马伟伟
- 作品数：5 被引量：23H指数：3
- 供职机构：江苏大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：理学电子电信金属学及工艺更多>>
- 微纳跨尺度ZnO结构的紫外发射机理研究被引量：8
- 2008年
- 利用气相输运的方法在Si(100)衬底上生长了ZnO的微纳跨尺度结构.扫描电镜照片可以明显地看到样品表面为椎顶六角微米柱-纳米棒的复合结构.样品在室温下的光致发光谱出现了很强的紫外发射峰,没有观察到与杂质或缺陷相关的深能级发射,表明样品有很好的光学质量.通过详细的研究样品的紫外发射谱与温度(83—307K)的依赖关系,发现在室温下样品的近带边发射包含两个部分,分别与自由激子发射和自由载流子到施主(受主)的跃迁(FB跃迁)相关,这个施主(受主)束缚态的离化能为124·6meV.
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- 关键词：光致发光谱
- 高温氨预处理对单晶硅衬底上镍薄膜显微结构的影响
- 2009年
- 采用K575X高分辨率溅射仪在单晶硅衬底上制备镍纳米催化剂薄膜。研究了高温氨气刻蚀对镍催化剂由连续薄膜转变成纳米颗粒的影响。探讨了预处理时间、温度和催化剂薄膜原始厚度等工艺参数对镍薄膜微结构的影响,得到了镍催化剂薄膜的氨预处理规律,并初步分析了氨气对其形貌变化的影响机理。研究结果表明,获得均匀、细小和高密度过渡镍金属催化剂颗粒的工艺条件是预处理时间、温度和催化剂薄膜原始厚度分别为12min8、00℃和10nm。
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- 关键词：溅射硅衬底
- 氧分压对化学气相沉积法合成ZnO纳米结构形貌的影响被引量：9
- 2009年
- 本文利用化学气相沉积(CVD)法在镀有Au(10 nm)膜的单晶Si(100)上制备了ZnO薄膜,并研究了不同的氧分压对ZnO形貌的影响。借助扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对样品的形貌、结晶质量和晶体生长取向进行了表征。结果表明:当O2分压较小的时候,O2只能与Zn团簇的某些界面发生反应并逐渐结晶生成层状的ZnO微米团簇。当O2分压较大的时候,ZnO通过二次生长形成由微米柱阵列和表面无序纳米线构成的分层复合结构,并且表面纳米线的密度随着氧分压的增加而增加。高分辨透射电镜(HRTEM)和选取电子衍射(SAED)分析表明,单根纳米线是沿[001]方向生长的ZnO单晶。
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- 关键词：氧化锌化学气相沉积法氧分压
- 定向ZnO纳米钉阵列的制备及生长机理被引量：4
- 2009年
- 在550℃下,采用化学气相沉积(CVD)法在镀Au(10nm)的Si(100)衬底上,制备了ZnO一维纳米钉阵列结构。X射线衍射(XRD)谱图中只显示了(002)衍射峰,其半峰全宽为0.166°,表明制备的纳米钉阵列具有高度c轴择优生长取向的特点和较高的结晶质量,高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和选区电子衍射图(SAED)谱的结果表明所得到的单根纳米钉为沿(002)生长的单晶结构;同时,对一维纳米钉阵列的生长机理进行了分析。结果表明:由于Si与ZnO之间大的晶格失配度,首先在Si表面沉积一层富Zn的ZnOx薄膜缓冲层,然后通过VLS机理中的底端生长模式生长成为纳米钉阵列结构。
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- 关键词：化学气相沉积
- 预置镍化学气相沉积法制备定向碳纳米管(英文)被引量：2
- 2009年
- 采用化学气相沉积法(CVD),在溅射了镍薄膜的硅基底上制备了定向碳纳米管薄膜。对镍薄膜的氨气预处理过程及其机理进行了研究。结果发现预处理后的岛状区域随着薄膜厚度的增加而增加,纳米粒子区域的变化则与之相反。对5nm的镍薄膜进行预处理能获得细化和均匀分布的纳米粒子,有利于定向碳纳米管的生长。碳纳米管的生长过程及其细微结构与温度有很大关系。碳源的分解、碳原子在催化剂内部的扩散以及催化剂粒子的团聚三者之间的竞争决定了碳纳米管的生长情况。本文分析了碳纳米管的顶部生长模式及该模式下催化剂粒子的形态变化。
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- 关键词：刻蚀定向碳纳米管化学气相沉积
