贾慧民
- 作品数：50 被引量：20H指数：3
- 供职机构：长春理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学轻工技术与工程电气工程更多>>
- 一种纳米线阵列器件的制备方法
- 本发明涉及一种纳米线阵列器件的制备方法，该方法通过在生长纳米线的衬底上制备Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>As薄膜作为牺牲层，纳米线生长在Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</S...
- 贾慧民魏志鹏唐吉龙亢玉彬方铉李洋林逢源王登魁马晓辉
- CVD法制备的高结晶质量二维β-Ga_(2)O_(3)薄膜性质研究
- 2022年
- 为了能够得到高质量的薄膜,降低实验成本,通过化学气相沉积(CVD)方法以GaTe粉作为Ga源在云母衬底上合成了β-Ga_(2)O_(3)薄膜。通过改变生长温度、载气和生长时间得到高结晶质量的β-Ga_(2)O_(3)薄膜,并通过X射线衍射(XRD)和拉曼光谱进行证实。XRD结果显示,薄膜的最佳生长温度为750℃。对比不同载气下合成的β-Ga_(2)O_(3)薄膜可知,Ar气是生长薄膜材料的最佳环境。为了实现高结晶质量的β-Ga_(2)O_(3)薄膜,在Ar气环境下改变薄膜的生长时间,XRD结果发现,生长时间20 min的薄膜具有高结晶质量。最后,将其转移到300 nm厚氧化层的Si/SiO_(2)衬底上,并通过原子力显微镜测试,证实了16 nm厚的二维Ga_(2)O_(3)薄膜。
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- 关键词：化学气相沉积
- 一种量子点带间级联激光器
- 本申请公开了一种锑化物量子点带间级联激光器。该激光器是通过在GaSb衬底上，依次制备下限制层、下波导层、级联区、上波导层、上限制层、InAs接触层。本申请公开的这种激光器采用量子点有源区作为该带间级联激光器的有源区，利用...
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- 文献传递
- 一种提高n型GaSb基半导体激光器材料掺杂浓度的方法
- 本发明公开了一种提高n型GaSb基半导体激光器材料载流子掺杂浓度的方法。该方法通过在掺杂源源炉上设置高温裂解装置实现多聚体掺杂源裂解为单原子分子，使掺杂源以单原子分子的形式掺杂到材料内部，所涉及的高温裂解装置上设有针阀，...
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- 文献传递
- 一种增强发光效率稳定输出波长的半导体激光器
- 本发明公开了一种增强发光效率稳定输出波长的半导体激光器。该半导体激光器通过在传统半导体激光器外延材料制备基础上，在半导体激光器外延结构中的上波导层上制备周期分布的金属纳米圆盘阵列实现增强发光效率稳定输出波长，所涉及的金属...
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- 文献传递
- 一种利用应力调控实现纯相GaAs纳米线的制备方法
- 本发明公开了一种利用应力调控实现纯相GaAs纳米线的制备方法。该方法通过在GaAs纳米线外包覆GaAsSb外壳，利用GaAs和GaAsSb之间晶格失配产生的应力使GaAs纳米线晶体结构由WZ/ZB(纤锌矿/闪锌矿)结构转...
- 魏志鹏唐吉龙方铉亢玉彬王登魁房丹王新伟贾慧民王晓华马晓辉
- 文献传递
- 一种具有高热导率的半导体衬底及其制备方法
- 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种具有高热导率的半导体衬底及其制备方法。本发明提供的衬底背面具有周期孔洞结构，周期孔洞结构中制备了表面和衬底背面齐平的金刚石薄膜，增加了衬底材料与金刚石的接触面积，提高了衬底的热导率，利...
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- 文献传递
- 一种钙钛矿微型激光器的制备方法
- 本发明涉及一种钙钛矿微型激光器的制备方法，该方法利用具有载流子迁移速率高、扩散长度长、吸收系数大、量子产率高这些优点的棒状或片状的钙钛矿材料作为激光器的增益介质，用半导体激光器阵列作为激励光源对钙钛矿材料进行泵浦，激励光...
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- 文献传递
- 一种高效散热半导体衬底及其制备方法
- 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种高效散热半导体衬底及其制备方法。本发明在半导体基底背面沉积金刚石薄膜，然后在正面依次进行减薄和抛光，得到高效散热半导体衬底。本发明提供的衬底正面为极薄的半导体衬底层，背面为高效散热的金...
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- 文献传递
- 垂直腔面发射半导体激光器腔模位置对器件输出波长的影响研究
- 2019年
- 为得到高温环境下894. 6 nm稳定波长激光输出的垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL),设计并制备了腔模位置不同的VCSEL芯片;通过对VCSEL腔模位置、输出波长和温漂系数的测试分析,研究了腔模位置对器件输出波长的影响,发现腔模位置与输出波长具有线性对应关系。设计了腔模位置在890.5 nm的VCSEL外延片结构,经工艺制备得到了85℃高温环境下894.6 nm稳定波长激光输出的VCSEL芯片。实验结果表明,通过调控腔模位置可得到目标波长激光输出的VCSEL芯片,该研究为研制其他波段稳定波长激光输出的垂直腔面发射激光器奠定了基础。
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- 关键词：垂直腔面发射半导体激光器光学厚度
