公共文化服务平台

共 9 条记录，以下是 1-9

全选清除导出

排序方式：

大栅宽SiC MESFET器件的制造与研究: 本论文针对S波段1mm、3.6mm、9mm、20mm多种大栅宽4H-SiC MESFET功率管的版图设计、制作工艺和微波性能进行研究及比较.采用半绝缘衬底的自主外延的SiC三层外延片,制作出单胞总栅宽1mm、3.6mm、...; 陈刚蒋幼泉李哲洋张涛吴鹏冯忠汪浩陈征陈雪兰柏松; 关键词：金属半导体场效应管微波技术宽禁带半导体; 文献传递

Fabrication of SiC MESFETs for Microwave Power Applications被引量：1: 2007年; 4H-SiC MESFETs are fabricated on semi-insulating SiC substrates. Key processes are optimized to obtain better device performance. A microwave power amplifier is demonstrated from a 1mm SiC MESFET for S band operation. When operated at a drain voltage of 64V, the amplifier shows an output power of 4.09W, a gain of 9.3dB,and a power added efficiency of 31.3%.; 柏松陈刚张涛李哲洋汪浩蒋幼泉韩春林陈辰; 关键词：4H-SIC MESFET MICROWAVE

1-mm栅宽SiC MESFET微波功率器件研究: 本文介绍了采用国产SiC外延片的4H-SiC MESFET 1 mm多栅器件的最新研制进展.制造出单栅宽100 um,总栅宽1 mm,栅长0.8 um的n沟道4H-SiC MESFET,其微波特性测试结果:在2 GHz频...; 陈刚李拂晓邵凯张震柏松张涛汪浩李哲洋蒋幼泉黄念宁陈辰; 关键词：金属半导体场效应管微波功率器件单片集成电路; 文献传递

导通和半绝缘衬底上的SiC MESFET: 2007年; 分别在导通和半绝缘4H-SiC衬底上外延生长了MESFET结构并制成器件.两种衬底上的SiC MESFET具有类似的直流特性,饱和电流为350mA/mm,最大跨导为25～30mS/mm,击穿电压大于120V.导通衬底上的SiC MESFET在2GHz 50V工作时饱和输出功率为1.75W;在相同条件下半绝缘衬底的SiC MESFET饱和输出功率为3.38W,64V工作时最大输出功率超过4W.缓冲层参数的不同是造成微波性能差异的主要原因.; 柏松陈刚李哲洋张涛汪浩蒋幼泉; 关键词：碳化硅 MESFET 微波功率

导通和半绝缘衬底上的SiC MESFET: 本文分别在导通和半绝缘4H SiC衬底上生长了MESFET结构的外延并制成器件.两种衬底上的SiC MESFET具有类似的直流特性,饱和电流为350mA/mm,最大跨导为25-30 mS/mm,击穿电压大于120V.导通...; 柏松陈刚李哲洋张涛汪浩蒋幼泉; 关键词：碳化硅微波功率; 文献传递

Ni，Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管被引量：1: 2007年; 采用本实验室生长的4H-SiC外延片,分别用高真空电子束蒸Ni和Ti做肖特基接触金属,Ni合金作欧姆接触,SiO_2绝缘环隔离减小高压电场集边效应等技术,制作出4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)。该器件在室温下反向击穿电压大于600 V,对应的漏电流为2.00×10^(-6)A。对实验结果分析显示,采用Ni和Ti作肖特基势垒的器件的理想因子分别为1.18和1.52,肖特基势垒高度为1.54 eV和1.00 eV。实验表明,该器件具有较好的正向整流特性。; 汪浩柏松陈刚李哲洋刘六亭陈雪兰邵凯; 关键词：碳化硅肖特基势垒二极管击穿电压

4H-SiC MESFET器件工艺被引量：1: 2007年; 介绍了制作4H-SiC MESFET器件的关键工艺.通过改进工艺,采用半绝缘衬底的国产SiC三层外延片,制造出总栅宽为1mm,2GHz连续波下输出功率大于4W,小信号增益大于10dB的SiC MESFET.; 陈刚柏松张涛汪浩李哲洋蒋幼泉; 关键词：4H-SIC 金属半导体场效应管微波宽禁带半导体

SiC MESFET器件工艺研究: 本文介绍制作4H-SiC MESFET器件中的总栅宽1mm,2GHz连续波下输出功率大于4W,小信号增益大于10dB的SiC MESFET管.; 陈刚柏松张涛汪浩李哲洋蒋幼泉; 关键词：金属半导体场效应管微波宽禁带半导体; 文献传递

S波段4W SiC MESFET器件研制: 本论文介绍了S波段4H-SiC MESFET功率管的材料设计、制作工艺和微波性能.采用半绝缘衬底的自主研制的SiC三层外延片,成功制作出单胞1mm栅宽的芯片.经过装架、压丝,未作内匹配,单管器件在S波段2GHz频率连续波...; 陈刚柏松张涛汪浩李哲洋陈雪兰蒋幼泉; 关键词：碳化硅金属半导体场效应管宽禁带半导体微波性能; 文献传递

全选清除导出

共1页<1>

汪浩