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常桂钦
作品数:
45
被引量:32
H指数:3
供职机构:
株洲南车时代电气股份有限公司
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相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
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文化科学
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合作作者
彭勇殿
电力电子器件湖南省重点实验室湖...
方杰
电力电子器件湖南省重点实验室湖...
刘国友
株洲南车时代电气股份有限公司
肖红秀
株洲南车时代电气股份有限公司
曾雄
株洲南车时代电气股份有限公司
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常桂钦
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一种功率半导体模块
本申请公开了一种功率半导体模块,包括:相对设置的外壳上盖和外壳底座,所述外壳底座设置有多个定位凸台;设置在所述外壳上盖和所述外壳底座之间的整体定位装置,所述整体定位装置设置有与所述定位凸台的数目相同且位置相同的定位方格。...
刘国友
李继鲁
窦泽春
刘可安
黄建伟
彭勇殿
常桂钦
方杰
肖红秀
文献传递
焊层空洞对IGBT模块热应力的影响
被引量:14
2014年
焊层空洞是造成IGBT模块散热不良和疲劳失效的主要原因之一。考虑芯片场环区的影响,建立了IGBT模块封装结构的三维有限元模型;研究了不同焊层厚度、焊层空洞率和空洞位置对模块最高结温与最大等效应力的影响;探讨了焊层空洞对模块瞬态热阻抗的影响。
吴煜东
常桂钦
彭勇殿
方杰
唐龙谷
李继鲁
关键词:
IGBT模块
空洞率
热分析
应力分析
一种IGBT衬板结构
本发明公开了一种IGBT衬板结构,包括衬板以及设置于衬板上的衬板门极电路、IGBT芯片、FRD芯片和母排接焊区,所述衬板门极电路位于衬板上的两侧,所述母排接焊区位于衬板的中部区域,所述IGBT芯片、FRD芯片位于母排接焊...
常桂钦
彭勇殿
吴煜东
李继鲁
方杰
周望君
贺新强
文献传递
功率半导体器件子模组
本发明涉及一种功率半导体器件子模组,包括:导电组件,导电组件包括第一导电体,与第一导电体相对设置的第二导电体,以及叠置于第一导电体与第二导电体之间的芯片,容纳导电组件的夹持组件,夹持组件能向第一导电体以及第二导电体施加沿...
李继鲁
窦泽春
刘国友
彭勇殿
方杰
常桂钦
肖红秀
文献传递
压接式半导体模块及其制作方法
本发明公开了一种压接式半导体模块及其制作方法,模块包括:半导体芯片、上钼片、下钼片、管盖、底座、栅极引出端、PCB和引线。半导体芯片包括IGBT(或MOSFET)芯片,下钼片采用大钼圆片或单个子钼片或若干个子钼片的组合。...
方杰
李继鲁
窦泽春
肖红秀
常桂钦
彭勇殿
刘国友
文献传递
一体化门极电阻布局的大功率IGBT模块
本发明公开了一种一体化门极电阻布局的大功率IGBT模块,包括PCB板、母排以及衬板,所述衬板与PCB板通过门极弹簧线相连,所述PCB板上直接焊接有门极电阻。本发明具有结构简单紧凑、成本低廉、能够提高门极电阻焊接工艺效率、...
常桂钦
彭勇殿
李继鲁
吴煜东
文献传递
一种功率模块焊接装置
本发明提供了一种功率模块焊接装置,包括用于将焊片定位安装于基板上的定位工装,所述定位工装包括安装本体及与焊片形状对应的焊片安装区,所述焊片安装区由安装本体围成,所述安装本体包括多组隔片,多组所述隔片沿基板的长度方向分段设...
方杰
赵德良
曾雄
彭勇殿
常桂钦
窦泽春
李继鲁
莫若
刘国友
文献传递
压接式绝缘栅双极型晶体管
本发明涉及一种压接式绝缘栅双极型晶体管,包括壳体,以及设置在所述壳体内且沿第一方向依次布置的发射极、电路板、模块定位件、钼板和集电极,其中在模块定位件上开设有多个定位孔,在各定位孔内沿第一方向依次设有钼块、芯片和固定设在...
李继鲁
窦泽春
方杰
常桂钦
肖红秀
彭勇殿
刘国友
文献传递
基于内冷却散热的平板型功率器件封装结构
本发明公开了一种基于内冷却散热的平板型功率器件封装结构,它包括芯片、钼片、门极和外壳组件,所述外壳组件包括外壳和电极铜块,所述电极铜块的周侧设置用来导热绝缘的散热体组件,所述散热体组件呈包裹状围绕在电极铜块的周侧。本发明...
李继鲁
方杰
常桂钦
贺新强
曾雄
彭明宇
彭勇殿
颜骥
文献传递
一种芯片焊接方法
本发明公开了一种芯片焊接方法,该方法包括:根据芯片的焊接位置,在衬板的相应位置处设置键合引线,以在衬板上确定出焊片和芯片的定位区域;将焊片放入定位区域中;将芯片放入定位区域中,使得芯片覆盖在相应的焊片上;采用预设焊接工艺...
曾雄
李寒
常桂钦
方杰
彭勇殿
李继鲁
贺新强
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