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窦伟

作品数：22 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 11篇离子注入
  • 10篇等离子体
  • 8篇脉冲电源
  • 6篇电子领域
  • 6篇射频线圈
  • 6篇体线圈
  • 6篇微电子领域
  • 6篇金属
  • 6篇高密度等离子...
  • 5篇样片
  • 5篇离子
  • 4篇蒸汽压
  • 4篇基片
  • 4篇饱和蒸汽压
  • 3篇电感耦合
  • 3篇电感耦合等离...
  • 3篇射频电源
  • 3篇线圈
  • 3篇晶格
  • 3篇矩形线圈

机构

  • 22篇中国科学院微...

作者

  • 22篇李超波
  • 22篇窦伟
  • 15篇邹志超
  • 6篇李楠
  • 6篇夏洋
  • 2篇赵丽莉
  • 1篇夏洋
  • 1篇张阳

传媒

  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2017
  • 7篇2016
  • 9篇2014
  • 3篇2013
  • 2篇2012
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
离子注入剂量的检测方法
本发明公开了一种离子注入剂量的检测方法，包括获取等离子体的谐振频率ω<Sub>e</Sub>；根据谐振频率ω<Sub>e</Sub>通过计算获得ICP放电产生的等离子体中离子的密度n<Sub>pi</Sub>，板形鞘层的...
窦伟李超波邹志超
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电感耦合等离子体线圈及等离子体注入装置
公开了一种电感耦合等离子体线圈，包括两组折回而成的射频线圈；两组所述射频线圈的空间结构采用平面蛇形并联的方式，且在空间分布上严格对称。还公开了一种设置有上述等离子体线圈的电感耦合等离子体注入装置。本实用新型提供的电感耦合...
窦伟李楠李超波夏洋
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一种半导体离子注入均匀性的改善方法
本发明提供公开了一种半导体离子注入均匀性的改善方法，包含：对硅基片进行预非晶化；对所述硅基片进行离子注入，其中，所述硅基片的部分表面与离子注入的方向成锐角或钝角；修复所述硅基片在预非晶化时形成的晶格损伤。本发明提供半导体...
窦伟邹志超李超波
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离子注入系统
本发明公开了一种离子注入系统，包括一设有加热盘的基片台，所述基片台包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分位于所述离子注入腔室内，用于给所述离子注入安置待注入样片；所述第二部分位于所述离子注入腔室外，与所述脉冲电源连接；...
窦伟李超波邹志超
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电感耦合等离子体注入装置
公开了一种电感耦合等离子体线圈，包括两组折回而成的射频线圈；两组所述射频线圈的空间结构采用平面蛇形并联的方式，且在空间分布上严格对称，使得在同一线圈位置的射频电流的方向相同。还公开了一种设置有上述等离子体线圈的电感耦合等...
窦伟李楠李超波夏洋
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离子注入系统
本发明公开了一种离子注入系统，包括隔板，所述隔板设置在所述基片台外围，且通过所述基片台与注入电极连接；所述隔板用于将所述离子注入腔室分隔为上离子注入腔室及下离子注入腔室，且在对样片进行离子注入时，所述隔板随注入电极的升降...
李超波窦伟邹志超
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离子注入系统
本发明公开了一种离子注入系统，包括一设有加热盘的基片台，所述基片台包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分位于所述离子注入腔室内，用于给所述离子注入安置待注入样片；所述第二部分位于所述离子注入腔室外，与所述脉冲电源连接；...
窦伟李超波邹志超
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电感耦合等离子体线圈及等离子体注入装置
公开了一种电感耦合等离子体线圈，包括：若干组处于同一平面内的射频线圈；每组所述射频线圈由两组U型回折矩形线圈组成；每组所述U型回折矩形线圈包括两个长直线段，一个短直线段；每组所述U型回折矩形线圈的长直线段之间相互平行，长...
窦伟李楠李超波夏洋
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电感耦合等离子体线圈及等离子体注入装置
公开了一种电感耦合等离子体线圈，包括两组折回而成的射频线圈；两组所述射频线圈的空间结构采用平面蛇形并联的方式，且在空间分布上严格对称，使得在同一线圈位置的射频电流的方向相同。还公开了一种设置有上述等离子体线圈的电感耦合等...
窦伟李楠李超波夏洋
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离子注入系统
本发明公开了一种离子注入系统，包括隔板，所述隔板设置在所述基片台外围，且通过所述基片台与注入电极连接；所述隔板用于将所述离子注入腔室分隔为上离子注入腔室及下离子注入腔室，且在对样片进行离子注入时，所述隔板随注入电极的升降...
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