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胡永健

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学物理学院技术物理系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇多层膜
  • 1篇中介
  • 1篇铬
  • 1篇层间耦合
  • 1篇磁电
  • 1篇磁电阻
  • 1篇磁电阻效应

机构

  • 1篇北京大学

作者

  • 1篇彭初兵
  • 1篇胡永健
  • 1篇戴道生
  • 1篇方瑞宜

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇1996
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
［Fe／Cr］多层膜及掺入Si中介层后的层间耦合和磁电阻效应
1996年
用真空蒸镀方法制备了［Ｆｅ／Ｃｒ］，［Ｆｅ／Ｃｒ／Ｓｉ］和［Ｆｅ／Ｓｉ］多层膜．研究了Ｃｒ层、Ｓｉ层和Ｃｒ＋Ｓｉ层厚度变化对层间耦合和磁电阻的影响．Ｆｅ层厚为２ｎｍ，Ｃｒ层厚度变化存在耦合振荡和巨磁电阻及其振荡．磁电阻值为１４６％（４２Ｋ）．在Ｃｒ层中加入一半Ｓｉ层或全部由Ｓｉ层替代，振荡消失，磁电阻减小到千分之几．根据掺Ｓｉ层后多层膜的电阻率变化，认为Ｓｉ加入使非磁层中自由电子数减少，随之极化效应也变弱，导致振荡消失。
胡永健彭初兵方瑞宜李文君戴道生
关键词：多层膜磁电阻
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共1页<1>
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