您的位置: 专家智库 > >

彭郁卿

作品数:15 被引量:16H指数:3
供职机构:中国科学院上海原子核研究所上海应用物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学金属学及工艺一般工业技术更多>>

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 8篇理学
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 9篇正电子
  • 5篇正电子湮没
  • 5篇湮灭
  • 3篇正电子寿命
  • 3篇色心
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米材料
  • 3篇合金
  • 3篇LIF
  • 2篇单晶
  • 2篇正电子寿命谱
  • 2篇晶体
  • 2篇基合金
  • 2篇辐照
  • 2篇氟化锂
  • 2篇不同温度
  • 1篇点缺陷
  • 1篇动力学
  • 1篇动力学研究
  • 1篇氧化铁

机构

  • 15篇中国科学院
  • 1篇华东师范大学
  • 1篇上海钢铁研究...

作者

  • 15篇彭郁卿
  • 3篇张怡萍
  • 3篇郑万辉
  • 2篇周诗瑶
  • 2篇俞方华
  • 1篇蔡锡明
  • 1篇王景成
  • 1篇沈天健
  • 1篇陆卫红
  • 1篇秦俊法
  • 1篇李胜华
  • 1篇张立德
  • 1篇王涛

传媒

  • 7篇核技术
  • 4篇第四届全国正...
  • 1篇物理学报
  • 1篇物理
  • 1篇全国第七届正...

年份

  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 2篇1994
  • 1篇1993
  • 2篇1991
  • 4篇1990
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
固体材料的空间辐照效应与慢e#+[+]束分析
彭郁卿
关键词:湮灭宇宙辐射
纳米材料Fe_2O_3的X射线衍射与正电子湮没研究被引量:1
1995年
给出了纳米材料Fe2O3的X射线衍射与正电子湮没辐射多普勒展宽的实验结果.发现样品分别经400℃4h与800℃4h退火后,原来的γ-Fe2O3均转变成α-Fe2O3,而且颗粒尺寸分别增加到38.7nm与92.9nm;样品的线形参数均随退火温度升高而减小;当D~L+时,自由正电子湮没显著增加;压制压力较大的样品的缺陷浓度略有增加。
彭郁卿周诗瑶
关键词:纳米材料X射线衍射三氧化二铁
腐蚀疲劳过程中氢与缺陷相互作用的正电子湮没研究
俞方华彭郁卿郑万辉
关键词:高强度钢湮灭
纳米材料与C_(60)的正电子湮没研究被引量:2
1994年
综述了纳米材料与C60的主要结构特征、良好的物理性能以及使用正电子湮没方法的一些研究工作,如研究纳米材料的界面结构、热稳定性和压力效应,测量C60的正电子寿命;指出了用正电子湮没研究这两类材料的意义及目前存在的一些问题。
彭郁卿
关键词:纳米材料正电子湮没
固体材料浅表层辐射损伤的慢e<'+>束分析
彭郁卿
GH903合金的离子注入表面改性研究
1998年
用离子注入、氧化和慢正电子束分析研究了GH903合金的氧化性能的改善与微观作用机理。注入的Cr+.Y+的能量均为60keV,注入的剂量分别由1x1017.cm-2(Cr+)、1x1015Cm-2(Y+)和[1x1015.cm-2(Y+)+1x1017·cm-2(Cr+)]。结束显示,注入样品与未样品相比。氧化增重分别减少4.8%(注Cr+)、24.2%(注Y+)和32.3%(注Y++Cr+)。这表明合金氧化性能改善的作用机理主要是注入离子对样品浅表层内缺陷的填充与退火。同时,注入元素的化学性能和使样品表面更致密也起了重要作用。
彭郁卿朱金元翁惠民
关键词:离子注入合金表面改性
钠米材料Fe_2O_3微结构的正电子寿命谱学研究被引量:6
1994年
用X射线衍射确定了纳米材料Fe_2O_3的平均粒径。测量了正电子的寿命。给出了平均粒径随退火温度的变化和短寿命成分τ_1、中等寿命成分τ_2以及它们的强度比I_2/I_1随平均粒径的变化。讨论了纳米材料Fe_2O_3的界面结构、平均正电子寿命τ与多普勒展宽谱S参效间的对应关系。
彭郁卿王涛周诗瑶卜为张立德
关键词:氧化铁正电子湮灭
不同温度辐照的LiF晶体色心的实验研究被引量:3
1991年
用^(60)Coγ射线辐照LiF单晶,辐照温度分别为25℃与-70℃,剂量范围是(5.1×10~2—1.3×10~6)Gy。在室温条件下测量了吸收光谱与正电子湮没辐射多普勒展宽谱。给出了不同辐照温度条件下的F心浓度与S参数随剂量的变化并对结果进行了讨论。
彭郁卿张怡萍
关键词:Γ辐照LIF色心单晶
辐照LiF单晶中色心的正电子寿命谱研究
1996年
用60Co源的γ射线辐照纯的LiF单晶,剂量范围为0.99×103-1.3×106Gy;用快-慢符合系统测量正电子寿命谱;给出了第二寿命成分τ2及其强度差△I2随照射剂量的变化。结果表明,在剂量D≤1×104Gy范围内,τ2基本不变,平均值为291ps,△I2∝D1/2,与F心浓度NF∝D1/2系相似,表明有△I2∝NF;当剂量增加,F聚集心出现后,τ2变大,I2增加变慢,直至出现饱和。
彭郁卿郑万辉张怡萍包于洪李胜华
关键词:单晶色心正电子寿命氟化锂
正电子湮没辐射多普勒展宽谱的处理及其应用
1991年
用迭代法对湮没辐射的Doppler展宽谱去卷职,获取湮没辐射的本征分布。用高斯—牛顿法将本征分布拟合为一个高斯函数(心电子贡献)和抛物线函数(传导电子贡献)之和。从本征分布和抛物线函致可以算出电子的动量分布信息和估测费米能。用纯Ge探测器测量了Al、Ag、Cu、Co、Ni、Sa、In、Mo、W、Zr,Ti、Ge、Si等13种材料的多普勒展宽谱,算出它们的动量分布和费米能,显示各种材料的动量分布明显不同,由实验测得的费米能值与由自由电子气模型计算的理论值很好符合。对Fe Si B非晶和晶态合金的研究表明:两者的动量分布差异甚小,但费米能略有不同。
郑万辉彭郁卿张怡萍王景成
关键词:正电子湮没
共2页<12>
聚类工具0