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韦亚一

作品数：196 被引量：34H指数：4
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项国家自然科学基金上海市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 173篇专利
  • 22篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 47篇电子电信
  • 36篇自动化与计算...
  • 15篇文化科学
  • 3篇机械工程
  • 2篇理学
  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 94篇光刻
  • 46篇掩模
  • 28篇版图
  • 23篇光源
  • 19篇刻蚀
  • 17篇光学
  • 16篇图像
  • 16篇半导体
  • 14篇电路
  • 14篇光刻工艺
  • 12篇集成电路
  • 11篇等离子体
  • 11篇掩模版
  • 11篇掩膜
  • 11篇光刻系统
  • 11篇成像
  • 9篇晶圆
  • 9篇分辨率
  • 8篇电子设备
  • 8篇衍射

机构

  • 196篇中国科学院微...
  • 17篇中国科学院大...
  • 5篇中国科学院上...
  • 5篇广东省大湾区...
  • 4篇中芯国际集成...
  • 2篇北京理工大学
  • 2篇浙江大学
  • 2篇东方晶源微电...
  • 1篇江苏影速集成...

作者

  • 196篇韦亚一
  • 80篇张利斌
  • 60篇董立松
  • 44篇粟雅娟
  • 17篇何建芳
  • 12篇陈颖
  • 10篇王文武
  • 8篇邵花
  • 7篇郭沫然
  • 5篇王向朝
  • 4篇李思坤
  • 4篇刘琦
  • 4篇赵利俊
  • 4篇李俊杰
  • 3篇杨涛
  • 3篇贺晓彬
  • 3篇杨红
  • 3篇高建峰
  • 2篇殷华湘
  • 2篇李俊峰

传媒

  • 6篇微纳电子技术
  • 5篇光学学报
  • 4篇微电子学
  • 2篇激光与光电子...
  • 2篇微纳电子与智...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇中国光学

年份

  • 16篇2024
  • 39篇2023
  • 29篇2022
  • 23篇2021
  • 32篇2020
  • 24篇2019
  • 7篇2018
  • 13篇2017
  • 11篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
共 196 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种半导体器件的制造方法
本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有待加工层、第一掩膜层、第一图形，所述第一图形包括关键尺寸图形；形成第一阻挡层，所述第一阻挡层厚度不超过第一图形中最邻近图形的间距的一半；填充凹槽以...
张利斌韦亚一殷华湘
文献传递
光刻胶模型校准的优化图形选择方法、装置、系统和介质
本申请提供了一种光刻胶模型校准的优化图形选择方法、装置、系统和介质，该方法包括：获取多个初始优化图形；对多个初始优化图形进行傅里叶变换得到各个初始优化图形分别对应的频谱；检测各个初始优化图形分别对应的频谱与其他频谱重复的...
王嘉硕韦亚一董立松苏晓菁
光刻质量的优化方法、装置、电子设备、介质及程序产品
本公开提供了一种光刻质量的优化方法，包括：基于特征矩阵法与布洛赫定理，确定由金属膜层表面粗糙度引入的波函数杂散项；将波函数杂散项输入至光刻质量偏差数学模型中进行计算仿真，得到金属膜层粗糙度对光刻质量的影响分析曲线，该影响...
刘丽红韦亚一丁虎文
文献传递
一种光学临近效应的修正方法、修正装置及掩模
本发明提供一种光学临近效应的修正方法，包括：获得测试图形；基于测试图形的掩模进行曝光，获得曝光数据；基于测试图形的数据和曝光数据的对应关系建立OPC第一规则库；确定待修正版图的关键区域，并获得关键区域的图形特征参数；根据...
马乐韦亚一张利斌陈睿
文献传递
先导光刻中的光学邻近效应修正被引量：4
2014年
按照逻辑器件发展的节点顺序,依次论述了各种光学邻近效应修正技术:基于经验的光学邻近效应修正、基于模型的光学邻近效应修正、曝光辅助图形、光源和掩模版的优化、反演光刻技术以及两次曝光技术等。概括了各种技术出现的逻辑技术节点、数据处理流程、修正的表现形式和效果、优势和发展前景等。最后就先导光刻工艺的研发模式(先建立光学和光刻胶模型,再进行"计算光刻"),论证了光刻工艺的研发必须和光学邻近效应修正的数据流程实现互动的观点,即任何光刻工艺参数的变动都会影响到"计算光刻"模型的准确性,需要重新进行修正,以避免原计算可能导致的失败。因此,光学邻近效应修正是先导光刻工艺研发的核心。
韦亚一粟雅娟刘艳松
一种光刻工艺禁止周期确定方法及装置
本发明公开了一种光刻工艺禁止周期确定方法，通过对目标版图中特征图形具有的每个关键尺寸，均采用不同光源条件进行仿真，以获得每种光源条件下的仿真结果，由于在不同光源条件下，每个关键尺寸的特征图形的仿真结果不同，因此不同光源条...
马玲韦亚一董立松苏晓菁
文献传递
添加亚分辨率辅助图形的方法及该方法的应用
本发明提供了一种添加亚分辨率辅助图形的方法及该方法的应用。该方法包括以下步骤：S1，从原始版图中截取具有周期结构的图形，得到待修正版图；S2，将待修正版图通过反向光刻技术进行修正，得到修正后版图，修正后版图包括符合成像要...
左晔华韦亚一刘艳松董立松
用于制造显示面板的掩模版及其参数确定方法
本申请公开一种用于制造显示面板的新型掩模版及其参数确定方法，该新型掩模版中，透光区域中包括衍射过渡区域，衍射过渡区域与遮光区域连接，衍射过渡区域中包括一组或多组间隔排列的过渡图形；过渡图形与透光区域和遮光区域相接的临界线...
郝芸芸韦亚一董立松陈睿
确定纳米光刻技术工艺窗口的方法
本发明提供一种确定纳米光刻技术工艺窗口的方法，所述方法包括：依据预定第一关键尺寸的单沟槽或单线条成像模型进行成像，获取多个聚焦值对应的第一光强分布曲线；依据预定第二关键尺寸的多线条成像模型进行成像，获取多个聚焦值对应的第...
刘丽红韦亚一董立松张利斌丁虎文
浅沟槽隔离结构的制备方法及浅沟槽隔离结构
本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制备方法及浅沟槽隔离结构，其中化学机械平坦化的方法包括：形成衬底，衬底内具有浅沟槽，且衬底表面具有研磨停止层，浅沟槽贯穿研磨停止层；沉积绝缘材料并进行退火工艺，以形成绝缘介质层，绝缘介质层的...
杨涛张月贺晓彬高建峰李俊杰韦亚一戴博伟李俊峰王文武
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