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刘国友

作品数：193 被引量：223H指数：12
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术交通运输工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 164篇专利
  • 23篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇科技成果
  • 1篇标准

领域

  • 37篇电子电信
  • 6篇电气工程
  • 6篇自动化与计算...
  • 4篇机械工程
  • 4篇交通运输工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇文化科学
  • 1篇历史地理
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 52篇芯片
  • 35篇IGBT
  • 27篇半导体
  • 26篇封装
  • 20篇槽栅
  • 19篇元胞
  • 18篇极区
  • 17篇IGBT模块
  • 16篇电感
  • 16篇集电极
  • 15篇半导体器件
  • 14篇多晶
  • 14篇晶闸管
  • 14篇绝缘栅
  • 14篇功率模块
  • 13篇发射极
  • 13篇衬底
  • 12篇退火
  • 12篇晶体管
  • 11篇电极

机构

  • 189篇株洲南车时代...
  • 4篇南车株洲电力...
  • 1篇西安电力电子...
  • 1篇湖北台基半导...

作者

  • 193篇刘国友
  • 106篇黄建伟
  • 73篇覃荣震
  • 45篇罗海辉
  • 36篇戴小平
  • 34篇彭勇殿
  • 29篇吴义伯
  • 27篇常桂钦
  • 25篇方杰
  • 21篇肖红秀
  • 17篇李诚瞻
  • 16篇丁荣军
  • 15篇史晶晶
  • 14篇李世平
  • 14篇刘可安
  • 13篇王彦刚
  • 12篇朱利恒
  • 10篇赵艳黎
  • 10篇徐凝华
  • 9篇张泉

传媒

  • 11篇机车电传动
  • 5篇大功率变流技...
  • 2篇半导体技术
  • 2篇中国电机工程...
  • 2篇变流技术与电...
  • 1篇电网技术
  • 1篇2014`全...

年份

  • 1篇2020
  • 11篇2019
  • 14篇2018
  • 21篇2017
  • 28篇2016
  • 42篇2015
  • 18篇2014
  • 28篇2013
  • 2篇2012
  • 8篇2011
  • 3篇2010
  • 8篇2008
  • 6篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2000
共 193 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
绝缘栅双极晶闸管模块及电极功率端子
本发明提供了一种绝缘栅双极晶闸管模块及电极功率端子，其中，电极功率端子包括，第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极由一多层板构成，所述多层板包括N层电极板，相邻两层电极板之间设置有绝缘板，其中，M层电极板之间通过...
徐凝华刘国友吴义伯窦泽春忻兰苑
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一种快恢复二极管FRD芯片及其制作方法
本发明提供了一种快恢复二极管FRD芯片及其制作方法，所述FRD芯片包括芯片终端保护区，所述芯片终端保护区包括位于所述芯片终端保护区底部的P型掺杂区，所述P型掺杂区与阴极电极接触，且所述P型掺杂区的结深小于N+型阴极区的结...
刘国友覃荣震黄建伟
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晶闸管管芯参数测试模具
本实用新型公开了一种晶闸管管芯参数测试模具，它包括上模具、中模具、下模具，上模具中部设有形状与芯片图形形状一致用于观察芯片图形的通孔，上模具外缘对应其中部芯片图形观察通孔形状锚顶的位置设有一供芯片阴极引出线穿出的管销及用...
贺振卿刘国友李世平
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一种用于电动汽车的功率模块
本发明公开了一种用于电动汽车的功率模块，该功率模块包括：半导体芯片；第一导热板和焊接层，第一导热板通过焊接层与半导体芯片的第一表面上的相应端口连接；第二导热板和金属焊球阵列，第二导热板通过金属焊球阵列与半导体芯片的第二表...
马雅青吴义伯王彦刚李云余军戴小平刘国友
沟槽栅IGBT深槽工艺研究被引量：4
2013年
基于Lam 4420反应离子刻蚀(RIE)设备和Cl2气体开发了适用于沟槽栅IGBT的深槽等离子刻蚀工艺。通过调整HBr、O2和SF6等添加气体含量得到了无底切、底角圆滑、槽壁斜度3°左右、深度6μm的沟槽;通过系统优化气体流量、气压、电极间距和RF功率等工艺参数,得到了<5%的硅片内不均匀性,刻蚀速率可达800 nm/min。在完成CF4/Ar刻蚀和牺牲氧化等后续工艺后,槽型得到进一步改善。
罗海辉黄建伟Ian Deviny刘国友
关键词：等离子刻蚀CL2
一种功率器件及其制作方法
本发明公开了一种功率器件及其制作方法，功率器件包括：N阱、N‑衬底、P‑基区、多晶硅栅、N+源极区、P+欧姆接触区、发射极金属电极和栅氧化层，功率器件采用沟槽栅结构。功率器件还包括P阱，N+源极区、P‑基区、N阱、P阱从...
刘国友覃荣震黄建伟张泉朱利恒戴小平
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一种功率半导体器件及其制作方法
本发明公开了一种功率半导体器件及其制作方法，功率半导体器件包括：P‑基区、N‑衬底、N阱、多晶硅栅、N+源极区、P+欧姆接触区、发射极金属电极和栅氧化层，功率半导体器件采用沟槽栅结构。沟槽栅结构的沟槽具有第一深度和第二深...
刘国友覃荣震黄建伟张泉朱利恒戴小平
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功率半导体芯片的铜金属化结构及其制备方法
本发明提供了一种功率半导体芯片的铜金属化结构及其制备方法，所述铜金属化结构包括依次位于衬底上方的阻挡层、籽铜层和铜金属化层，还包括：增强层；其中，所述增强层位于所述籽铜层和所述铜金属化层之间；或者，所述增强层位于所述阻挡...
刘国友覃荣震黄建伟
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一种逆导IGBT芯片及其制备方法
本发明提供了一种逆导IGBT芯片及其制备方法。该逆导IGBT芯片包括第一导电类型衬底、位于所述衬底第一表面之上的第一表面结构和位于衬底第二表面之上的第二表面结构。所述第一表面结构包括，位于所述衬底第一子表面上的IGBT区...
刘国友覃荣震黄建伟
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功率电子模块封装用外壳及具有该外壳的功率电子模块
本发明公开了一种功率电子模块封装用外壳及具有该外壳的功率电子模块，所述外壳包括：主体框，形成于主体框上的一个以上的卡槽，一个以上与卡槽数量相对应的插条，插条上设置有锁定机构。预弯曲结构的功率端子设置在卡槽内，插条插接在卡...
刘国友吴义伯戴小平王彦刚李道辉
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