田斌
- 作品数：17 被引量：96H指数：5
- 供职机构：天津大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金天津市自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺机械工程化学工程更多>>
- 用电化学方法制备多孔硅被引量：23
- 2004年
- 为了深入了解多孔硅的特性,用电化学方法在双槽电解池中腐蚀形成了不同结构形貌的多孔硅层.结果发现,在本试验控制条件下,p+掺杂的硅比n+的容易腐蚀,而且孔的分布也比较均匀.轮廓仪的分析表明,电化学方法形成的多孔硅表面和内部结构比较规则,而且深度比较大,可在MEMS技术中得到广泛应用.对试验中出现的龟裂现象进行了分析,认为这是由于孔内液体挥发产生的毛细应力多孔硅氧化过程中因晶格膨胀和易位形成的应力联合作用的结果.
- 田斌胡明张之圣
- 关键词：多孔硅形貌
- 水环境中钢铁材料腐蚀检测电化学传感器的研究
- 该论文从现场直接监检测入手,提出了局部封闭型传感器结构,研制了相应的传感器和测试仪器,并进行了金属材料表面不同部位不同腐蚀状况的检测和模拟现场实验.主要研究内容和结果有:根据目前腐蚀监察院检测的研究现状,提出了局部封闭型...
- 田斌
- 关键词：金属腐蚀
- 文献传递
- 绝缘材料表面化学制备高电导率聚吡咯薄膜的方法
- 本发明涉及一种绝缘材料表面化学制备高电导率聚吡咯薄膜的方法，属于在绝缘材料表面制备高电导率聚吡咯薄膜的技术。该方法过程包括：先用硅烷偶联剂对绝缘材料进行表面改性，晾干后浸入配制好的吡咯单体溶液中，然后浸入加有掺杂剂的氧化...
- 胡明沈腊珍张之圣古美良田斌阎实
- 文献传递
- 应用于MEMS的多孔硅的制备方法研究被引量：9
- 2004年
- 采用化学腐蚀法、单槽电化学腐蚀法和双槽电化学腐蚀法来进行多孔硅的制备,通过对比这三种方法所制备多孔硅的表面形貌特征,发现双槽电化学腐蚀法与其它两种方法相比,具有孔径尺寸小(可达5～10 am)、均匀性好、腐蚀深度大(可达几百nm)等优点,其制备的多孔硅更符合在MEMS中应用的要求.最后对双槽电化学腐蚀法中腐蚀时间及电流密度对腐蚀速率的影响进行了研究.
- 韩建忠倪国强崔梦胡明田斌
- 关键词：多孔硅MEMS微电子机械系统
- 化学刻蚀法制备多孔硅的表面形貌研究被引量：15
- 2004年
- 应用各种表面形貌分析方法如SEM、TEM、AFM等,通过对用化学刻蚀法形成的多孔硅进行表面形貌分析,发现由于横向腐蚀比较严重而使多孔硅层在达到一定深度后就会自动脱落。腐蚀中由于大量H2的析出,对硅晶体产生巨大的应力,这些应力使硅在比较脆弱的晶粒边界或缺陷处产生微裂纹,多孔硅就从这些地方开始和生长。
- 胡明田斌王兴张景阳张之圣
- 关键词：多孔硅表面形貌应力微裂纹
- QFN封装电磁屏蔽用化学镀Cu的研究
- 本论文是在环氧树脂塑料封装基底表面利用化学镀铜方法制备电磁屏蔽薄膜的研究。结果表明，所得到的化学镀铜工艺稳定性好、镀液寿命长，铜镀层具有表面电阻率低、均匀性好、电磁屏蔽(EMI shielding)性能良好、与基底间的结...
- 田斌
- 关键词：化学镀铜表面电阻率
- 文献传递
- 高温高压水溶液用Ag/AgCl参比电极研究现状及发展趋势被引量：24
- 2003年
- 对目前国内外高温高压水溶液用Ag/AgCl参比电极的研究现状进行了回顾和总结 ,主要针对内置式参比电极和外置式参比电极的结构和存在的问题进行了讨论 .两种电极在结构上的发展都是从复杂到简单实用 ,大量新材料和新技术的应用使参比电极的性能有了很大的提高 .相比来说 ,内置式参比电极由于结构简单 ,电位稳定 ,比较适合用于热力学方面的研究 ;而外置式参比电极的结构比较复杂 ,适合于动力学方面的研究 .并对参比电极的发展趋势进行了展望 .
- 田斌胡明李春福罗平亚
- 关键词：参比电极
- CMOS MEMS技术的现状及展望被引量：4
- 2004年
- 简要介绍了MEMS的发展状况及CMOS工艺在MEMS中的地位。主要介绍了pre-CMOS,interme-diate-CMOS和post-CMOS三种不同的CMOSMEMS工艺。详细讨论了CMOSMEMS今后将面临的挑战及其未来应用领域,最后,根据国内情况对我国CMOSMEMS的发展提出了建议。
- 胡明崔梦田斌窦燕巍
- 关键词：CMOSMEMS技术
- 多孔硅内部残余应力的研究被引量：1
- 2005年
- 多孔硅在形成过程中由于内部产生巨大的拉伸应力,在裂纹的中心部位拉伸应力可达到0.92GPa,导致在硅晶体内部较脆弱的部位(如晶界附近)形成微裂纹,多孔硅沿着硅表面缺陷和裂纹区生长。随着刻蚀时间的增加,多孔硅孔隙率增加,拉伸应力进一步增加。正是由于这种残余应力的存在导致了多孔硅发生龟裂现象。
- 田斌胡明崔梦雷振坤亢一澜
- 关键词：多孔硅孔隙率残余应力微裂纹
- 多孔硅及其在MEMS中的应用被引量：5
- 2003年
- 具有不同孔径尺寸和孔隙率的多孔硅在不同的 MEMS中可作为功能结构层和牺牲层。简要介绍了多孔硅的结构和制备方法 ;与体微机械和表面微机械加工技术相比 ,多孔硅技术的优势被详细阐述 ;针对多孔硅材料的性质 ,讨论了多孔硅在不同领域的应用。
- 马家志胡明田斌张之圣王博
- 关键词：多孔硅MEMS微机械加工微电子机械系统
