李平
- 作品数：11 被引量：30H指数：3
- 供职机构：韩山师范学院物理与电子工程系更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电气工程理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 智能小车路径识别及速度控制系统的实现被引量：3
- 2009年
- 本文介绍了智能小车路径识别及速度控制系统具体实现方法。在该系统中,由CMOS摄像头实现路径识别,直流电机作为驱动,舵机控制方向,旋转编码器检测速度,利用非线性PID算法实现小车的路径跟踪、速度的闭环控制,使小车能按照给定的引导线平稳、快速地行驶。实验证明:系统能很好地满足智能车对路径识别性能和抗干扰能力的要求,舵机调节响应时间快,稳态误差小,具有较好的动态性能和良好的鲁棒性。
- 董晓庆谢森林李平
- 关键词：智能小车CMOS摄像头
- 低温高压快速生长纳米晶硅薄膜中氢的作用被引量：1
- 2008年
- 以SiH4/H2为气源,用PECVD沉积技术,在低温(200℃)、高压下(230Pa)下制备出优质纳米晶硅薄膜。研究氢在高速生长纳米晶硅薄膜材料中的作用。实验表明,氢对纳米晶硅薄膜的高速生长起到非常关键的作用。随着氢稀释率由95%提高至99%,薄膜的晶化率由30%增大到70%,晶粒尺寸由3.0nm增大至6.0nm,而沉积速率却由0.8nm/s降低至0.3nm/s。
- 邱胜桦陈城钊刘翠青吴燕丹李平林璇英黄翀余楚迎
- 关键词：晶化率RF-PECVD
- 智能高频即热式电磁热水器的研究与设计被引量：2
- 2009年
- 本文介绍了一种利用半桥谐振电路实现的智能高频即热式电磁热水器的设计原理并说明了该热水器中功率及驱动电路、检测与功率调节电路及保护电路的主要设计思想和部分有关问题的解决方法。
- 傅胤荣李平董晓庆谢森林曾辉
- 关键词：即热式热水器半桥电路谐振
- 衬底温度对低温制备纳米晶硅薄膜的影响被引量：3
- 2008年
- 采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的工作气压130Pa和较高的射频功率70W下,在>100℃的低温下,以0.14nm/s速率制备出优质的纳米晶硅薄膜。研究结果表明,薄膜晶化率和沉积速率与衬底温度有密切关系。当衬底温度>100℃,薄膜由非晶相向晶相转化,随着衬底温度的进一步升高,薄膜晶化率增大,当温度为300℃时,薄膜的晶化率达82%,暗电导率为10-4Ω-1.cm-1数量级,激活能为0.31eV。当薄膜晶化后,沉积速率随衬底温度升高而略有增加。
- 刘翠青陈城钊邱胜桦吴燕丹李平余楚迎
- 关键词：衬底温度电学性能
- 氢稀释对高速生长纳米晶硅薄膜晶化特性的影响被引量：6
- 2009年
- 以SiH4与H2为气源,采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的压强(230Pa)下,研究氢稀释率对纳米晶硅薄膜的生长速率和晶化特性的影响.实验表明,薄膜的晶化率,晶粒尺寸随着氢稀释率的提高而增加,当氢稀释率为99%,薄膜的晶化率接近70%.而沉积速率却随着氢稀释率的减小而增加,当氢稀释率从99%减小到95%时,薄膜的沉积速率由0.3nm/s增加至0.8nm/s.
- 邱胜桦陈城钊刘翠青吴燕丹李平林璇英黄翀余楚迎
- 关键词：晶化率硅烷
- 纳米晶硅薄膜中氢含量及键合模式的红外分析被引量：11
- 2009年
- 采用传统射频等离子体化学气相沉积技术在100—350℃的衬底温度下高速沉积氢化硅薄膜.傅里叶变换红外光谱和Raman谱的研究表明,纳米晶硅薄膜中的氢含量和硅氢键合模式与薄膜的晶化特性有密切关系,当薄膜从非晶相向晶相转变时,氢的含量减少了一半以上,硅氢键合模式以SiH2为主.随着衬底温度的升高和晶化率的增加,纳米晶硅薄膜中氢的含量以及其结构因子逐渐减少.
- 陈城钊邱胜桦刘翠青吴燕丹李平余楚迎林璇英
- 关键词：红外透射谱氢含量
- 射频PECVD法高压快速制备纳米晶硅薄膜被引量：4
- 2008年
- 采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术，在较高的工作气压（133～266Pa）下，以0．4nm／s速率制备出优质的氢化纳米晶硅薄膜。薄膜的晶化率约60％，平均晶粒尺寸约6．0nm，暗电导率为10^-3～10^-4／Ω·cm。红外吸收谱显示，薄膜中没有Si-O、Si-C、Si-N等杂质键，随晶化率的提高，Si-H键也逐渐消失。
- 陈城钊邱胜桦刘翠青吴燕丹李平余楚迎林璇英
- 关键词：RF-PECVD生长速率
- 优质纳米晶硅薄膜的低温制备技术及其在太阳能电池中的应用进展
- 2008年
- 纳米晶硅薄膜是集晶体硅材料和氢化非晶硅薄膜优点于一体,可望广泛应用于薄膜太阳能电池、光存储器、发光二极管和薄膜晶体管等光电器件的一种新型功能材料.本文综述低温制备优质纳米晶硅薄膜技术的研究进展及其在薄膜硅太阳能电池上的应用.
- 陈城钊邱胜桦刘翠青吴燕丹李平余楚迎林璇英
- 关键词：太阳能电池
- 衬底温度对纳米晶硅薄膜微结构的影响
- 2008年
- 采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的工作气压130 Pa和较高的射频功率70 W下,在高于100℃低温下,以0.14 nm/s速率制备出优质的纳米晶硅薄膜.研究结果表明,衬底温度对薄膜晶化率、表面的粗糙度和沉积速率影响很大.当衬底温度高于100℃时,薄膜由非晶相向晶相转化.随着衬底温度升高,薄膜晶化率提高,沉积速率缓慢增加.当温度超过300℃时,薄膜的晶化率降低,薄膜表面的粗糙度增加,均匀性降低.
- 刘翠青陈城钊邱胜桦吴燕丹李平余楚迎林璇英
- 关键词：衬底温度微结构沉积速率
- 《大学物理学》精品课程网站的设计与制作被引量：3
- 2008年
- 分析了《大学物理学》精品课程网站设计背景及意义,给出了网站结构的设计与建设过程.
- 邱胜桦陈城钊曾繁华李平刘翠青方海
- 关键词：大学物理网站精品课程
