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文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电压
  • 1篇亚微米
  • 1篇亚微米器件
  • 1篇氧化层
  • 1篇载流子
  • 1篇栅氧化
  • 1篇栅氧化层
  • 1篇热载流子
  • 1篇微米
  • 1篇脉冲电压
  • 1篇介质膜
  • 1篇金属互连
  • 1篇金属互连线
  • 1篇互连
  • 1篇互连线
  • 1篇光刻
  • 1篇VLSI

机构

  • 3篇华东师范大学

作者

  • 3篇范焕章
  • 3篇黎想
  • 1篇翁丽敏
  • 1篇汪静
  • 1篇王刚宁

传媒

  • 1篇华东师范大学...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇第八届全国可...

年份

  • 1篇2000
  • 2篇1999
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
脉冲电压下介质膜的击穿寿命
1999年
该文测量了电应力作用下栅介质膜中陷阱电荷积累、以及在撤除应力后陷阱电荷减少的规律,在此基础上提出了解释脉冲应力下栅介质膜击穿寿命的模型。并对样品在直流电压与脉冲电压下的击穿寿命进行测量比较,发现随着脉冲频率的增加,栅介质膜击穿寿命增加。
范焕章王刚宁翁丽敏汪静黎想
关键词:介质膜脉冲电压VLSI
亚微米器件制造技术的发展动态被引量:1
2000年
主要从光刻、隔离。
范焕章黎想
关键词:亚微米器件光刻金属互连线
微电子器件可靠性动态跟踪
主要从栅氧化层、热载流子、金属化、静电放电四个方面来讨论亚微米器件的可靠性问题及发展动态。
黎想范焕章
关键词:栅氧化层热载流子
共1页<1>
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