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刘峥

作品数:5 被引量:14H指数:2
供职机构:西安理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信经济管理更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇经济管理

主题

  • 3篇脉冲
  • 2篇电源
  • 2篇直流电
  • 2篇直流电源
  • 2篇自激励
  • 2篇开关器件
  • 2篇空气隙
  • 2篇高压直流
  • 2篇高压直流电源
  • 2篇功率开关
  • 2篇功率开关器件
  • 2篇光电
  • 2篇光电导开关
  • 2篇封装
  • 2篇封装外壳
  • 2篇超快脉冲
  • 1篇增益
  • 1篇智力资本
  • 1篇上市公司
  • 1篇砷化镓

机构

  • 5篇西安理工大学

作者

  • 5篇刘峥
  • 4篇徐鸣
  • 4篇施卫
  • 4篇王馨梅
  • 3篇侯磊
  • 1篇屈光辉
  • 1篇田立强
  • 1篇刘红

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇高电压技术

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2009
  • 2篇2008
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
超快脉冲功率开关器件及自激励皮秒量级功率脉冲发生器
本发明公开了一种超快脉冲功率开关器件,包括半绝缘超快半导体材料、空气隙、传输线和同轴端子依次连接构成。本发明还公开了一种自激励皮秒量级功率脉冲发生器,由高压直流电源与电阻、电容依次串联构成回路,高压直流电源的负极接地;超...
施卫王馨梅侯磊徐鸣刘峥
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超快脉冲功率开关器件及自激励皮秒量级功率脉冲发生器
本发明公开了一种超快脉冲功率开关器件,包括半绝缘超快半导体材料、空气隙、传输线和同轴端子依次连接构成。本发明还公开了一种自激励皮秒量级功率脉冲发生器,由高压直流电源与电阻、电容依次串联构成回路,高压直流电源的负极接地;超...
施卫王馨梅侯磊徐鸣刘峥
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高压ns光电导开关及其击穿特性研究被引量:6
2009年
对GaAs光电导开关的电极进行刻蚀处理,可极大地分散电极处的电场强度,有效避免局部电场的过于集中,从而增大开关的耐压和通流能力,为有效应用这一技术,用有限元方法模拟分析了不同角度刻蚀方案对电极处电场分布的影响,研制了32 kV、峰值电流3.7 kA的高压纳秒GaAs光电导开关。根据实验结果分析了光电导开关在强场下的击穿机理,指出开关击穿主要由开关体负阻效应在开关阳极产生的空间电荷累积所导致的开关阳极电场剧增引起的;同时,基于转移电子效应对开关击穿电压进行了理论计算,计算结果与实验相吻合。
刘红屈光辉王馨梅田立强刘峥徐鸣施卫
关键词:砷化镓光电导开关击穿脉冲功率
高增益双层组合GaAs光电导开关设计与实验研究被引量:8
2008年
设计制备了一种由双层半绝缘GaAs:EL2晶体组成的新型超快光电导功率开关.由于触发状态下双层GaAs晶体之间满足动态分压关系,使该开关在强电场偏置下触发时,双层GaAs晶体既能先后发生高增益过程,又能相互抑制对方进入锁定状态,开关输出为近似方波的双峰脉冲.因此,这种开关的工作方式既具有非线性模式特有的所需触发光能小、上升速度快等优点,又具有线性模式特有的重复工作频率高、使用寿命长等优点.偏压6500 V时用脉宽8 ns、能量3 mJ的1064 nm激光触发,输出电脉冲的上升沿为13.2 ns,下降沿为54.6 ns,脉宽为148.4 ns,第一个波峰高885 V,第二个波峰高897 V.随着外加偏置电压的提高,上升时间基本不变,脉宽和下降时间均略有减小,双峰峰值均明显增大.
施卫王馨梅侯磊徐鸣刘峥
关键词:光电半导体开关高增益
智力资本对企业价值影响的实证研究——以中小板西部地区上市公司为样本
知识经济是21世纪的主流经济形势,这种新的经济模式是从农业经济与工业经济过渡而来的,相对于传统经济而言,其关键的生产要素为知识。知识要素在推动国家经济增长与企业价值创造中发挥的作用日益强烈,人们逐渐认识到企业价值的决定因...
刘峥
关键词:上市公司智力资本
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共1页<1>
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