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张蓓榕

作品数：14 被引量：6H指数：2
供职机构：华东师范大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 7篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇电路
  • 6篇电迁移
  • 5篇金属化
  • 5篇集成电路
  • 5篇半导体
  • 4篇互连
  • 4篇半导体器件
  • 2篇电路可靠性
  • 2篇多层结构
  • 2篇铜合金
  • 2篇迁移
  • 2篇铝硅
  • 2篇铝硅铜合金
  • 2篇铝铜
  • 2篇铝铜合金
  • 2篇可靠性
  • 2篇互连线
  • 2篇硅铜
  • 2篇合金
  • 2篇半导体材料

机构

  • 14篇华东师范大学

作者

  • 14篇张蓓榕
  • 9篇孙沩
  • 3篇范焕章
  • 2篇桂力敏
  • 2篇忻佩胜
  • 2篇贺德洪
  • 2篇茅有福
  • 1篇祝伟明
  • 1篇王刚宁

传媒

  • 3篇华东师范大学...
  • 3篇微电子学与计...
  • 2篇中国电子学会...
  • 2篇中国电子学会...
  • 1篇电子产品可靠...
  • 1篇中国电子学会...
  • 1篇中国电子学会...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1995
  • 2篇1994
  • 2篇1993
  • 2篇1992
  • 2篇1990
  • 1篇1987
  • 2篇1985
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
SiO2表面电导的温度、湿度数学模型及其加速因子
了温度、湿度对SiO2表面电导的影响，计算了表面电导的温度、湿度加速因子，建立了某工艺下SiO2表面电导的温度、湿度模型，并指出利用得到的SiO2表面电导温度、湿度模型，还可以测定封装中的湿度及研究封装的密封性。（李大光...
张蓓榕茅有福施钟呜
关键词：数学模型半导体材料电导氧化硅
ＡＩ－Ｓｉ（１﹪）互连线电迁移失效研究
张蓓榕忻佩胜孙沩
关键词：集成电路电路可靠性硅互连工艺
Al—Si(1%)金属化电迁移参数的测定被引量：1
1990年
本文用测量电阻变化的方法,研究了Al-Si(1%)金属化线条的电迁移失效.通过不同温度、电流密度应力的加速试验,得到了在所用应力范围内Al-Si(1%)合金电迁移的两个重要参量值:电流密度指数n 和电迁移激活能Q;并用扫描电镜对失效样品进行了观察和对实验结果作了初步的分析讨论.
张蓓榕祝伟明孙沩
关键词：金属化电迁移半导体器件
铝硅铜合金和铝铜合金多层结构的电迁移行为
1995年
本文给出了由同一工艺线上加工的铝硅和铝硅钢金属互连线的电迁移加速寿命试验结果,后者寿命比前者要高一个数量级.我们对此作了简要的说明;并介绍了铝铜多层结构互连的抗电迁移性能.
张蓓榕孙沩
关键词：半导体器件IC电路多层结构互连
脉冲和直流应力下栅氧化膜击穿特性的差别
1998年
本文讨论了在直流电压应力和脉冲电压应力作用下栅氧化膜击穿寿命的差别，脉冲应力下栅氧化膜击穿寿命大于直流电压下的击穿。而且频率越高，两者的差别越大。差别起因于脉冲低电平期间栅氧化膜损伤的自行减少。
范焕章王刚宁张蓓榕贺德洪桂力敏
关键词：集成电路可靠性击穿
Al－Si（1％）互连线电迁移失效研究被引量：2
1994年
本文介绍了用测试结构做的Ａｌ－Ｓｉ（１％）互连线的电迁移加速寿命试验。加速温度为１７５℃，电流密度为１－３×１０６Ａ／ｃｍ２。观察到线条的不同几何因素（长、宽、厚），不同的溅射工艺和钝化层，以及氧化层台阶都对电迁移寿命有显著的影响。对实验结果作了初步的分析和讨论。
张蓓榕忻佩胜孙沩
关键词：电迁移金属化集成电路互连
金属化电迁移失效的圆片级监控技术
1993年
介绍3种圆片级金属化电迁移可靠性测试技术:(1)金属击穿能量技术;(2)标准圆片级电迁移加速测试技术;(3)标准圆片级等温焦耳热电迁移测试技术实验结果表明它们优于传统的电迁移寿命试验,可用作在线监控.
张蓓榕孙沩
关键词：电迁移圆片级监控技术
塑封线性集成电路的加速试验和失效分析
封线性集成电路进行了压力锅蒸煮后加编置的循环试验。用测量几对引出脚之间的漏电流的方法判定器件是否失效。给出了试验结果和失效分析，指出两种失效模式：电过应力击穿；腐蚀失效。其中电过应力击穿为较早失效模式。（李大光摘）
茅有福张蓓榕华汉良
关键词：集成电路塑料封装
金属化电迁移失效监控技术综述
张蓓榕孙沩
关键词：超大规模集成电路电路可靠性监视控制迁移
铝硅铜合金和铝铜合金多层结构的电迁移行为
张蓓榕孙沩
关键词：合金
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共2页<12>
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