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李雪梅
作品数:
4
被引量:8
H指数:2
供职机构:
吉林大学电子科学与工程学院
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
杜国同
吉林大学电子科学与工程学院
宋俊峰
吉林大学电子科学与工程学院
赵永生
吉林大学电子科学与工程学院
王立军
中国科学院长春物理所
姜秀英
吉林大学电子科学与工程学院
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短波长
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增益
机构
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中国科学院长...
作者
4篇
李雪梅
4篇
杜国同
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赵永生
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宋俊峰
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高鼎三
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姜秀英
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王立军
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赵永生
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王立军
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常玉春
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武胜利
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刘颖
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中国激光
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光学学报
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半导体光电
1篇
自然科学进展...
年份
2篇
1999
2篇
1998
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室温连续可见光垂直腔面发射激光器
被引量:1
1999年
利用钨丝掩膜质子轰击工艺制造出一种室温条件下可连续工作的可见光垂直腔面发射激光器。激射波长为650nm,未装在热沉上时连续工作最大输出功率为85μW。
李雪梅
常玉春
宋俊峰
赵永生
杜国同
武胜利
王立军
刘云
李军
关键词:
激光器
可见光
面发射
GaAlAs高功率短波长超辐射集成光源
1998年
为解决超辐射发光管输出功率低的问题,利用半导体锥形光放大器对超辐射光加以放大,并采用直接耦合方式将超辐射发光管与半导体锥形光放大器进行单片集成,器件初步采用了GaAlAs SQW双异质结和氧化物条形增益波导结构。实验结果表明,该器件的锥形放大器可将超辐射发光管发出的光放大22dB,在脉冲条件下超辐射输出功率达580mW。
赵永生
杜国同
韩伟华
付艳萍
李雪梅
宋俊峰
姜秀英
高鼎三
Gregory Devane
Kathleen A.Stair
R.P.H.Chang
关键词:
超辐射发光管
单片集成
半导体
半导体超辐射发光管自发发射因子的估算
被引量:2
1999年
自发发射因子β是半导体光电器件的重要参数,在以往对超辐射发光管的特性分析,特别是应用速率方程对超辐射器件的光强进行估算时,多沿用与超辐射发光器件相应结构激光器的β因子,由于两者的光输出特性不同,这种沿用不仅会造成β因子物理意义上的混乱,而且也给超辐射器件光电特性的分析带来了较大的误差。对超辐射发光管的自发发射因子β进行了讨论,提出了平均自发发射因子的概念,并对增益导引及折射率导引的β因子进行了估算和比较。
赵永生
宋俊峰
韩伟华
李雪梅
杜国同
高鼎三
关键词:
超辐射发光管
增益
折射率
半导体
H型结构垂直腔面发射激光器
被引量:6
1998年
报道了一种结构新颖的H型垂直腔面发射激光器。器件是由钨丝掩膜一次质子轰击和选择腐蚀相结合制备的,实验已实现在脉宽为20μs,占空比为110的脉冲电流条件下的室温激射。
李雪梅
刘颖
姜秀英
姜秀英
赵永生
杜国同
赵永生
王立军
关键词:
激光器
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