出电压Vout、正路输出电流Iout、抑制模式下的输入电流Iinhibit等参数随总剂量、退火时间的变化关系。实验结果表明:虽然同为小功率器件(DVHF2812DF与DVTR2815DF),但抗总剂量辐射能力有所差异,这与以往结果不同;由于氧化物正电荷的累积,在追加辐照时器件参数发生很大变化;满功率负载条件下器件的电参数随总剂量变化明显;抑制模式下输入电流可作为一评估器件抗辐射能力的敏感参数。
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- 关键词：退火效应
- 星用微处理器抗单粒子翻转可靠性预示研究被引量：2
- 2010年
- 运用程序占空比概念,对星用微处理器动态和静态单粒子翻转率之间的关系进行了研究,实现了星用微处理器动态单粒子翻转率的预示。将星用微处理器在轨运行期间满足单粒子翻转指标要求的概率与单粒子翻转率和飞行寿命联系起来,探讨了器件级和系统级的星用微处理器抗单粒子翻转可靠性预示方法。
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- 关键词：单粒子翻转率
- 基于扫描聚焦XPS技术的InGaAs表面清洁研究被引量：3
- 2021年
- 为了获得清洁度更高的InGaAs材料表面,利用氢氟酸溶液、盐酸与水的混合溶液、盐酸与异丙醇的混合溶液,研究了化学清洗方法对材料表面碳污染物和氧化物的去除效果,并在此基础上提出了一种与紫外臭氧清洗相结合的方法。利用扫描聚焦X射线光电子能谱技术,对不同方法清洗后的InGaAs样品表面进行分析,基于样品表面产生的二次电子图像,对表面进行了微区特征分析,精准检测了表面化学成分和表面被腐蚀程度。分析发现,基于氢氟酸溶液的刻蚀会严重腐蚀样品表面,破坏表面结构和成分,而结合了紫外臭氧清洗的基于盐酸和异丙醇混合溶液的刻蚀对样品表面具有更好的清洁效果,能够更好地去除表面的碳污染物和氧化物。
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- 关键词：表面污染化学清洗
- 典型光电器件^60Coγ射线辐照试验研究被引量：1
- 2010年
- 用60Coγ射线对GaAlAs异质结红外发光二极管OP224和NPN型Si光电三极管OP604进行了电离辐照试验,分析了试验器件在60Coγ射线辐照下氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷的积累效应。结果表明,随着辐照累积剂量的增加,OP224正向电流的最大值逐渐下降,红外光强度逐渐衰减;OP604的暗电流逐渐增大,光电流逐渐下降。
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- 关键词：光电器件电离辐照效应
- 典型DC／DC电源变换器电离辐射效应研究被引量：1
- 2011年
- 研究了典型DC/DC电源变换器辐照后不同输出负载、不同输入电压等测试条件下,DC/DC电源变换器输出电压等参数变化情况与辐照剂量之间的关系。研究结果表明,DC/DC电源变换器输出电压衰减程度随输出负载功率增大;输入电压变化对输出电压特性的影响程度较小。
- 刘伟鑫宣明王昆黍吾勤之
- 关键词：DC/DC电源变换器电离辐射效应输入电压
- 典型石英晶体振荡器电离辐射效应研究
- 本文研究了典型钟振的电离辐射效应,给出了辐照后典型钟振输出信号幅度、频率、电源电流等参数变化情况与辐照剂量的关系,并分析了这些参数变化与石英晶振内部振荡电路失效之间的关系。研究结果表明,辐照条件下钟振输出信号幅度降低、电...
- 刘伟鑫吾勤之王昆黍宣明
- 关键词：电离辐射效应振荡电路
- 文献传递
