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唐吉龙

作品数：114 被引量：133H指数：5
供职机构：长春理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金高功率半导体激光国家重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 68篇专利
  • 37篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 3篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 35篇电子电信
  • 17篇理学
  • 10篇一般工业技术
  • 5篇机械工程
  • 4篇化学工程
  • 2篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇农业科学

主题

  • 30篇半导体
  • 28篇激光
  • 22篇激光器
  • 21篇纳米
  • 15篇半导体激光
  • 15篇半导体激光器
  • 12篇纳米线
  • 10篇光谱
  • 10篇光纤
  • 9篇金刚石薄膜
  • 9篇光电
  • 9篇发光
  • 9篇波长
  • 9篇波导
  • 8篇光波
  • 7篇分子束
  • 7篇分子束外延
  • 6篇载流子
  • 6篇空穴
  • 6篇焊料

机构

  • 112篇长春理工大学
  • 10篇中国科学院
  • 8篇中国科学院长...
  • 3篇南昌大学
  • 2篇长春光学精密...
  • 2篇东北师范大学
  • 1篇哈尔滨师范大...
  • 1篇中国地质大学...
  • 1篇中国科学院光...
  • 1篇吉林省林业调...
  • 1篇北华大学师范...
  • 1篇深圳市杰普特...
  • 1篇中国科学院空...

作者

  • 114篇唐吉龙
  • 69篇方铉
  • 63篇王晓华
  • 59篇房丹
  • 54篇马晓辉
  • 48篇贾慧民
  • 29篇王登魁
  • 26篇魏志鹏
  • 22篇楚学影
  • 21篇王菲
  • 21篇李金华
  • 16篇王新伟
  • 14篇高娴
  • 14篇方芳
  • 9篇冯源
  • 8篇范杰
  • 8篇陈芳
  • 7篇张宝顺
  • 7篇赵海峰
  • 7篇张晶

传媒

  • 5篇光子学报
  • 4篇纳米科技
  • 3篇红外与激光工...
  • 3篇中国激光
  • 3篇光谱学与光谱...
  • 3篇长春理工大学...
  • 2篇激光与光电子...
  • 2篇材料导报
  • 2篇兵工学报
  • 1篇河北师范大学...
  • 1篇农业工程学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇真空
  • 1篇应用光学
  • 1篇测试技术学报
  • 1篇激光与红外
  • 1篇东北师大学报...
  • 1篇吉林广播电视...
  • 1篇科学技术与工...
  • 1篇中国兵工学会...

年份

  • 4篇2024
  • 7篇2023
  • 9篇2022
  • 7篇2021
  • 13篇2020
  • 15篇2019
  • 8篇2018
  • 8篇2017
  • 6篇2016
  • 11篇2015
  • 6篇2014
  • 4篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2003
共 114 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种高响应度的雪崩光电二极管结构
一种高响应度的雪崩光电二极管结构涉及雪崩二极管技术领域，解决了低噪声和高倍增增益难以同时实现的问题，二极管结构为纳米线型，包括从下至上顺次设置的GaAs倍增层、窄带隙插入层和吸收层；插入层的材料为GaAs<Sub>1‑x...
王登魁魏志鹏陈雪方铉房丹林逢源唐吉龙李科学马晓辉
文献传递
PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响（英文）被引量：2
2016年
研究通过等离子增强原子层沉积（PEALD）在不同沉积温度下生长的A1N温度对其特性的影响。前驱体是NH3和TMA，在300oC、350oC和370oC沉积温度下分别沉积了200、500、800、1000、1500周期的A1N层，并讨论了A1N薄膜的生长速率、结晶化和表面粗糙度。结果表明，在300—370℃范围内，随着温度的上升薄膜的沉积速率和结晶化增加，而薄膜表面粗糙度减小。
陈芳方铉王双鹏牛守柱方芳房丹唐吉龙王晓华刘国军魏志鹏
关键词：氮化铝生长速率结晶化沉积温度
一种探测器材料及其制备方法
本发明属于新材料技术领域。本发明提供了一种探测器材料的制备方法，本发明通过在砷化镓衬底表面外延缓冲层，并在缓冲层上沉积二氧化硅层，利用光刻、刻蚀的工艺对缓冲层上条形生长区域内的二氧化硅层刻蚀掉，且条形生长区域的宽度连续变...
魏志鹏唐吉龙贾慧民李科学林逢源陈锐宿世臣马晓辉王晓华
一种提高n型GaSb基半导体激光器材料掺杂浓度的方法
本发明公开了一种提高n型GaSb基半导体激光器材料载流子掺杂浓度的方法。该方法通过在掺杂源源炉上设置高温裂解装置实现多聚体掺杂源裂解为单原子分子，使掺杂源以单原子分子的形式掺杂到材料内部，所涉及的高温裂解装置上设有针阀，...
魏志鹏贾慧民唐吉龙牛守柱王登魁王新伟冯源王晓华马晓辉
文献传递
掺氮类金刚石薄膜的微观结构和光学特性研究被引量：1
2012年
采用射频等离子增强化学气相沉积法(PECVD)制备掺氮类金刚石薄膜(DLC:N),通过原子力显微镜,拉曼光谱和椭圆偏振光谱等对试验样品进行研究,实验结果表明,在薄膜中,氮元素主要以C=N键的形式存在,起到了降低薄膜内应力,提高薄膜附着力的作用;此外,通过控制掺氮量可以制得折射率在1.85～1.6范围内的DLC薄膜。
韩旭唐吉龙
关键词：类金刚石薄膜原子力显微镜拉曼光谱椭圆偏振光谱
中红外腔衰荡光谱技术的研究进展及应用
2024年
中红外基频指纹吸收谱具有吸收强、谱线宽且密集的特点。通常吸收红外光谱的气体分子在3000cm^(-1)附近的中红外基频吸收强度比近红外吸收高约2个数量级,因此逐渐成为腔衰荡光谱(CRDS)技术的研究热点。简述了CRDS技术的工作原理及技术优势,介绍了中波红外CRDS技术特点并分析对比了近红外与中红外波段的CRDS技术差异,论述了基于中红外波段的CRDS技术研究现状,最后基于应用研究进展对其前景进行了展望。
孙乐孙乐胡誉元貊泽强魏志鹏
关键词：光谱学中红外气体检测
碳量子点的合成、性质及其应用被引量：26
2015年
碳量子点(CQDs,C-dots or CDs)是一种新型的碳纳米材料,尺寸在10nm以下,具有良好的水溶性、化学惰性、低毒性、易于功能化和抗光漂白性、光稳定性等优异性能,是碳纳米家族中的一颗闪亮的明星。自从2006年[1]报道了碳量子点(CQDs)明亮多彩的发光现象后,世界各地的研究小组开始对CQDs进行了深入的研究。最近几年的研究报道了各种方法制备的CQDs在生物医学、光催化、光电子、传感等领域中都有重要的应用价值。这篇综述主要总结了关于CQDs的最近的发展,介绍了CQDs的合成方法、表面修饰、掺杂、发光机理、光电性质以及在生物医学、光催化、光电子、传感等领域的应用。
李婷唐吉龙方芳房丹方铉楚学影李金华王菲王晓华魏志鹏
关键词：光致发光生物成像光催化
一种增强发光效率稳定输出波长的半导体激光器
本发明公开了一种增强发光效率稳定输出波长的半导体激光器。该半导体激光器通过在传统半导体激光器外延材料制备基础上，在半导体激光器外延结构中的上波导层上制备周期分布的金属纳米圆盘阵列实现增强发光效率稳定输出波长，所涉及的金属...
方铉魏志鹏唐吉龙房丹贾慧民王登魁王菲李金华楚学影王晓华
文献传递
酸溶法光纤传像束暗丝问题研究
通过对酸溶法光纤传像束材料和拉制工艺方面的研究,阐述了酸溶法光纤传像束的工艺原理。从玻璃材料的质量和玻璃管的几何缺陷等方面,分析了产生暗丝的一些因素,并提出相应的改进措施,在降低暗丝率方面收到了较好的效果,并给出了有关酸...
于凤霞周艳艳唐吉龙张文涛王新伟刘禹
关键词：光电子学光纤传像束酸溶法
文献传递
一种利用应力调控实现纯相GaAs纳米线的制备方法
本发明公开了一种利用应力调控实现纯相GaAs纳米线的制备方法。该方法通过在GaAs纳米线外包覆GaAsSb外壳，利用GaAs和GaAsSb之间晶格失配产生的应力使GaAs纳米线晶体结构由WZ/ZB(纤锌矿/闪锌矿)结构转...
魏志鹏唐吉龙方铉亢玉彬王登魁房丹王新伟贾慧民王晓华马晓辉
文献传递
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