郑月红
- 作品数：24 被引量：21H指数：2
- 供职机构：大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：教育部重点实验室开放基金国家自然科学基金江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺电子电信理学更多>>
- 添加强相互作用组元Fe(or Sn)提高固溶态Cu(Ge)膜的稳定性
- 郑月红李晓娜孙伟程肖甜刘苗董闯
- 一种用团簇固溶模型稳定N的高硬度Cu合金薄膜及其制备方法
- 一种用团簇固溶模型稳定N的高硬度Cu合金薄膜及其制备方法，属新材料技术领域。在含N气氛中溅射薄膜，将一定团簇比例的(Ni,Nb)添加到Cu中以稳定N，调节合金元素的比例，可控制固定的N含量，使Cu合金薄膜中Nb/Ni原子...
- 李晓娜郑月红董闯
- 文献传递
- 一种稳定的高电导Cu-Ge-Fe三元稀合金薄膜及其制备工艺
- 本发明涉及一种稳定的高电导Cu‑Ge‑Fe三元稀合金薄膜及其制备工艺，属于新材料领域。这种稳定的高电导Cu‑Ge‑Fe三元稀合金薄膜中大原子半径非金属组元Ge的添加量是第三组元金属元素Fe的5～35倍，Ge和Fe添加总量...
- 李晓娜刘苗郑月红
- 文献传递
- 一种可调制带隙宽度的Fe-Cr-Si系三元非晶薄膜及其制备方法
- 一种可调制带隙宽度的Fe-Cr-Si三元非晶薄膜及其制备方法，属半导体材料技术领域。该薄膜材料具有如下通式：Fe<Sub>3</Sub>Cr<Sub>1</Sub>Si<Sub>x</Sub>，x为8~18；随着x从8增...
- 李晓娜郑月红董闯
- 一种可调制带隙宽度的Fe-Si-Al系三元非晶薄膜及其制备方法
- 一种可调制带隙宽度的Fe-Si-Al三元非晶薄膜及其制备方法，属半导体材料技术领域。此薄膜材料具有如下通式：Fe<Sub>(1-x-y)</Sub>Si<Sub>x</Sub>Al<Sub>y</Sub>，其中：50at...
- 李晓娜郑月红董闯
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- β-FeSi2型多元非晶合金的设计及表征
- 非晶FeSi2与晶态β-FeSi2相似，具有半导体性能，室温下有0.89～0.90 eV的直接带隙，且长程无序状态的非晶态β-FeSi2能有效回避晶格失配、缺陷以及多相掺杂等问题，易于大面积生长，制备工艺简单。所以非晶F...
- 郑月红
- 关键词：非晶薄膜磁控溅射光电性能
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- 一种非晶铁硅锂离子电池负极材料及其制备方法与应用
- 一种非晶铁硅薄膜锂离子电池负极材料及其制备方法与应用，属于锂离子电池负极材料技术领域。该负极材料是一种非晶铁硅薄膜，具有如下成分通式：Fe<Sub>x</Sub>Si<Sub>(100‑x)</Sub>，0＜x≤29（x...
- 李晓娜刘誉博郑月红黄昊董闯
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- Ti稳定N的三元Cu合金薄膜
- 2016年
- 由于铜与氮不能生成稳定的化合物,使得渗氮的方法不能用于提高铜的表面硬度。通过在Cu中添加能够稳定N的合金元素Ti,探索提高Cu表面硬度的有效方式。用磁控溅射法在Si（100）基体上制备不同Ti、N含量的Cu膜,对三元Cu合金膜进行微结构、硬度以及电阻率的分析。结果表明,加入Ti可以使N以钛氮化合物的形式稳定存在于Cu薄膜中,合金薄膜的硬度比纯Cu膜（～3.5 GPa）有了很大的提高,特别是Cu80.2Ti9.8N10.0薄膜在400℃/1 h退火后硬度依然为5.4 GPa。Ti、N含量高的Cu81.2Ti9.9N8.9薄膜的电阻率（～660μΩ·cm）比Cu88.5Ti4.3N7.2薄膜（～123μΩ·cm）高很多,但两薄膜的硬度却都约为5.2 GPa,所以,薄膜中并不是Ti、N含量越高性能越好,因此应该合理控制各组元含量。
- 李晓娜赵丽荣郑月红董闯
- 关键词：CU合金磁控溅射电阻率
- 一种用团簇固溶模型稳定N的高硬度Cu合金薄膜及其制备方法
- 一种用团簇固溶模型稳定N的高硬度Cu合金薄膜及其制备方法，属新材料技术领域。在含N气氛中溅射薄膜，将一定团簇比例的(Ni,Nb)添加到Cu中以稳定N，调节合金元素的比例，可控制固定的N含量，使Cu合金薄膜中Nb/Ni原子...
- 李晓娜郑月红董闯
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- 一种稳定的高电导Cu-Ge-Fe三元稀合金薄膜及其制备工艺
- 本发明涉及一种稳定的高电导Cu-Ge-Fe三元稀合金薄膜及其制备工艺，属于新材料领域。这种稳定的高电导Cu-Ge-Fe三元稀合金薄膜中大原子半径非金属组元Ge的添加量是第三组元金属元素Fe的5～35倍，Ge和Fe添加总量...
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