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桂力敏

作品数：17 被引量：3H指数：1
供职机构：华东师范大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇会议论文
  • 8篇期刊文章

领域

  • 8篇电子电信

主题

  • 4篇键合
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体器件
  • 3篇电路
  • 3篇镀镍
  • 3篇水汽
  • 3篇水汽含量
  • 3篇可靠性
  • 3篇集成电路
  • 3篇键合强度
  • 3篇管壳
  • 3篇管座
  • 3篇镍
  • 2篇电子产品
  • 2篇电子产品可靠...
  • 2篇在线检测
  • 2篇晶体管
  • 2篇键合工艺
  • 2篇功率晶体管
  • 2篇硅栅

机构

  • 16篇华东师范大学

作者

  • 17篇桂力敏
  • 8篇贺德洪
  • 2篇何江红
  • 2篇范焕章
  • 2篇张蓓榕
  • 1篇汪宗禹
  • 1篇林川
  • 1篇林英
  • 1篇丁瑞军
  • 1篇王刚宁
  • 1篇陈承
  • 1篇董胜强

传媒

  • 4篇微电子学与计...
  • 3篇华东师范大学...
  • 3篇中国电子学会...
  • 2篇中国电子学会...
  • 2篇1993年全...
  • 1篇理化检验（物...
  • 1篇中国电子学会...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 1篇1998
  • 1篇1996
  • 4篇1994
  • 4篇1993
  • 3篇1992
  • 3篇1990
  • 1篇1987
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
采用交流电导法对部分国产半导体器件密封管壳内水汽含量的在线检测
俞铁岩桂力敏
关键词：电导法交流测量封装工艺水汽
介质膜应力的快速检测技术研究
丁瑞军桂力敏汪宗禹
关键词：介质数据处理电子产品可靠性计算机辅助测试光电传感器
密封管壳内水汽含量的非破坏性测量方法的研究
1990年
本文介绍了采用直流表面电导技术非破坏性地测量密封管壳内水汽含量的方法、原理及其测量结果,并介绍了采用该技术对工厂密封器件的水汽含量所进行的评估.
华剑萍贺德洪桂力敏
关键词：表面电导水汽电子器件
体硅CMOS寄生参数的数值模拟及抗闩锁能力的测试分析
1990年
本文采用二维数值模拟方法求解体硅CMOS IC的寄生电阻Rs、Rw 值,然后计算其相应的维持电流值,得到了与实验基本相符的结果.最后给出了Rs与设计尺寸的关系.
林英桂力敏
关键词：体硅CMOS寄生参数数值模拟
硅栅CMOS集成电路测试图形的研究
1992年
本文介绍了用于硅栅CMOSIC园片级工艺诊断和可靠性监控的微电子测试图形。重点论述了(1)用于检测漏、源及多晶硅薄层电阻和因扩散及腐蚀引起的横向变化量的组合结构,(2)用于监测CMOSIC动态参数的结构设计及其对工艺的评价。
桂力敏贺德洪丁瑞军董胜强谢嘉慧陈承陈康民陈谷平徐士美
关键词：硅栅组合结构
塑封器件可靠性快速评估的研究被引量：1
1996年
本文采用ＰＣＴ试验方法ＳＤ１３００５型ＮＰＮ高反压大功率晶体管进行了加速寿命试验，发现ＢＶｃｅ０是其退化的最敏感参数。并利用自行研究开发的《微电子器件可靠性指标数据处理计算机软件》对试验数据进行统计分析，得知该器件的失效分布符合威布尔分布，同时评估了不同应力下产品的可靠性寿命特征，外推出１００％相对湿度时，室温（２５℃）下该产品的寿命特征。对失效器件的管芯进行显微分析并参照ＢＶｃｅ０异常击穿特性曲线确定了器件的失效机理。
何江红贺德洪桂力敏
关键词：塑封器件可靠性半导体器件
经电子辐照的大功率晶体管参数稳定性的探讨
林川林杨桂力敏
关键词：辐照电子产品可靠性功率晶体管退火
采用交流电导法对部分国产半导体器件密封管壳内水汽含量的在线检测
俞铁岩桂力敏
关键词：半导体器件水汽
改进镀金管座的键合金属系统以提高超声键合强度
贺德洪桂力敏
关键词：键合工艺
脉冲和直流应力下栅氧化膜击穿特性的差别
1998年
本文讨论了在直流电压应力和脉冲电压应力作用下栅氧化膜击穿寿命的差别，脉冲应力下栅氧化膜击穿寿命大于直流电压下的击穿。而且频率越高，两者的差别越大。差别起因于脉冲低电平期间栅氧化膜损伤的自行减少。
范焕章王刚宁张蓓榕贺德洪桂力敏
关键词：集成电路可靠性击穿
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