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文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 4篇理学

主题

  • 3篇晶体
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶体
  • 2篇金相
  • 2篇金相显微镜
  • 2篇分凝系数
  • 2篇
  • 2篇
  • 2篇
  • 1篇X

机构

  • 4篇四川大学

作者

  • 4篇陈宝军
  • 4篇朱世富
  • 4篇赵北君
  • 4篇赵国栋
  • 4篇马杰华
  • 4篇杨帆
  • 2篇何知宇
  • 2篇万书权

传媒

  • 2篇新疆大学学报...

年份

  • 2篇2009
  • 2篇2008
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
硒铟镓银单晶生长过程中In分凝现象研究
采用Bridgman法生长出尺寸为Φ15mm×45mm外表无裂纹的AgGa1-xInxSe2单晶体,XRD测试表明其峰值尖锐无杂峰。沿晶体生长方向分别于籽晶带、放肩、主体部位取三块不同位置的单晶片做EDX测试,发现其中I...
杨帆赵北君朱世富赵国栋马杰华万书权陈宝军何知宇
关键词:单晶体分凝系数
文献传递
AgGa1-xInxSe2晶体的蚀坑研究
晶体的质量是其元器件制备的关键之一,蚀坑密度(EPD)的观测是检验晶体质量的一个重要方法。用改进的Bridgman法生长出AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶,通过化学腐蚀和金相显微镜研究了(101)晶面蚀坑的形...
马杰华朱世富赵北君赵国栋杨帆陈宝军何知宇
关键词:金相显微镜
文献传递
AgGa_(1-x)In_xSe_2晶体的蚀坑研究
2009年
晶体的质量是其元器件制备的关键之一,蚀坑密度(EPD)的观测是检验晶体质量的一个重要方法.用改进的Bridgman法生长出AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶,通过化学腐蚀和金相显微镜研究了(101)晶面蚀坑的形貌、分布特征及其密度的大小.结果表明:采用HNO3:HCl=1:2.5的配方,在室温下腐蚀5min,获得了较好的梯形蚀坑.发现晶体的缺陷主要是位错,并初步讨论了蚀坑的成因及其克服的措施,为高质量晶体元件的制备奠定了基础.
马杰华朱世富赵北君赵国栋杨帆陈宝军何知宇
关键词:金相显微镜
硒铟镓银单晶生长过程中In分凝现象研究
2009年
采用Bridgman法生长出尺寸为φ15mm×45mm外表无裂纹的AgGa(1-x)InxSe2单晶体,XRD测试表明其峰值尖锐无杂峰.沿晶体生长方向分别于籽晶带、放肩、主体部位取三块不同位置的单晶片做EDX测试,发现其中In含量与理论值不同,随晶体生长过程呈现递增趋势,分析表明是In的分凝结果所形成的.由上述部位XRD多晶粉末结构分析计算出的晶胞常数变化规律亦呈现递增趋势,与EDX实验结果一致.
杨帆赵北君朱世富赵国栋马杰华万书权陈宝军何知宇
关键词:单晶体分凝系数
共1页<1>
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