李弦
- 作品数：6 被引量：21H指数：3
- 供职机构：西安空间无线电技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中法先进研究计划项目高等学校骨干教师资助计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- Au/NiCr/Ta多层金属膜择优取向与残余应力的关系被引量：2
- 2002年
- 研究了 Au/NiCr/Ta多层金属膜的择优取向、残余应力以及它们之间的关系.结果表明,在实验范围内,残余应力随沉积温度变化不大,沉积态薄膜均表现为残余拉应力,经400℃Ar气中退火60 min转变为压应力.相应出现（111）与（200）衍射峰相对强度比值减小.Au（200）取向增加时,倾向为压应力,择优取向最大时有最低的平均残余压应力;Au（111）择优取向最大时有最高的平均残余拉应力;说明Au膜的择优取向和残余应力状态存在一定的联系.
- 唐武徐可为王平李弦
- 关键词：残余应力微波集成电路
- Au/NiCr/Ta多层金属膜退火后的电阻率异常增大被引量：10
- 2003年
- 用磁控溅射疗法在Al2O3基片上沉积Au/NiCr/Ta多层金属膜,通过X射线衍射技术研究退火前后溥膜晶体取向的变化, Auger电子能谱分析退火前后薄膜沿深度方向的元素分布,四点探针测试退火前后薄膜表面电阻率.结果表明:退火后111Au与200Au衍射强度褶对比值减小;薄膜表面电阻率异常增大;退火温度越高,薄膜表面电阻率越大,分析认为主要是由于Ni。
- 唐武徐可为王平李弦
- 关键词：退火电阻率扩散微波集成电路
- 我国近年来MIC电路及工艺发展浅谈——参加第七届全国MIC电路及工艺会议有感
- 1998年
- 从60年代首次出现起,微波集成电路(MIC)的发展就一直没有停止。各种类型的混频器、放大器、开关器件等已占据了微波通信、雷达、遥感、航天等领域的主导地位。随着微波半导体器件的成熟,工艺加工水平的提高,以及砷化镓材料设备的完善,器件成品率提高,MIC已走向MMIC(单片微波集成电路),并向超高速数字电路和光集成电路发展。对于我国来说。
- 王平姜万杰李弦
- 关键词：微波集成电路
- Au/NiCr/Ta和Au/NiCr多层金属膜的划痕特征载荷被引量：5
- 2002年
- 采用摩擦力和声发射两种模式同时监测的划痕法研究了 Ａｕ／ＮｉＣｒ／Ｔａ和 Ａｎ／ＮｉＣｒ多层金属薄膜的临界载荷 Ｌｃ，并与ＴｉＮ硬质薄膜进行了对比．实验结果表明：摩擦力和声发射模式均能反映出压头进入不同金属膜层时的变化．在单一金属薄膜层中两者均无大的变化．对应实验范围内不同的沉积温度，拐点特征载荷值基本不受其影响。
- 唐武马幼平徐可为王平李弦
- 关键词：划痕法金属薄膜临界载荷微波集成电路
- Au/NiCr/Ta多层金属膜的表面粗糙度和纳米压入硬度的研究被引量：5
- 2002年
- 采用磁控溅射方法在Si-(111)基片上沉积Au/NiCr/Ta多层金属膜,利用XRD分析晶体取向,SEM观察表面和断面形貌,AFM研究表面粗糙度,纳米压入研究薄膜硬度,结果表明薄膜表面粗糙度依赖于基体沉积温度,并且影响薄膜电阻和纳米硬度。
- 唐武徐可为王平李弦
- 关键词：表面粗糙度纳米压入
- 微波集成电路(MIC)中Au/NiCr/Ta多层金属膜粗糙化机理的AFM研究被引量：2
- 2003年
- Au/NiCr/Ta多层金属膜通过磁控溅射沉积在Si(111)基片上。XRD分析其晶体取向 ,SEM观察薄膜断面形貌 ,AFM研究薄膜表面粗糙度。结果表明薄膜表面粗糙度与沉积温度有关 ,随着沉积温度 10 0℃→ 2 5 0℃的改变 ,薄膜表面发生从粗糙→光滑→粗糙的变化过程。
- 唐武徐可为王平李弦
- 关键词：微波集成电路原子力显微镜钽镍铬合金
