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文献类型

  • 5篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇电流
  • 2篇热阻
  • 2篇热阻测试
  • 2篇肖特基
  • 2篇结壳
  • 2篇管芯
  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅薄膜
  • 1篇钝化
  • 1篇阴极
  • 1篇整流
  • 1篇整流器
  • 1篇正向压降
  • 1篇势垒
  • 1篇双阈值
  • 1篇阈值
  • 1篇阈值电压
  • 1篇外延层
  • 1篇肖特基整流器
  • 1篇离子注入

机构

  • 5篇中国电子科技...
  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 7篇徐衡
  • 6篇唐冬
  • 5篇刘旸
  • 4篇白羽
  • 3篇刘剑
  • 2篇康锡娥
  • 2篇孙曦东
  • 1篇林洪春
  • 1篇刘昕阳
  • 1篇孔明
  • 1篇李翠

传媒

  • 2篇微处理机

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2015
  • 2篇2014
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
多管芯器件热阻测试方法
一种多管芯器件热阻测试方法,包括:步骤S1.对N个管芯中的第i管芯通热电流,使多管芯器件发热至热平衡状态,再分别对所有管芯通测试电流,测得此时所有管芯各自的第i结壳热阻R<Sub>i1</Sub>~R<Sub>iN</S...
唐冬康锡娥刘旸孙曦东徐衡白羽刘剑
文献传递
PECVD工艺中氮化硅薄膜龟裂研究被引量:2
2014年
PE氮化硅薄膜优异的物理、化学性能使其在半导体分立器件、IC电路中常被用作绝缘层、钝化层而使用。然而,氮化硅龟裂问题是影响其作为钝化层使用的阻碍因素,因此,科学的氮化硅工艺条件对其薄膜质量的影响非常关键。给出了等离子体化学气相淀积(PECVD)氮化硅薄膜技术的原理,通过实验验证,确定了诱发氮化硅龟裂现象的原因,优化工艺条件,确定了PECVD氮化硅的最佳工艺条件,杜绝了龟裂现象对氮化硅作为钝化层使用的影响。
徐衡林洪春唐冬
关键词:氮化硅薄膜钝化
一种肖特基二级管的布置方法
本申请提供一种肖特基二级管的布置方法,包括,a.提供具有衬底和外延层的基体;b.在所述外延层中形成隔离区,所述隔离区一方面将所述外延层分为彼此间隔的第一部分外延层和第二部分外延层,另一方面与所述衬底接界;c.在所述第一部...
唐冬刘旸白羽徐衡刘剑
文献传递
多管芯器件热阻测试方法
一种多管芯器件热阻测试方法,包括:步骤S1.对N个管芯中的第i管芯通热电流,使多管芯器件发热至热平衡状态,再分别对所有管芯通测试电流,测得此时所有管芯各自的第i结壳热阻R<Sub>i1</Sub>~R<Sub>iN</S...
唐冬康锡娥刘旸孙曦东徐衡白羽刘剑
使用抗静电尼龙板进行抗静电防护的试验方法
本发明涉及使用抗静电尼龙板进行抗静电防护的试验方法,包括以下步骤:确定所要进行随机振动试验的器件,按器件尺寸设计随机振动实验夹具;在夹具内设置防静电尼龙板,进行器件的随机振动试验。本发明使用抗静电尼龙板对多支器件随机振动...
徐衡李翠邹明亮
文献传递
双阈值VDMOS器件的制作方法
本发明公开了一种双阈值VDMOS器件的制作方法,属于分立器件技术领域。该方法通过对P体区的形成过程进行改进,获得具有两个阈值电压的VDMOS器件,P体区改进工艺:制备多晶硅栅极后,光刻P‑离子注入窗口,在栅极两侧形成两个...
唐冬刘旸刘昕阳白羽徐衡孔明郑阳
文献传递
JBS结构肖特基整流器
2014年
介绍了结势垒控制肖特基整流管(Junction-Barrier-controlled Schottky-Rectifier,JBS)的结构原理,论述了JBS结构肖特基整流器的正向特性和反向特性,通过对扩散掩膜尺寸m和扩散P+区时窗口宽度S的工艺模拟,归纳出m、s变化对器件参数正向压降和反向漏电流密度的影响。并通过实际产品进行验证,得出JBS结构肖特基整流器漏电流小的特点,利于功率肖特基二极管得到更广泛的应用。
唐冬刘旸徐衡
关键词:正向压降
共1页<1>
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