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杨帆

作品数:7 被引量:2H指数:1
供职机构:四川大学材料科学与工程学院材料科学系更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金四川省应用基础研究计划项目国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 5篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇晶体
  • 3篇ZNTE
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶体
  • 2篇电池
  • 2篇金相
  • 2篇金相显微镜
  • 2篇分凝系数
  • 2篇XPS研究
  • 2篇
  • 2篇
  • 2篇
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇太阳电池
  • 1篇光电子能谱
  • 1篇CDTE
  • 1篇CDTE太阳...
  • 1篇CU
  • 1篇沉积温度

机构

  • 7篇四川大学
  • 2篇中国工程物理...

作者

  • 7篇杨帆
  • 4篇陈宝军
  • 4篇朱世富
  • 4篇赵北君
  • 4篇赵国栋
  • 4篇马杰华
  • 3篇张静全
  • 3篇蔡亚平
  • 3篇雷智
  • 3篇郑家贵
  • 3篇黎兵
  • 3篇冯良桓
  • 3篇武莉莉
  • 3篇蔡伟
  • 3篇李卫
  • 2篇何知宇
  • 2篇万书权
  • 2篇钟永强
  • 1篇仲政祥

传媒

  • 2篇新疆大学学报...
  • 1篇物理学报
  • 1篇光谱学与光谱...

年份

  • 4篇2009
  • 3篇2008
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
Cu分布对ZnTe薄膜结构和电池性能的影响
本文采用改变衬底温度与沉积速率来制备ZnTe/ZnTe:Cu复合背接触层,用SEM、XPS研究了不同条件下ZnTe/ZnTe:Cu复合背接触层的形貌、化学元素的分布,试测了不同条件下制备的电池性能,得到了更加有利于阻挡C...
杨帆郑家贵冯良桓蔡伟蔡亚平张静全黎兵雷智李卫武莉莉
关键词:XPS研究
文献传递
AgGa_(1-x)In_xSe_2晶体的蚀坑研究
2009年
晶体的质量是其元器件制备的关键之一,蚀坑密度(EPD)的观测是检验晶体质量的一个重要方法.用改进的Bridgman法生长出AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶,通过化学腐蚀和金相显微镜研究了(101)晶面蚀坑的形貌、分布特征及其密度的大小.结果表明:采用HNO3:HCl=1:2.5的配方,在室温下腐蚀5min,获得了较好的梯形蚀坑.发现晶体的缺陷主要是位错,并初步讨论了蚀坑的成因及其克服的措施,为高质量晶体元件的制备奠定了基础.
马杰华朱世富赵北君赵国栋杨帆陈宝军何知宇
关键词:金相显微镜
AgGa1-xInxSe2晶体的蚀坑研究
晶体的质量是其元器件制备的关键之一,蚀坑密度(EPD)的观测是检验晶体质量的一个重要方法。用改进的Bridgman法生长出AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶,通过化学腐蚀和金相显微镜研究了(101)晶面蚀坑的形...
马杰华朱世富赵北君赵国栋杨帆陈宝军何知宇
关键词:金相显微镜
文献传递
硒铟镓银单晶生长过程中In分凝现象研究
采用Bridgman法生长出尺寸为Φ15mm×45mm外表无裂纹的AgGa1-xInxSe2单晶体,XRD测试表明其峰值尖锐无杂峰。沿晶体生长方向分别于籽晶带、放肩、主体部位取三块不同位置的单晶片做EDX测试,发现其中I...
杨帆赵北君朱世富赵国栋马杰华万书权陈宝军何知宇
关键词:单晶体分凝系数
文献传递
硒铟镓银单晶生长过程中In分凝现象研究
2009年
采用Bridgman法生长出尺寸为φ15mm×45mm外表无裂纹的AgGa(1-x)InxSe2单晶体,XRD测试表明其峰值尖锐无杂峰.沿晶体生长方向分别于籽晶带、放肩、主体部位取三块不同位置的单晶片做EDX测试,发现其中In含量与理论值不同,随晶体生长过程呈现递增趋势,分析表明是In的分凝结果所形成的.由上述部位XRD多晶粉末结构分析计算出的晶胞常数变化规律亦呈现递增趋势,与EDX实验结果一致.
杨帆赵北君朱世富赵国栋马杰华万书权陈宝军何知宇
关键词:单晶体分凝系数
CdTe太阳电池背接触层的XPS研究
2009年
采用共蒸发法在不同条件下制备了ZnTe和ZnTe∶Cu多晶薄膜,通过XRD和XPS研究了它们的结构和各元素的浓度分布。结果表明,不同衬底温度下沉积的薄膜,结构无明显变化,利用XPS溅射剖析获得了薄膜中各成分浓度随溅射时间变化的分布图,发现不同条件下制备的薄膜,溅射速率不同,各成分随溅射时间的变化也不相同。薄膜中Cu的浓度随溅射时间增加而快速增加,并达到一极大值,然后快速下降。根据Cu浓度的变化研究了ZnTe层对Cu原子的阻挡作用,通过对Cu浓度随时间变化分布图的比较,作者认为,用70℃制备ZnTe,而后在常温下制备ZnTe∶Cu的复合膜作为CdTe太阳电池的背接触层,能有效阻挡Cu原子的扩散,提高电池效率。
杨帆钟永强郑家贵冯良桓蔡伟蔡亚平张静全黎兵雷智李卫武莉莉
关键词:CDTE太阳电池光电子能谱
沉积条件对ZnTe/ZnTe:Cu薄膜结构及CdTe电池性能的影响被引量:2
2009年
用共蒸发法沉积了ZnTe/ZnTe:Cu复合多晶薄膜,通过XRD,XPS,C-V,I-V等研究了沉积温度对薄膜结构、Cu浓度分布及电池性能的影响.结果表明,沉积温度对薄膜的结构影响不明显,薄膜呈立方相,经185℃退火后出现了六方相.对薄膜的剖析发现,Cu浓度分布呈现先上升到一极大值而后快速下降的趋势,100℃沉积的ZnTe/ZnTe:Cu薄膜,ZnTe层起到了阻止Cu扩散作用,用这种薄膜制作的太阳电池XD较大,电容较小,二极管特性较好,具有较高的转换效率.
仲政祥郑家贵钟永强杨帆冯良桓蔡伟蔡亚平张静全黎兵雷智李卫武莉莉
关键词:沉积温度
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