毕朝霞
- 作品数：33 被引量：37H指数：3
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 利用In金属纳米点催化合成生长InN纳米点的方法
- 利用In金属纳米点催化合成生长InN纳米点的方法，利用MOCVD方法在蓝宝石(0001)衬底上催化合成生长InN纳米点材料，蓝宝石(0001)衬底放入生长室，预先用MOCVD生长技术在衬底表面形成金属纳米点，生长室温度在...
- 谢自力张荣修向前毕朝霞刘斌于英仪俞慧强郑有炓顾书林沈波江若琏施毅韩平朱顺明胡立群
- 文献传递
- InN材料特性及其制备
- 本文首次介绍了InN材料的基本特性,探讨了InN材料生长技术和应用方向,最后给出了InN材料今后发展急需解决的问题以及未来的发展应用前景.
- 谢自力张荣修向前毕朝霞沈波韩平朱顺明顾书林施毅郑有炓
- 关键词：半导体材料材料特性
- 文献传递
- 制备ZnAl<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>/α－Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>复合衬底并在ZnAl<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>上生长GaN薄膜的方法
- ZnAl<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>/α-Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>复合衬底的制备及ZnAl<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>衬底上GaN薄膜生长方法，先...
- 张荣毕朝霞王栩生修向前顾书林沈波施毅刘治国郑有炓江若琏朱顺明韩平胡立群
- 文献传递
- Ⅲ族氮化物的MOCVD生长研究
- 随着GaN材料研究的逐步成熟和器件的应用，InN和高InN组分的InGaN材料自从2002年以来成为氮化物半导体研究中的另一个热点。高质量InN薄膜的制备发现其禁带宽度和早期报道的1.89eV偏离比较大，为0.7eV左右...
- 毕朝霞
- 关键词：MOCVD生长GAN薄膜氮化物氮化物半导体
- 文献传递
- ZnAl2O4/α-Al2O3衬底上GaN的MOCVD生长
- 研究了直接在ZnAlO/α-AlO衬底上用MOCVD法一步生长GaN薄膜。利用脉冲激光淀积法在α-AlO衬底上淀积了高质量ZnO薄膜,对ZnO/α-AlO样品高温退火得到了具有ZnAlO覆盖层的α-AlO衬底,并在此衬底...
- 毕朝霞张荣李卫平殷江沈波周玉刚陈鹏陈志忠顾书林施毅刘治国郑有
- 关键词：GANZNAL2O4MOCVD扫描电子显微镜
- 文献传递
- MOCVD生长In_xGa_(1-x)N薄膜的表征被引量：2
- 2005年
- 本文利用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同生工艺条件下的InxGa1-xN薄膜的制备,并通过XRD、SEM、AFM等测量分析方法系统研究了生长工艺参数对InxGa1-xN薄膜的组分和性质的影响。InxGa1-xN薄膜的制备包括蓝宝石衬底表面上GaN缓冲层的生长以及缓冲层上InxGa1-xN薄膜的沉积两个过程。通过对所制备InxGa1-xN薄膜的XRD、SEM、AFM分析发现,调节生长温度和TMGa的流量可以有效控制InxGa1-xN薄膜中In的组分,并且随着生长温度的升高,InxGa1-xN薄膜的表面缺陷减少。
- 李亮张荣谢自力张禹修向前刘成祥毕朝霞陈琳刘斌俞慧强韩平顾书林施毅郑有炓
- 关键词：MOCVD缓冲层
- 获得大面积高质量GaN自支撑衬底的方法
- 获得大面积高质量GaN自支撑衬底的方法,首先在蓝宝石衬底上横向外延获得低位错密度GaN薄膜;然后在ELO GaN薄膜上进行氢化物气相外延,获得大面积、低位错密度的GaN厚膜;采用激光扫描辐照剥离技术,将GaN厚膜从蓝宝石...
- 张荣修向前徐剑顾书林卢佃清毕朝霞沈波刘治国江若琏施毅朱顺明韩平胡立群
- 文献传递
- 激光剥离制备自支撑氮化镓衬底的方法
- 激光剥离制备自支撑氮化镓衬底的方法,采用准分子激光器:激光波长所对应的能量小于蓝宝石带隙能,但是大于GaN的带隙能,激光辐照透过蓝宝石衬底,辐照蓝宝石－氮化镓界面处的GaN,然后加热或弱酸腐蚀,将GaN和蓝宝石分离开来,...
- 张荣修向前徐剑顾书林卢佃清毕朝霞沈波刘治国江若琏施毅朱顺明韩平胡立群
- 文献传递
- 利用In金属纳米点催化合成生长InN纳米点的方法
- 利用In金属纳米点催化合成生长InN纳米点的方法，利用MOCVD方法在蓝宝石(0001)衬底上催化合成生长InN纳米点材料，蓝宝石(0001)衬底放入生长室，预先用MOCVD生长技术在衬底表面形成金属纳米点，生长室温度在...
- 谢自力张荣修向前毕朝霞刘斌于英仪俞慧强郑有炓顾书林沈波江若琏施毅韩平朱顺明胡立群
- 文献传递
- Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3/Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的电容-电压特征(英文)
- 2001年
- 通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质界面二维电子气 ( 2DEG)的浓度在 -1 0V偏压下从 1 5 6× 1 0 13 cm-2 下降为 5 6× 1 0 12 cm-2 。由于PZT薄膜的铁电极化 ,在 -1 0V偏压下可以观察到宽度为 0 2V的铁电C V窗口 ,表明在没有铁电极化方向反转的条件下 ,PZT/AlxGa1-xN/GaNMFS结构也能出现存储特性。因为 2DEG带来的各种优点 ,可以认为AlxGa1-xN/GaN异质结构在以存储器为目标的MFS场效应晶体管中有重要应用。
- 沈波李卫平周玉刚毕朝霞张荣郑泽伟刘杰周慧梅施毅刘治国郑有炓Someya TArakawa Y
- 关键词：C-V特性铁电薄膜ALXGA1-XN/GAN
