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文献类型

  • 5篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇机械工程

主题

  • 2篇电路
  • 1篇氮化镓
  • 1篇低功耗
  • 1篇低功耗设计
  • 1篇电荷注入
  • 1篇电路结构
  • 1篇电路研究
  • 1篇电容
  • 1篇电压
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇时钟
  • 1篇时钟馈通
  • 1篇迁移率
  • 1篇前馈
  • 1篇前馈补偿
  • 1篇热电效应
  • 1篇微加速度计
  • 1篇零偏
  • 1篇模数变换
  • 1篇模数变换器

机构

  • 6篇电子科技大学

作者

  • 6篇葛桐山
  • 2篇蔡冬
  • 2篇冯朝坤
  • 2篇郭跃伟
  • 1篇于奇
  • 1篇王向展
  • 1篇顾川

传媒

  • 3篇四川省电子学...
  • 2篇2009四川...

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 3篇2008
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
3G接收机用ADC子单元设计及误差校正方法研究
随着通信技术以及数字信号处理技术的飞速发展,作为模拟信号与数字信号界面的模数转换器(ADCs)得到越来越广泛的应用。根据通信系统应用的特点,在众多的模数转换器结构中,流水线型 ADCs最适合应用于通信系统设备中。因为流水...
葛桐山
关键词:模数变换器
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基于CMOS工艺的采样开关模型与电路研究
本文基于超深亚微米CMOS工艺条件下对采样开关进行建模分析,针对影响采样保持电路精度和速度的最重要的三个非理想冈素导通电阻的非线性化。电荷注入效应,时钟馈通效应进行建模分析,并寻求合适的解决办法。最后根据对采样开关的建模...
冯朝坤顾川葛桐山于奇
关键词:采样开关电荷注入时钟馈通开关模型采样精度
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大电容负载的无电容前馈补偿放大器设计
通过分析无电容前馈放大器小信号模型,提出了设计超高带宽、高增益、大电容负载的无电容前馈补偿放大器的步骤和方法,同时分析了面积、功耗和阶跃响应建立时间的影响因素和优化方向。基于0.35μmCMOS工艺设计无电容前馈放大器。...
郭跃伟葛桐山王向展
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GaN基HEMT栅终端场板击穿特性研究
本文利用二维仿真研究了不同栅终端场板结构下的AlGaN/GaNHEMTs沟道电场的分布情况。仿真基于漂移扩散模型,考虑了迁移率的高场饱和效应,忽略了自热效应与热载流子效应。分析表明,在栅场板长度和栅漏间距一定的情况下,绝...
葛桐山蔡冬冯朝坤
关键词:氮化镓高电子迁移率击穿电压击穿特性
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CMOS高速高精度预放大锁存比较器
本文基于预放大锁存快速比较理论,提出一种用于高速高精度流水线ADC的预放大锁存比较器。采用0.35um、3.3V标准CMOS工艺。该结构的比较器具有快速过驱动恢复能力,明显改善比较器的速度,延迟小于1ns;由于加了一级隔...
葛桐山郭跃伟
关键词:电路结构低功耗设计CMOS工艺
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热电效应导致加速度计输出零偏的理论分析
针对静电伺服微加速度计输出电压零位偏移现象,通过分析包括赛贝克效应、珀耳帖效应和汤姆逊效应在内的三种热电效应,详细推导了由热电效应引起的感生电压公式,计算得到感生电压为1.29mV,约占输出电压偏移量的50%。研究表明,...
蔡冬葛桐山
关键词:微加速度计热电效应
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