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韩莹

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：上海第二工业大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文科技成果

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇导体
  • 1篇光学
  • 1篇光学特性
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体薄膜

机构

  • 1篇上海第二工业...

作者

  • 1篇夏翔
  • 1篇陈林
  • 1篇杨永才
  • 1篇邱绍峰
  • 1篇韩莹
  • 1篇张岭
  • 1篇袁一方

年份

  • 1篇2001
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
氮化铝半导体薄膜的光学特性研究
陈林袁一方杨永才夏翔邱绍峰韩莹张岭
简要技术说明：氮化铝和氮化镓、氮化铟等都属于宽禁带的Ⅲ-Ⅴ族化合半导体。AlN为直接带隙，禁带宽度（Eg）为6.2eV，是目前Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体中禁带宽度最大的材料，具有六角纤锌矿晶体结构。近年来的研究表明，以上这些材...
关键词：
关键词：氮化铝光学特性半导体薄膜
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共1页<1>
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