楼建设
- 作品数：5 被引量：17H指数：3
- 供职机构：上海航天技术研究院更多>>
- 相关领域：电子电信航空宇航科学技术自动化与计算机技术更多>>
- 一种功率运算放大器失效机理的研究
- 2020年
- 对一种功率运算放大器的失效问题进行了研究并分析了失效机理。功率运算放大器在测试时发生失效,同时,-20 V供电电源电压在加电过程中存在波动。通过内部目检发现失效芯片内部驱动晶体管及相连的金属均存在过流烧毁形貌。对失效功率运算放大器和良好功率运算放大器进行红外热成像分析,失效器件的温升总体比台温高10℃。通过失效分析,供电电源发生快速突跳导致了功率运算放大器内的晶体管在导通和关断之间快速切换形成热量累积效应,从而导致器件烧毁,造成功率运算放大器过流失效。对电源输出波形异常原因进行分析,电源限流过小导致电源电压降低,从而造成加电时快速突跳。最后,搭建测试电路对功率运算放大器进行复现实验,进一步证明了器件的失效机理。
- 廉鹏飞孔泽斌陈倩杨洋李娟祝伟明楼建设王昆黍
- 关键词：功率运算放大器电源过流限流
- 卫星用典型SRAM存储器空间辐射效应及模拟试验方法研究
- SRAM存储器是卫星电子系统的核心部件,开展SRAM存储器的空间辐射效应研究及抗辐射性能评估对于保证卫星在轨可靠运行具有重要意义。而国内现有方法一般只能对SRAM存储器的抗辐射性能作出定性判断,较难单独研究SRAM存储器...
- 楼建设
- 关键词：单粒子效应
- 文献传递
- 典型VDMOSFET单粒子效应及电离总剂量效应研究被引量：5
- 2012年
- 利用252Cf源和60Coγ射线源对典型VDMOSFET进行单粒子效应和电离总剂量效应模拟试验,给出典型VDMOSFET的单粒子烧毁(SEB)、单粒子栅穿(SEGR)效应测量结果以及不同偏置条件下漏源击穿电压随辐照剂量的变化情况。结果表明,VDMOSFET对SEB和SEGR效应以及VDMOSFET漏源击穿电压对电离总剂量效应比较敏感,空间应用时需重点考虑VDMOSFET的抗SEB和SEGR能力;考核VDMOSFET的抗电离总剂量效应能力时对阈值电压和击穿电压等敏感参数应重点关注。
- 楼建设蔡楠王佳刘伟鑫吾勤之
- 关键词：VDMOSFET单粒子烧毁
- NMOS晶体管沟道边缘电离辐射寄生漏电
- 2013年
- 对典型MOS器件的沟道边缘电离辐射寄生漏电进行了研究。给出了电离辐射条件下不同辐照剂量、辐照偏置、栅结构、沟道尺寸的典型NMOS晶体管电流-电压(I-V)特性曲线,并对试验现象进行了数值模拟分析。研究结果表明:NMOS晶体管的沟道边缘寄生漏电主要是由电离辐射感生氧化物陷阱电荷在场氧化层中积累造成的;截止辐照偏置下的寄生漏电明显小于导通偏置;与梳形栅和蛇形栅相比,环形栅结构未出现寄生漏电;NMOS晶体管沟道长度越小,寄生漏电就越严重。
- 楼建设宣明刘伟鑫吾勤之
- 关键词：NMOS晶体管电离辐射效应
- 低成本和商业卫星元器件抗辐射保证流程研究被引量：9
- 2020年
- 为严格控制低成本卫星和商业卫星的研制成本,并缩短研制周期,有效手段之一是采用工业级器件、普军级器件,甚至是商用货架(Commercial Off-The-Shelf,COTS)器件。但是,研制成本与空间辐射环境适应性之间的矛盾是低等级器件和COTS器件在空间应用时需解决的主要问题。在分析低成本卫星和商业卫星空间辐射环境的基础上,结合NASA、ESA对低等级器件提出的评估筛选标准,思考了低成本卫星和商业卫星用电子器件抗辐射加固保证流程,为后续制定低成本卫星用元器件质量保证体系和大纲提供支撑。
- 刘伟鑫汪波马林东楼建设孔泽斌曾英廉王昆黍
- 关键词：商业卫星
