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白羽

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇电流
  • 2篇热阻
  • 2篇热阻测试
  • 2篇结壳
  • 2篇管芯
  • 2篇分立器件
  • 1篇阴极
  • 1篇粘片
  • 1篇蒸发
  • 1篇双阈值
  • 1篇阈值
  • 1篇阈值电压
  • 1篇外延层
  • 1篇肖特基
  • 1篇芯片
  • 1篇离子注入
  • 1篇逻辑功能
  • 1篇互连
  • 1篇隔离区
  • 1篇工步

机构

  • 5篇中国电子科技...

作者

  • 5篇刘旸
  • 5篇唐冬
  • 5篇白羽
  • 4篇徐衡
  • 3篇刘剑
  • 2篇康锡娥
  • 2篇孙曦东
  • 1篇刘昕阳
  • 1篇孔明

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2015
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
多管芯器件热阻测试方法
一种多管芯器件热阻测试方法，包括：步骤S1.对N个管芯中的第i管芯通热电流，使多管芯器件发热至热平衡状态，再分别对所有管芯通测试电流，测得此时所有管芯各自的第i结壳热阻R<Sub>i1</Sub>～R<Sub>iN</S...
唐冬康锡娥刘旸孙曦东徐衡白羽刘剑
文献传递
一种肖特基二级管的布置方法
本申请提供一种肖特基二级管的布置方法，包括，a.提供具有衬底和外延层的基体；b.在所述外延层中形成隔离区，所述隔离区一方面将所述外延层分为彼此间隔的第一部分外延层和第二部分外延层，另一方面与所述衬底接界；c.在所述第一部...
唐冬刘旸白羽徐衡刘剑
文献传递
多管芯器件热阻测试方法
一种多管芯器件热阻测试方法，包括：步骤S1.对N个管芯中的第i管芯通热电流，使多管芯器件发热至热平衡状态，再分别对所有管芯通测试电流，测得此时所有管芯各自的第i结壳热阻R<Sub>i1</Sub>～R<Sub>iN</S...
唐冬康锡娥刘旸孙曦东徐衡白羽刘剑
芯片表层蒸发锡工艺
本发明公开了一种芯片表层蒸发锡工艺，属于半导体分立器件技术领域。该工艺是在常规芯片结构的正面金属上采用真空蒸发锡，获得正面金属表层为锡连接层的芯片。本发明芯片正面金属的顶层进行再次蒸发锡，使芯粒间可以通过锡直接互连，省去...
唐冬刘旸白羽
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双阈值VDMOS器件的制作方法
本发明公开了一种双阈值VDMOS器件的制作方法，属于分立器件技术领域。该方法通过对P体区的形成过程进行改进，获得具有两个阈值电压的VDMOS器件，P体区改进工艺：制备多晶硅栅极后，光刻P‑离子注入窗口，在栅极两侧形成两个...
唐冬刘旸刘昕阳白羽徐衡孔明郑阳
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