范焕章
- 作品数：16 被引量：20H指数：3
- 供职机构：华东师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市科学技术委员会资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学更多>>
- PECVD a-SiNx:H的~1H NMR研究
- 1998年
- 用质子核磁共振（1HNMR）方法对等离子体化学气相淀积非晶氢化氮化硅薄膜（PECVD－α－SiNx：H）进行测量，分析膜中H的含量和分布与淀积温度、射频功率等工艺条件的关系，以及退火的影响。
- 翁丽敏何奕骅范焕章许春芳杨光邬学文
- 关键词：氢原子核磁共振PECVD
- 脉冲电压下介质膜的击穿寿命
- 1999年
- 该文测量了电应力作用下栅介质膜中陷阱电荷积累、以及在撤除应力后陷阱电荷减少的规律，在此基础上提出了解释脉冲应力下栅介质膜击穿寿命的模型。并对样品在直流电压与脉冲电压下的击穿寿命进行测量比较，发现随着脉冲频率的增加，栅介质膜击穿寿命增加。
- 范焕章王刚宁翁丽敏汪静黎想
- 关键词：介质膜脉冲电压VLSI
- 静电放电对双极型运放器的损伤
- 范焕章石桥杨兴
- 关键词：运算放大器静电放电
- 师范招生——热与冷的思考——从华东师大生源调查情况谈起被引量：11
- 2001年
- 近年来 ,“师范热”已成为热门话题。本文通过对华东师大生源的调查 ,就师范招生过程中出现的“热” ,进行了分析并提出了若干建议。
- 党远鸿杨振斌王秋红范焕章
- 关键词：生源质量招生工作志愿填报就业取向
- 恒流应力下栅氧层与时间有关的击穿
- 1995年
- 本文用恒定电流应力加速寿命试验研究了栅氧层与时间有关的击穿及诱生电荷的产生规律。
- 范焕章杨心怀
- 关键词：MOS器件击穿可靠性
- 介质膜与时间有关击穿(TDDB)自动测试仪
- 范焕章
- 该仪器是用微机控制的自动测试系统，能同时对９６个ＭＯＳ样品分别进行恒定、步进及斜坡电压三种击穿测试和数据处理。应力电压范围为５－１２０Ｖ（恒定应力）及５－１００Ｖ（步进、斜坡应力），恒定应力测量的时间分辨率为１０ｍｓ。该...
- 关键词：
- 关键词：测试仪自动测试仪击穿介质膜
- 用TEOSPECVD氧化硅做掩蔽层选择性生长金刚石薄膜
- 1995年
- 本文研究了在ＨＦ—ＣＶＤ法中，衬底温度Ｔｓ对ＰＥＴＥＯＳ（等离子体增强正硅酸乙酯）氧化硅—硅衬底上选择性生长金刚石薄膜的影响。结果表明：Ｔｓ变化影响ＰＥＴＥＯＳ氧化硅掩蔽层区域和硅表面金刚石晶粒成核密度。Ｔｓ较低时（７５０—８２０℃），ＰＥＴＥＯＳ氧化硅区域成核密度远小于裸露硅表面；随Ｔｓ升高（＞８２０℃），氧化硅区域成核密度增加很快；当Ｔｓ＞８５０℃时，氧化硅区域成核密度超过硅表面。
- 何奕骅许春芳范焕章孙卓王学军郑志豪朱建中杨申仲
- 关键词：金刚石选择性掩蔽层
- 等离子体淀积二氧化硅的抗电特性被引量：2
- 1992年
- 文章报道了等离子体二氧化硅的抗电特性研究,并指出生长温度和退火条件对抗电特性有直接影响。
- 许春芳范焕章邵家瑜
- 关键词：等离子体淀积二氧化硅
- 硼掺杂多晶金刚石薄膜电极的电化学特性被引量：3
- 1995年
- 用循环伏安法和恒电位法研究了硼掺杂多晶金刚石薄膜电极(DFE)的若干电化学特性.电极面积4×4mm^2.在0.1mol/L KCI,NaNO_3,NaOH和KH_2PO_4+Na_2HPO_4(pH=6.86)电解质溶液中电势窗口均为-500^+800mV,而在0.lmol/L HCI和H_2SO_4溶液中电势窗口为-200^+1100mV.K_3Fe(CN)_6的氧化峰电位为+500mV,与Pt电极测量相同;校正曲线线性范围为25~400μmol/L;灵敏度为0.63μA/mm^2·mmol/L,高于铂薄膜电极的0.18μA/mm^2·mmol/L;响应时间为4s,相对标准偏差为2.3%(n=10).响应电流与扫描速率平方根成正比.连续使用二个月未发现其电化学性质有明显变化.
- 朱建中杨申仲朱沛霖张国雄章熙康许春芳范焕章
- 关键词：电化学特性循环伏安法DFE
- 栅氧层中的高电场诱生电荷
- 范焕章
- 关键词：MOS集成电路电荷电子产品可靠性电场
