田立林
- 作品数：48 被引量：56H指数：3
- 供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 全耗尽SOI MOSFET的阈电压的解析模型被引量：2
- 1996年
- 本文在近似求解全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ所满足的二维泊松方程的基础上，建立了阈电压的解析模型。通过与ＰＩＳＣＥＳ的模拟结果以及相应的实验数据的比较，证明本模型的误差较小。此外，本模型还具有计算简便、快速，形式直观，物理意义明确等优点。本模型的建立对于全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ电路模拟、器件物理特性研究及相关的工艺设计是很有意义的。
- 付军田立林钱佩信罗台秦
- 关键词：全耗尽MOSFET阈电压场效应器件
- 基于能带计算的纳米尺度MOS器件模拟
- 本文对从第一原理出发,高效率地计算沟道区的能带结构进行了研究.文章在得到载流子的输运参数(有效质量、迁移率等)的基础上,通过直接求解带开放边界条件的薛定谔方程以得到器件的电学特性.考虑到应力对能带结构和散射机制的影响,同...
- 余志平田立林
- 关键词：集成电路
- 文献传递
- 考虑速度过冲的单载流子光探测器特性被引量：1
- 2010年
- 通过在器件模拟中引入考虑了速度过冲效应的水动力学模型,对单载流子光探测器(UTC-PD)的传统漂移扩散模型进行了改进。结果表明,电子的速度过冲有效地减小了空间电荷效应,从而提高了器件的带宽。同时,通过对器件的直流和交流特性分析,研究了吸收层和收集层参数对器件性能的影响。
- 李国余张冶金李小健田立林
- 关键词：水动力学热载流子速度过冲渡越时间
- 沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件制造工艺
- 本发明公开了属于微电子器件制造技术范围的一种沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件制造工艺。这种工艺和体硅及SOI工艺完全兼容，只需在常规CMOS工艺基础上增加一块图形化注氧的掩膜版和在Si片上热生长或淀积注氧掩蔽层...
- 李志坚田立林何平林羲董业民陈猛王曦
- 文献传递
- VDMOS场效应晶体管电路模型的构造及参数提取(英文)被引量：1
- 2002年
- 从 VDMOS的物理结构出发建立子电路模型 ,进而导出描述其交直流特性的参数及模型公式 .相对以往文献的结果 ,该模型避免了过多工艺参数的引入 ,同时对子电路进行了有效的简化 .在参数提取软件中的加载结果表明 ,该模型结构简单 ,运算速度快 ,物理概念清晰 ,拟合曲线与测试数据符合精度高 (直流误差 5 %以内 ,交流误差10 %以内 ) 。
- 赖柯吉张莉田立林
- 关键词：电路模型场效应晶体管VDMOS
- 电路级热电耦合模拟器的研制
- 陈文松田立林李志坚
- 关键词：散热
- 文献传递网络资源链接
- 采用Java实现的二维氧化应力有限元分析与模拟
- Ｊａｖａ语言作为一种新兴的面向对象语言，正在科学计算领域得到广泛的应用。文章介绍了采用Ｊａｖａ语言，对二维氧化中存在的应力进行了有限元分析与模拟，所得结果与ＳＵＰＲＥＭ－ＩＶ的结果进行了全面的比较。
- 董宁田立林
- 关键词：应力分析
- 文献传递网络资源链接
- 90纳米-65纳米极大规模集成电路大生产关键技术研究
- 王阳元吴汉明康晋锋严晓浪郝跃徐秋霞高大为史峥田立林王漪
- 该项目作为信息产业的基础和核心，集成电路技术水平已成为国际竞争的焦点和衡量一个国家或地区综合实力的重要标志。该项目基于国民经济和社会发展的重大战略需求，在国家863和973项目资助下，在90nm-65nmCMOS集成电路...
- 关键词：
- 关键词：大规模集成电路生产工艺设计软件
- GCS法及多晶区量子效应的集约建模(英文)
- 2004年
- 提出了一种新的建立集约模型的方法 ,即栅电容修正法 .此方法考虑了新型效应对栅电压的依赖关系 ,且可以对各种效应相对独立地建模并分别嵌入模型中 .另外 ,利用该方法和密度梯度模型建立了一个多晶区内量子效应的集约模型 .该模型与数值模拟结果吻合 .模型结果和模拟结果均表明 ,多晶区内的量子效应不可忽略 ,且它对器件特性的影响与多晶耗尽效应相反 .
- 张大伟章浩田立林余志平
- 关键词：纳米级
- 一种基于电荷泵技术的界面态横向分布测量方法被引量：2
- 1998年
- 本文以电荷泵技术为测量手段，结合数值计算，提出了一种新的测量界面态横向分布的方法．与传统方法相比具有理论模型较完善、测量中不引入新的蜕变、易于实现的特点，适用于研究短沟道器件的热载流子蜕变效应．用该方法对１．２μｍＬＤＤ结构ｎ－ＭＯＳＦＥＴ进行了研究，得到了应力后漏端附近产生的界面态的横向分布以及应力后阈值电压、平带电压的变化。
- 杨晓东田立林陈文松
- 关键词：电荷泵技术界面态ICVLSI/ULSI
