贺德洪
- 作品数：11 被引量：16H指数：3
- 供职机构：华东师范大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
- 发文基金：“九五”国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 硅栅CMOS集成电路测试图形的研究
- 1992年
- 本文介绍了用于硅栅CMOSIC园片级工艺诊断和可靠性监控的微电子测试图形。重点论述了(1)用于检测漏、源及多晶硅薄层电阻和因扩散及腐蚀引起的横向变化量的组合结构,(2)用于监测CMOSIC动态参数的结构设计及其对工艺的评价。
- 桂力敏贺德洪丁瑞军董胜强谢嘉慧陈承陈康民陈谷平徐士美
- 关键词：硅栅组合结构
- 塑封器件可靠性快速评估的研究被引量：1
- 1996年
- 本文采用ＰＣＴ试验方法ＳＤ１３００５型ＮＰＮ高反压大功率晶体管进行了加速寿命试验，发现ＢＶｃｅ０是其退化的最敏感参数。并利用自行研究开发的《微电子器件可靠性指标数据处理计算机软件》对试验数据进行统计分析，得知该器件的失效分布符合威布尔分布，同时评估了不同应力下产品的可靠性寿命特征，外推出１００％相对湿度时，室温（２５℃）下该产品的寿命特征。对失效器件的管芯进行显微分析并参照ＢＶｃｅ０异常击穿特性曲线确定了器件的失效机理。
- 何江红贺德洪桂力敏
- 关键词：塑封器件可靠性半导体器件
- 密封管壳内水汽含量的非破坏性测量方法的研究
- 1990年
- 本文介绍了采用直流表面电导技术非破坏性地测量密封管壳内水汽含量的方法、原理及其测量结果,并介绍了采用该技术对工厂密封器件的水汽含量所进行的评估.
- 华剑萍贺德洪桂力敏
- 关键词：表面电导水汽电子器件
- 一种新型磁敏集成角度传感器及其测量系统被引量：5
- 2001年
- 研制了一种无触点的十字形两维集成垂直霍尔器件 ,它对平行于芯片表面的磁场敏感。当与被测转角θ的物件轴向相连的径向永久磁铁转动时 ,传感器给出了相对于被测角度的两种信号电压 ,通过接口电路和PC机组成的非接触式测量系统把信号转换为转角θ。测试结果表明该角度传感器及其测量系统的测量精度在 0°～ 36 0°范围内可达±
- 赖宗声蔡彦郑学军贺德洪郑筱莉
- 关键词：角度传感器磁敏
- 改进镀金管座的键合金属系统以提高超声键合强度
- 贺德洪桂力敏
- 关键词：键合工艺
- 脉冲和直流应力下栅氧化膜击穿特性的差别
- 1998年
- 本文讨论了在直流电压应力和脉冲电压应力作用下栅氧化膜击穿寿命的差别，脉冲应力下栅氧化膜击穿寿命大于直流电压下的击穿。而且频率越高，两者的差别越大。差别起因于脉冲低电平期间栅氧化膜损伤的自行减少。
- 范焕章王刚宁张蓓榕贺德洪桂力敏
- 关键词：集成电路可靠性击穿
- 一种新型两维霍尔角度传感器研究被引量：5
- 2001年
- 本文研制了一种无触点的十字型两维集成垂直霍尔器件 ,它对平行于芯片表面的磁场敏感 .当与被测转角 α的物件轴向相固连的径向永久磁铁转动时 ,平行于芯片表面的磁场分量 Bx、By大小将发生相对变化 ,以致集成的两对霍尔板输出电量也产生相应地变化 .这时传感器件给出了相对于被测量角度 α的两种信号电压 ( sinα和 cosα) ,通过 arctgn( Vx/ Vy)可求得转角 α,从而达到测量角度的目的 .测量结果表明利用该角度传感器件与 PC机组成的测量系统其测量角度的精度可达±
- 赖宗声蔡彦景圳贺德洪郑筱莉
- 关键词：磁敏传感器角度传感器
- 影响Ni-Al系统超声键合强度原因的探讨被引量：1
- 1994年
- 对局部蒸镍的镀金管座做了二种不同钎焊温度的样品试验.通过样品的键合强度测试和AES分析,证实了高温钎焊工艺造成的Ni表面氧的富集影响了Ni-Al金属间的超声键合强度。
- 贺德洪桂力敏
- 关键词：键合强度超声键合镀镍
- 提高镀金管座键合强度的局部蒸镍技术被引量：1
- 1993年
- 采用局部定域的蒸镍技术能较大幅度地提高镀金层质量差的管座的超声键合强度,使键合强度高于中国军标和美军军标所规定的指标.
- 贺德洪桂力敏
- 关键词：管座键合强度镀镍
- 硅栅CMOSIC测试图形的研究与应用
- 桂力敏贺德洪陈康民
- 关键词：互补MOS集成电路生产工艺
