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杨晶晶
作品数:
3
被引量:1
H指数:1
供职机构:
西安电子科技大学
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发文基金:
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
电子电信
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合作作者
何秀坤
天津电子材料研究所
曹全喜
西安电子科技大学
易运晖
西安电子科技大学
朱畅华
西安电子科技大学
何先灯
西安电子科技大学
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作者
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杨晶晶
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刘涛
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曹全喜
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共
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6H-SiC单晶缺陷表征和电参数测试技术研究
本文以研究SiC单晶的缺陷腐蚀与显示技术以及电参数测试技术为目的,采用腐蚀.扫描电镜.光学显微镜等技术对6H-SiC单晶的位错和微管缺陷形成机理以及显示进行研究,其主要形成机理可以分别用基本螺位错和空芯螺位错来解释。对6...
杨晶晶
关键词:
补偿度
分布函数
文献传递
远距离非协作无线定位与惯性导航的组合定位系统及方法
本发明公开的远距离非协作无线定位与惯性导航系统的组合定位系统及方法,首先非协作无线定位系统NWL通过对非协作无线信号进行参数估计,结合到达时间法TOA技术与最小二乘法LS,实现接收机的无线定位;然后结合惯性导航系统INS...
何先灯
杨晶晶
刘涛
权东晓
易运晖
朱畅华
陈南
掺氮6H-SiC单晶的电阻率、迁移率及自由载流子浓度
被引量:1
2006年
测试了国产和美国Cree公司生产的n型6H-SiC低温下的电学参数,包括电阻率、迁移率和自由载流子浓度,并用FCCS软件数据拟合分析得到两种SiC的杂质浓度和能级.实验结果表明:杂质浓度和补偿度对低温下SiC的电性能有很大影响,轻度补偿的掺氮6H-SiC是施主氮的两个能级共同起作用;而重度补偿的6H-SiC在低温时则是受主能级起作用,并且后者迁移率随温度变化曲线的峰值降低并右移.同时发现重度补偿的SiC在较低温度时由n型转变成了p型,并从理论上分析了产生这种现象的原因.
杨晶晶
何秀坤
曹全喜
施亚申
关键词:
施主
受主
补偿度
分布函数
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