您的位置： 专家智库 > >

罗海辉

作品数：62 被引量：30H指数：4
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 55篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 14篇电子电信
  • 2篇化学工程

主题

  • 21篇IGBT
  • 19篇半导体
  • 15篇芯片
  • 12篇槽栅
  • 10篇载流子
  • 9篇元胞
  • 9篇衬底
  • 8篇极区
  • 8篇沟槽
  • 8篇半导体器件
  • 7篇电阻
  • 7篇双极晶体管
  • 7篇晶体管
  • 7篇绝缘栅
  • 7篇绝缘栅双极晶...
  • 7篇封装
  • 6篇多晶
  • 6篇漂移区
  • 6篇均流
  • 6篇功率器件

机构

  • 62篇株洲南车时代...
  • 2篇中国电力科学...

作者

  • 62篇罗海辉
  • 45篇刘国友
  • 43篇黄建伟
  • 27篇覃荣震
  • 11篇肖海波
  • 10篇丁荣军
  • 8篇戴小平
  • 7篇刘根
  • 6篇朱利恒
  • 5篇彭勇殿
  • 4篇余伟
  • 3篇李世平
  • 3篇雷云
  • 3篇曾文彬
  • 3篇刘博
  • 3篇张明
  • 3篇陈辉
  • 2篇张泉
  • 2篇唐龙谷
  • 2篇刘可安

传媒

  • 2篇机车电传动
  • 2篇大功率变流技...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇中国电机工程...

年份

  • 3篇2019
  • 9篇2018
  • 6篇2017
  • 17篇2016
  • 9篇2015
  • 1篇2014
  • 9篇2013
  • 2篇2012
  • 6篇2011
共 62 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
沟槽栅IGBT深槽工艺研究被引量：4
2013年
基于Lam 4420反应离子刻蚀(RIE)设备和Cl2气体开发了适用于沟槽栅IGBT的深槽等离子刻蚀工艺。通过调整HBr、O2和SF6等添加气体含量得到了无底切、底角圆滑、槽壁斜度3°左右、深度6μm的沟槽;通过系统优化气体流量、气压、电极间距和RF功率等工艺参数,得到了<5%的硅片内不均匀性,刻蚀速率可达800 nm/min。在完成CF4/Ar刻蚀和牺牲氧化等后续工艺后,槽型得到进一步改善。
罗海辉黄建伟Ian Deviny刘国友
关键词：等离子刻蚀CL2
一种二极管及其阴极金属化方法
本发明公开了一种二极管及其阴极金属化方法，包括步骤S1：注入N型杂质，形成N型层；步骤S2：在N型层远离P型层的一侧淀积粘附层；步骤S3：对二极管进行激光退火，激活N型层中的杂质粒子，并使得粘附层与N型层之间形成欧姆接触...
王光明罗海辉谭灿健刘根
文献传递
一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法
本申请公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法，其中，所述绝缘栅双极晶体管包括：第一掺杂类型的硅衬底；位于所述硅衬底正面的正面结构；位于所述硅衬底背面的集区，所述集区包括并列设置于所述硅衬底背面的第一掺杂集区和第二掺杂集区...
肖海波罗海辉
文献传递
一种智能功率装置
本发明涉及一种智能功率装置，包括封装成一体的功率半导体芯片、驱动电路、控制电路和电流传感器，该功率半导体芯片通过若干数量的IGBT芯片及FRD芯片按比例反并联连接而成四个桥臂结构；驱动电路与功率半导体芯片的栅极、集电极和...
丁荣军覃荣震忻兰苑黄建伟罗海辉刘国友
文献传递
一种IGBT深沟槽光刻工艺
本发明涉及一种IGBT深沟槽光刻工艺，属于微电子领域。本发明为解决深沟槽底部图形刻蚀不充分等问题，提供一种IGBT深沟槽光刻工艺，依次包括以下步骤：(1)在衬底表面和深沟槽内涂上有机材料，有机材料不溶于显影液，且能被刻蚀...
宋里千黄建伟罗海辉陈辉
一种逆导IGBT的制备方法
本发明公开了一种逆导IGBT的制备方法，属于半导体功率器件技术领域，解决了传统的制备方法工艺难度大，生产效率低的技术问题。该方法包括：在衬底内形成第一导电类型的缓冲层；通过构图工艺在所述衬底背面形成掺有第一导电类型离子的...
罗海辉肖海波刘国友黄建伟
文献传递
一种IGBT芯片及其制作方法
本发明公开了一种IGBT芯片的制作方法，包括：通过离子注入的方式，将硼注入到IGBT器件中；对所述IGBT器件进行高温退火，激活注入到所述IGBT器件的硼，并使硼达到所述IGBT器件的预设深度，形成P阱；将磷通过高能离子...
谭灿健罗海辉黄建伟刘国友
文献传递
轨道交通用3300V等级IGBT芯片开发及其应用推广
刘国友刘可安黄建伟覃荣震舒丽辉吴煜东罗海辉谭兴进张泉李世平陈燕平忻兰苑
功率半导体是现代制造业、消费电子等领域不可或缺的支撑技术，通过功率半导体器件的电能转换，将“粗”电变成“精”电，使能源利用更高效、更节能、更环保并给使用者提供更多方使，是节能减排、新型工业化的基础与核心技术。IGBT(绝...
关键词：
关键词：功率半导体器件
一种离子注入监控片的重复利用方法
本发明提供了一种离子注入监控片的重复利用方法，包括提供裸片；在裸片上依次沉积氮化硅层和多晶硅层得到监控片；对多晶硅层进行离子注入，经高温退火后测量方块电阻值作为基准值，所述离子注入剂量大于1e<Sup>15</Sup>i...
尹峙柠罗海辉刘根唐云
文献传递
碳化硅功率模块的封装方法及碳化硅功率模块
本发明涉及一种碳化硅功率模块的封装方法，包括以下步骤：在钼板上焊接一层氮化铝隔离层，将碳化硅芯片放置到氮化铝隔离层的空格中，与钼板焊接；在碳化硅芯片上焊接钼块，钼块上预留门极引线槽；将引线放置在门极引线槽内，焊接固定，收...
丁荣军罗海辉刘博曾文彬雷云吴煜东刘国友彭勇殿张明
全选 清除 导出
共7页<1234567>
聚类工具0