黄建伟
- 作品数：115 被引量：93H指数：7
- 供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术交通运输工程电气工程更多>>
- 牵引用3300V IGBT/FRD芯片组设计与开发被引量：13
- 2013年
- 针对轨道交通绝缘栅双极晶体管(IGBT)的应用特点,利用计算机仿真技术对终端结构进行优化,提高耐压特性;采用台面栅结构,提高开关速度;通过控制载流子注入效率,改善Vceon与Eoff的折中关系,降低芯片损耗;采用先进元胞设计技术,提高芯片短路能力,从而提高芯片可靠性;通过超低阳极掺杂控制阳极注入效率,免除局部寿命控制,降低FRD的反向漏电流。研究开发了3300V IGBT及其配套FRD芯片,满足轨道交通的应用要求。
- 刘国友覃荣震Ian Deviny黄建伟
- 关键词：轨道交通终端结构元胞
- 一种快恢复二极管FRD芯片
- 本实用新型提供了一种快恢复二极管FRD芯片，该芯片包括芯片有源区和芯片终端保护区；所述芯片终端保护区包括位于所述芯片终端保护区底部的P型掺杂区，所述P型掺杂区与阴极电极接触，且所述P型掺杂区的结深小于位于所述芯片有源区的...
- 刘国友覃荣震黄建伟
- 文献传递
- 一种沟槽栅IGBT芯片
- 本发明提供了一种沟槽栅IGBT芯片，包括：位于衬底表面上方的第二多晶硅层和栅极区，所述衬底与所述第二多晶硅层之间通过绝缘层隔离；其中，所述第二多晶硅层包括第一多晶硅子层和第二多晶硅子层；所述第一多晶硅子层用于将常规栅极对...
- 刘国友覃荣震黄建伟
- 文献传递
- 一种智能功率装置
- 本实用新型涉及一种智能功率装置，包括封装成一体的功率半导体芯片、驱动电路、控制电路和电流传感器，该功率半导体芯片为四个桥臂结构；驱动电路与功率半导体芯片的栅极、集电极和发射极相连；控制电路与驱动电路连接，以控制功率半导体...
- 丁荣军覃荣震忻兰苑黄建伟罗海辉刘国友
- 文献传递
- 具有缓冲层的半导体器件及其制作方法
- 本发明公开了一种具有缓冲层的半导体器件及其制作方法，半导体器件包括：位于半导体器件正面的正面结构，以及位于半导体器件背面的背面结构，背面结构进一步包括P+集区，以及位于P+集区之上的N型缓冲层。P+集区和N型缓冲层均采用...
- 肖海波苗笑宇刘根罗海辉黄建伟刘国友
- 文献传递
- 温度和氯源对大功率IGBT栅氧工艺的影响
- 2015年
- 采用C-V测试技术对大功率IGBT栅氧制备工艺中常用的两种栅氧生长方法——干氧和湿氧进行了研究,重点分析了氧化温度和氯源对栅氧化层工艺质量的影响,特别是对栅氧化层固定电荷和界面陷阱电荷的影响。研究结果表明：在1 000-1 150℃温度区间,非掺氯干氧通过高温氮气退火处理可获得好的固定电荷密度（Nss）特性,氧化温度对N_（ss）影响很小,但对于掺氯干氧,当氧化温度超过1 050℃时,N_（ss）会明显增大;通过450℃氢退火处理,可将干氧的界面陷阱电荷密度（D_（it））控制在较低范围内,氧化温度和氯源对干氧的D_（it）影响不明显;在850-1 000℃温度区间,湿氧无法通过高温氮气退火和450℃氢退火处理而同时获得好的Nss和Dit特性,氧化温度和氯源对N_（ss）和D_（it_的影响较干氧的明显。
- 张泉刘国友黄建伟
- 关键词：IGBT
- 铝杂质源转移扩散方法
- 本发明公开了一种铝杂质源转移扩散方法。该方法提供真空扩散炉和一个带有塞子的半封闭扩散管，先以高纯铝源对硅陪片和扩散管内壁进行饱和扩散掺杂，然后以饱和扩散掺杂后的硅陪片和扩散管内壁对试验芯片进行t<Sub>1</Sub>时...
- 刘国友王大江舒丽辉黄建伟邹冰艳
- 文献传递
- 轨道交通用IGBT模块互连技术及其发展趋势被引量：4
- 2013年
- 从焊接、键合及压接三方面介绍了模块封装的各种互连技术,分析了各种互连方式的发展现状及其特点,总结了轨道交通用IGBT模块封装中的互连技术的发展方向。
- 覃荣震刘国友黄建伟
- 关键词：IGBT模块互连技术键合压接轨道交通
- 电力电子器件(晶闸管芯片)
- 1.右视图与左视图相同，故省略右视图；;2.仰视图与俯视图相同，故省略仰视图；;3.本外观设计的设计要点在于，晶闸管阴极图形的排布。
- 黄建伟刘国友熊辉邹冰艳魏志红
- 用于晶闸管芯片测试的适配器
- 本实用新型实施例公开了一种用于晶闸管芯片测试的适配器，包括：适配器盖、门极件、塑料王圈和适配器底座，所述适配器盖和适配器底座上分别设置有用于固定所述塑料王圈的凹槽，所述门极件用塑料包裹并穿过所述适配器盖和晶闸管的阴极钼片...
- 邓湘凤严冰黄建伟熊辉
- 文献传递
