尹伟红
- 作品数：18 被引量：42H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- AWG输出波导与波导探测器的集成器件及其制备方法
- 本发明提供了一种AWG输出波导与探测器的集成器件及其制备方法。该集成器件包括：衬底；AWG输出波导，呈条状，位于衬底上的AWG区域，自下而上包括：AWG下包层、AWG芯层和AWG上包层，其中，AWG下包层和AWG芯层延伸...
- 吕倩倩韩勤杨晓红尹伟红
- 文献传递
- AWG输出波导与探测器有缝对接的集成器件及制备方法
- 本发明提供了一种AWG输出波导与波导探测器有缝对接的集成器件及其制备方法。该集成器件包括：衬底，其左、右两区域分别作为AWG区域和PD区域；AWG输出波导，位于衬底上的AWG区域，AWG下包层和AWG芯层延伸至PD区域；...
- 吕倩倩韩勤杨晓红尹伟红
- SOI波导与InGaAs/InP光电探测器的集成被引量：4
- 2014年
- 成熟的CMOS技术可制备无源光学器件,但高效光源和高性能光探测仍需要III^V族半导体材料。综述了近期III^V族外延片与SOI(silicon-on-insulator)波导集成的键合技术,按键合材料的不同分为无机和有机材料键合。着重分析了各种InGaAs/InP光电探测器与SOI波导集成的光耦合方案,并对其优缺点进行对比。同时给出设计的一种倏逝波耦合的InGaAs/InP光电探测器,用时域有限差分(FDTD)法对器件光学特性进行了模拟,以SOI上有机键合的方式,获得95%的探测器吸收效率,表明该SOI波导集成的光电探测器可实现小体积、低损耗及高响应度的光探测,符合片上光互连系统的要求。
- 崔荣杨晓红吕倩倩尹冬冬尹伟红李彬韩勤
- 关键词：探测器键合技术
- 集成分布布拉格反射光栅的增强型石墨烯波导探测器
- 一种集成分布布拉格反射光栅的增强型石墨烯波导探测器，该光电探测器制作在SOI衬底上，包括：一光波导，形成在衬底纵向的上面；一绝缘透明薄膜均匀制作在衬底上，并覆盖光波导；一石墨烯薄膜制作在绝缘透明薄膜上，并覆盖条状的该光波...
- 王玉冰尹伟红韩勤杨晓红
- 文献传递
- 一种制备量子点场效应晶体管列阵的方法
- 本发明公开了一种制备量子点场效应晶体管列阵的方法，包括：选择外延片，在外延片上涂光刻胶，对外延片腐蚀出台面，形成源漏沟道，其中同一行的源极在光刻时连在一起；在源极和漏极蒸镀电极，进行电极退火形成源漏与导电沟道的欧姆接触；...
- 聂诚磊杨晓红王秀平王杰刘少卿李彬杨怀伟尹伟红韩勤
- 文献传递
- 基于石墨烯的半导体光电器件研究进展被引量：38
- 2012年
- 石墨烯自从被发现以来,由于其零带隙、低电导率、常温下的高电子迁移率及量子霍尔效应和独特的光吸收等优良特性,引发了世界各国科研人员的重视,研究人员对其物理性质及应用的研究越来越多并且进展迅速.本文以光纤通信用光电器件中的探测器、调制器为主,综述了石墨烯在光电探测器、调制器以及超快锁模激光器和用于发光二级管、触摸屏透明导电薄膜等方面的应用.
- 尹伟红韩勤杨晓红
- 关键词：石墨烯光电探测器调制器半导体光电器件
- InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器及制备方法
- 本发明提供一种InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器及制备方法，所述InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器，包括：一衬底；一下包层，其制作在衬底的中间部位，其形状为铲子形，一端为铲子的头部，另一端为柄部；铲形头部的前...
- 吕倩倩韩勤崔荣李彬尹伟红杨晓红
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- 一种双步消逝场耦合的雪崩光电探测器
- 本发明公开了一种双步消逝场耦合的雪崩光电探测器(APD)，该雪崩光电探测器包括：衬底；形成于衬底之上的单模传输光波导，用于实现匹配光斑在其中低损耗单模传输，并使光渐渐向上消逝场耦合进入光匹配层；形成于单模传输光波导之上的...
- 崔荣杨晓红李彬尹伟红吕倩倩韩勤
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- 一种谐振腔增强型石墨烯电吸收调制器
- 本发明公开了一种谐振腔增强型石墨烯电吸收调制器，该电吸收调制器制作在衬底上，包括：形成于衬底上的下反射镜；形成于下反射镜上的介质缓冲层；形成于介质缓冲层上的单层石墨烯薄膜；形成于单层石墨烯薄膜上的DBR结构的上反射镜；以...
- 尹伟红韩勤杨晓红
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- 石墨烯基半导体光电探测器研究进展
- 石墨烯具有高载流子迁移率，零带隙和高热导率以及常温下可观测的量子霍尔效应等优良特性，由于其独特的光吸收机制，对于制备高速，宽带的半导体光电器件有着很大的吸引力。随着光纤通信向着全光网络发展，探测器作为光纤通信的重要组件，...
- Weihong Yin尹伟红Qin Han韩勤Xiaohong Yang杨晓红
- 关键词：光电探测器石墨烯半导体材料性能评价
