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李雪梅

作品数：4 被引量：8H指数：2
供职机构：吉林大学电子科学与工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇腔面
  • 2篇面发射
  • 2篇面发射激光器
  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇发光
  • 2篇发光管
  • 2篇发射激光器
  • 2篇辐射发光
  • 2篇半导体
  • 2篇超辐射
  • 2篇超辐射发光管
  • 2篇垂直腔
  • 2篇垂直腔面
  • 2篇垂直腔面发射
  • 2篇垂直腔面发射...
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇短波长
  • 1篇增益

机构

  • 4篇吉林大学
  • 2篇中国科学院长...

作者

  • 4篇李雪梅
  • 4篇杜国同
  • 3篇赵永生
  • 3篇宋俊峰
  • 2篇高鼎三
  • 2篇姜秀英
  • 2篇韩伟华
  • 2篇王立军
  • 1篇赵永生
  • 1篇王立军
  • 1篇常玉春
  • 1篇武胜利
  • 1篇付艳萍
  • 1篇刘颖
  • 1篇李军

传媒

  • 1篇中国激光
  • 1篇光学学报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇自然科学进展...

年份

  • 2篇1999
  • 2篇1998
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
室温连续可见光垂直腔面发射激光器被引量：1
1999年
利用钨丝掩膜质子轰击工艺制造出一种室温条件下可连续工作的可见光垂直腔面发射激光器。激射波长为６５０ｎｍ，未装在热沉上时连续工作最大输出功率为８５μＷ。
李雪梅常玉春宋俊峰赵永生杜国同武胜利王立军刘云李军
关键词：激光器可见光面发射
GaAlAs高功率短波长超辐射集成光源
1998年
为解决超辐射发光管输出功率低的问题,利用半导体锥形光放大器对超辐射光加以放大,并采用直接耦合方式将超辐射发光管与半导体锥形光放大器进行单片集成,器件初步采用了GaAlAs SQW双异质结和氧化物条形增益波导结构。实验结果表明,该器件的锥形放大器可将超辐射发光管发出的光放大22dB,在脉冲条件下超辐射输出功率达580mW。
赵永生杜国同韩伟华付艳萍李雪梅宋俊峰姜秀英高鼎三Gregory DevaneKathleen A.StairR.P.H.Chang
关键词：超辐射发光管单片集成半导体
半导体超辐射发光管自发发射因子的估算被引量：2
1999年
自发发射因子β是半导体光电器件的重要参数，在以往对超辐射发光管的特性分析，特别是应用速率方程对超辐射器件的光强进行估算时，多沿用与超辐射发光器件相应结构激光器的β因子，由于两者的光输出特性不同，这种沿用不仅会造成β因子物理意义上的混乱，而且也给超辐射器件光电特性的分析带来了较大的误差。对超辐射发光管的自发发射因子β进行了讨论，提出了平均自发发射因子的概念，并对增益导引及折射率导引的β因子进行了估算和比较。
赵永生宋俊峰韩伟华李雪梅杜国同高鼎三
关键词：超辐射发光管增益折射率半导体
H型结构垂直腔面发射激光器被引量：6
1998年
报道了一种结构新颖的Ｈ型垂直腔面发射激光器。器件是由钨丝掩膜一次质子轰击和选择腐蚀相结合制备的，实验已实现在脉宽为２０μｓ，占空比为１１０的脉冲电流条件下的室温激射。
李雪梅刘颖姜秀英姜秀英赵永生杜国同赵永生王立军
关键词：激光器
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