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王涛

作品数：2 被引量：8H指数：2
供职机构：中国科学院上海原子核研究所更多>>
相关领域：理学冶金工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇冶金工程
  • 1篇理学

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅陶瓷
  • 1篇氧化铁
  • 1篇正电子
  • 1篇正电子寿命
  • 1篇正电子湮灭
  • 1篇陶瓷
  • 1篇配位
  • 1篇谱学
  • 1篇谱学研究
  • 1篇湮灭
  • 1篇微结构
  • 1篇键合
  • 1篇SI
  • 1篇钠

机构

  • 2篇中国科学院
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 2篇张立德
  • 2篇王涛
  • 1篇周诗瑶
  • 1篇蔡树芝
  • 1篇彭郁卿
  • 1篇牟季美

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇材料科学进展

年份

  • 1篇1994
  • 1篇1992
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
钠米材料Fe＿2O＿3微结构的正电子寿命谱学研究被引量：6
1994年
用Ｘ射线衍射确定了纳米材料Ｆｅ＿２Ｏ＿３的平均粒径。测量了正电子的寿命。给出了平均粒径随退火温度的变化和短寿命成分τ＿１、中等寿命成分τ＿２以及它们的强度比Ｉ＿２／Ｉ＿１随平均粒径的变化。讨论了纳米材料Ｆｅ＿２Ｏ＿３的界面结构、平均正电子寿命τ与多普勒展宽谱Ｓ参效间的对应关系。
彭郁卿王涛周诗瑶卜为张立德
关键词：氧化铁正电子湮灭
纳米非晶 Si_3N_4固体结构和键合特征被引量：2
1992年
本文用 X 射线径向分布函数、电镜观察、X 射线电子能谱和 X 射线衍射图谱较系统地研究了纳米 Si_3N_4固体。结果表明,纳米非晶 Si_3N_4在25—1300℃热处理后颗粒没有明显长大,界面组分仍然占有相当大的比例,保持纳米非晶态基本特征、界面为一种新型短程序,Si—N 键配位严重不足,Si 悬键较多。纳米 Si_3N_4键结构不是典型的共价键。高于400℃退火,氧化明显,试样表面有 SiO_2生成。
张立德王涛蔡树芝牟季美
关键词：配位氮化硅陶瓷
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