陶永升
- 作品数：6 被引量：8H指数：2
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：文化科学理学一般工业技术电子电信更多>>
- Ag(110)表面并四苯薄膜生长光电子谱研究被引量：2
- 2005年
- 利用光电子能谱研究了有机半导体并四苯 (tetracene)与金属Ag(110 )界面的相互作用特性和电子性质 ,UPS测量给出tetracene的价带结构 ,其价带顶 (HOS)位于费密能级以下约 2 6eV处。XPS测量显示Ag 3d和C 1s谱峰几乎没有位移 ,表明tetranece与衬底Ag之间相互作用弱。随着tetracene在Ag(110 )表面的沉积 ,功函数在初始阶段快速减小 ,继续沉积te tracene其功函数回升并达到饱和。tetracene沉积初始阶段的功函数减小归结于有机分子在表面的极化 ,而随后增加的起因则是有机分子间的退极化。
- 陶永升张寒洁吕斌黄寒李海洋鲍世宁何丕模
- 关键词：光电子谱薄膜生长价带电子性质功函数有机半导体
- 有机半导体界面性质和输运性质的研究
- 陶永升
- 关键词：有机半导体输运性质
- Ge在Ru(0001)表面上生长及其性质研究被引量：1
- 2005年
- 报道Ge在Ru(0 0 0 1)表面上生长以及相互作用行为的扫描隧道显微镜 (STM)和x射线光电子能谱 (XPS)研究 .STM的实验结果表明Ge在Ru(0 0 0 1)表面的生长呈典型的Stranski_Krastanov生长模式 ,Ge的覆盖度小于单原子层时呈层状生长 ,而从第二层开始呈岛状生长 .XPS测量显示衬底Ru(0 0 0 1)与Ge的相互作用很弱 .Ru(0 0 0 1)表面的Ru 3d5 2 和Ru 3d3 2 芯态结合能分别处于 2 79 8和 2 84 0eV .随着Ge的生长 ,到Ge层的厚度为 2 0个单原子层 ,衬底Ru 3d芯态结合能减小了约 0 2eV ,而Ge 3d芯态结合能从Ge低覆盖度时的 2 8 9eV增加到了 2 9 0eV ,其相对位移约为 0 1eV .
- 胡昉张寒洁吕斌陶永升李海洋鲍世宁何丕模王学森
- 关键词：结合能单原子相互作用覆盖度
- 浅谈新形势下的大学生责任教育
- 2007年
- 大学生责任教育是大学生德育的重要组成部分。本文通过分析大学生责任感缺失的原因和表现,创新新形势下大学生责任教育的内容,并有针对性地提出了加强大学生责任教育的方法和手段,努力提高大学生的责任意识修养,从而更好的发挥学校的育人功能。
- 陶永升陈子立汪俊斐
- 关键词：大学生责任教育育人功能
- 有机半导体在有序材料表面的吸附结构和电子性质的研究
- 过去几十年，由于有机半导体材料合成的多样化，材料的高产率和低成本，并能够根据功能需要进行准确的控制等优势，在有机发光二极管(OLEDs）、有机光伏电池(OPVs)、气体传感器、异质结结构、超快光开关等有机元器件中显示了巨...
- 陶永升
- 关键词：有机半导体电子性质
