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王善民

作品数：1 被引量：6H指数：1
供职机构：兰州理工大学理学院应用物理系更多>>
发文基金：国家自然科学基金甘肃省自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇钛硅
  • 1篇金刚石薄膜
  • 1篇类金刚石
  • 1篇类金刚石薄膜
  • 1篇共掺
  • 1篇共掺杂
  • 1篇薄膜生长
  • 1篇掺杂
  • 1篇沉积温度

机构

  • 1篇兰州理工大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇郝俊英
  • 1篇黄浩
  • 1篇姜金龙
  • 1篇王琼
  • 1篇魏智强
  • 1篇杨华
  • 1篇王善民

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
沉积温度对钛硅共掺杂类金刚石薄膜生长、结构和力学性能的影响被引量：6
2014年
采用中频磁控溅射Ti80Si20复合靶在单晶硅表面制备了共掺杂的类金刚石薄膜.研究了沉积温度对薄膜生长速率、化学成分、结构、表面性质和力学性能的影响.结果表明:随沉积温度升高,薄膜生长速率降低,薄膜Ti和Si原子浓度增加,C原子浓度降低;在高温下沉积的薄膜具有低sp3C含量、低表面接触角、低内应力和高的硬度与弹性模量.基于亚表层注入生长模型分析了沉积温度对薄膜生长和键合结构的影响,从薄膜生长机制和微观结构解释了表面性质和力学性能的变化.
姜金龙黄浩王琼王善民魏智强杨华郝俊英
关键词：类金刚石薄膜共掺杂沉积温度
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共1页<1>
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