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区熔硅光晶体管线性度问题的研究: 论文的主要工作是研究和分析了一种工作在穿通状态下的区熔硅光晶体管。在这种状态下，晶体管具有很高的线性度和灵敏度。在高纯区熔硅衬底上做出了这种光晶体管，并且通过ISE-TCAD软件包中的工艺模拟软件DIOS将离子注入工艺的...; 孙彩明; 关键词：光晶体管线性度 TCAD 硅探测器; 文献传递

高灵敏高线性度区熔硅光晶体管的研究: 2006年; 报道了一种基于高纯区熔单晶硅和发射结-集电结接近穿通状态的光晶体管的实验结果.在穿通电压附近(40V),0.83μm波长的光入射及0.15nW入射光功率条件下,器件的响应度为38A/W;工作在发射结-集电结接近穿通状态时线性度最好,在0.15～1500 nW光功率(4个数量级)范围内,线性因子为0.9954,接近于Hamamatsu S1227-1010BQ光电二极管在同一光功率区间内的线性因子(0.9982).另外,这种光晶体管的增益在130左右且增益的起伏在1%以内时,偏压的变化允许在2.5%以内(40V±1V),温度的变化可允许±2℃.其增益对偏压及温度的稳定性优于线性模式下具有相近增益的雪崩光电二极管.; 韩德俊孙彩明盛丽艳张秀荣张海君闫凤章杨茹张录宁宝俊; 关键词：光晶体管线性度

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孙彩明