周鼎
- 作品数：26 被引量：39H指数：3
- 供职机构：上海大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金上海市科学技术委员会资助项目更多>>
- 相关领域：文化科学一般工业技术化学工程理学更多>>
- Nd^(3+)掺杂Lu_2O_3透明陶瓷的制备和光学性能被引量：3
- 2011年
- 通过化学途径合成了Nd3+掺杂的氧化镥纳米晶粉体,研究了工艺条件对粉体性能及透明陶瓷光学性能的影响,通过优化工艺参数,获得了晶粒均匀、尺寸在30 nm的高质量的Nd:Lu2O3纳米晶粉体。采用复合溶液法合成的粉体,经等静压成型、流动H2气氛及1880℃/8 h烧结后制备出光学透明性好的Nd:Lu2O3透明陶瓷,其在1080nm波长处的实测折射率为1.908,直线透过率超过75%,发射截面(σem)达到6.5×10-20cm2。
- 周鼎施鹰徐家跃
- 关键词：化学合成光学性能
- 面向应用型二类本科高校的考研引导机制被引量：2
- 2014年
- 应用型二类本科高校的考研引导机制区别于985、211等知名高校。应用型二类本科高校的考研学生在生源特点、高校资源等方面处于劣势。分析应用型二类本科高校的学生特点,建立适用于应用型二类本科高校的多级考研引导机制,目的在于帮助有志读研的学生继续深造。
- 周鼎常程康陈惠芬
- Nd3+掺杂Lu2O3透明陶瓷的制备和光学性能
- 通过化学途径合成了Nd3+掺杂的氧化镥纳米晶粉体,研究了工艺条件对粉体性能及透明陶瓷光学性能的影响,通过优化工艺参数,获得了晶粒均匀、尺寸在30nm的高质量的Nd:Lu2O3纳米晶粉体。采用复合溶液法合成的粉体,经等静压...
- 周鼎施鹰徐家跃
- 关键词：化学合成光学性能
- 文献传递
- Ce:LuAG粉体的溶胶-凝胶燃烧法制备和发光性能被引量：3
- 2014年
- 以尿素、甘氨酸为燃烧助剂,采用低温溶胶-凝胶燃烧法制备多晶Ce离子掺杂Lu3Al5O12（Ce∶LuAG）粉体.X射线衍射（XRD）检测结果表明,前驱体在700℃条件下开始出现弱的晶化峰,850℃时晶化逐步完全,1 000℃时晶粒发育完善,得到单相Ce∶LuAG粉体,一次粒径约40 nm.紫外激发条件下,Ce掺杂LuAG粉体表现出涵盖480～700 nm的宽带发射,中心位置位于530 nm左右.随着煅烧温度的提高,两种燃烧助剂所得Ce∶LuAG粉体的发光强度明显增强,甘氨酸法所得粉体的分散性和发光强度均优于尿素法.
- 陈杰张其冲王志远胡飒英周鼎
- 关键词：荧光光谱
- Ce,Pr:YLuAG原料合成、晶体生长及LED应用被引量：2
- 2015年
- 采用共沉淀法合成了Ce,Pr:YLu AG粉末,在1450℃下煅烧可获得石榴石结构纯相。经过压制成型、固相烧结等工艺制备了多晶料棒,TEM显示二次烧结获得的料棒具有良好的结晶性。采用光学浮区法生长了Ce,Pr:YLu AG晶体。晶体通体透明,呈浅黄色,肩部有少量裂纹。透过率达到81.8%,接近于理论值84.2%。晶体在460 nm波长激发下呈现530 nm发射带和610 nm发射峰,分别对应Ce3+和Pr3+的特征发射,表明Ce3+可以向Pr3+进行能量转移;在487 nm激发下晶体仅出现Pr3+离子的特征发射峰。Ce,Pr:YLu AG晶体色坐标为(0.474,0.495),比商用Ce:YAG荧光粉更靠近红光区域,可以弥补现有荧光粉不足,更适合制造白光LED。
- 牛雪姣徐家跃周鼎王树贤张怀金
- 关键词：晶体生长掺杂
- Nd<Sup>3+</Sup>离子掺杂的Lu<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>透明激光陶瓷的制备方法
- 本发明涉及一种Nd<Sup>3+</Sup>离子掺杂的Lu<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>透明激光陶瓷的制备方法，属稀土金属元素光学透明陶瓷制备工艺技术领域。本发明采用氨水和碳酸氢铵复合沉淀剂溶液，其两...
- 施鹰周鼎谢建军云平
- 文献传递
- Ce<Sup>3+</Sup>掺杂的硅酸镥多晶发光粉体的制备方法
- 本发明涉及一种稀土Ce离子掺杂的硅酸镥多晶发光粉体的制备方法，属稀土化合物发光粉体制备工艺技术领域。本发明方法的特点是以气凝二氧化硅、氢氧化钠、硝酸镥、硝酸铈为原料，以尿素为沉淀剂，经水热处理后得到硅酸镥粉体的前驱体沉淀...
- 施鹰云平谢建军周鼎邱华军
- 文献传递
- Lu_2O_3纳米粉体和透明陶瓷中掺杂Nd^(3+)的局域结构研究
- 2011年
- 利用扩展X射线吸收精细结构光谱(EXAFS)研究了不同掺杂浓度Nd3+∶Lu2O3纳米粉体和透明陶瓷中Nd3+的局域结构.结果表明,在不同条件下Nd3+均以固溶取代Lu3+的方式进入Lu2O3基质晶格,掺杂Nd3+原子的第一配位键长约为0.225 nm,小于Nd2O3纳米粉中Nd—O第一近邻键长0.251 nm,而大于Lu2O3中Lu—O第一近邻键长0.221 nm.在Lu2O3晶格中掺杂Nd离子的局域环境与基质晶体场、掺杂浓度以及材料聚集状态密切相关,随着Nd掺杂量从0.5%提高至3%,纳米粉体无序度由5.6×10-4nm2升高到8.5×10-4nm2,Nd3+∶Lu2O3纳米粉体中Nd3+的第一近邻Nd—O键长、配位数和无序度因子均比透明陶瓷的大.
- 任玉英周鼎郭婧施鹰谢建军谢治贺博
- 关键词：局域结构纳米粉体透明陶瓷
- 采用有机化合物辅助低温制备Ce<Sup>3+</Sup>掺杂硅酸镥发光粉体的方法
- 本发明涉及一种采用有机化合物辅助低温制备Ce<Sup>3+</Sup>掺杂硅酸镥发光粉体的方法，属稀土化合物发光粉体制备工艺技术领域。本发明的特点是：以三氯化镥(LuCl<Sub>3</Sub>)，正硅酸乙酯(TEOS)...
- 云平施鹰谢建军周鼎
- 文献传递
- LED用硅掺杂GaAs晶体的生长与表征(英文)被引量：4
- 2012年
- 采用坩埚下降法生长了LED用硅掺杂<511>取向的GaAs晶体。选用带籽晶槽的PBN坩埚作为生长容器,密封在石英安瓶中以防止生长过程中As蒸汽挥发。研究了掺杂工艺、固液界面形貌和生长缺陷。结果表明:孪晶化是硅掺杂GaAs晶体生长的主要问题。探讨了孪晶形成机理,优化了生长工艺,成功获得了直径2英寸高质量的硅掺杂GaAs晶体,双摇摆曲线显示所得晶体的FWHM为40 arcsec。
- 金敏徐家跃房永征何庆波周鼎申慧
- 关键词：GAAS晶体生长坩埚下降法孪晶
